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一种LGS晶体谐振器及振荡器制造技术

技术编号:23771256 阅读:76 留言:0更新日期:2020-04-11 23:52
本发明专利技术公开了一种LGS晶体谐振器和振荡器,以及LGS晶体谐振器的制备方法,所述LGS晶体谐振器包括外壳、连接在外壳上的两个管脚和位于外壳内的两个电极,每个电极分别通过引线连接一个管脚,其特征在于:所述电极具体为表面镀有电极材料的Y‑30°切向LGS晶片,所述Y‑30°切向LGS晶片是通过对LGS晶体原料按照Y‑30°切向切割而成的晶片。所述LGS晶体振荡器中的晶体为所述LGS晶体谐振器。本发明专利技术机电耦合系数更高、频带宽度更宽、响应时间更短、品质因素值更高。

A LGS crystal resonator and oscillator

【技术实现步骤摘要】
一种LGS晶体谐振器及振荡器
本专利技术涉及电子器件,尤其涉及一种LGS晶体谐振器及振荡器。
技术介绍
在电子系统中振荡器由来就扮演着十分重要的角色,可以说它是电子系统中的心脏。1880年皮埃尔·居里和雅克·居里两兄弟首次揭示压电效应之前,振荡器的核心为LC或者RC电路,因此其振荡频率也相应的取决于振荡电路的电感值和电容值,即:L和C值,这两个值只要有一方,或者两方都发生微小变化,都会大大影响振荡器的频率稳定性,所以这种振荡器的频率稳定性不太理想,大概在10-2-10-4数量级范围之间,无法满足越来越高精确度的多种应用场合。随后的几十年里,大量的科学家投入到石英晶体压电效应的研究中来。传统的晶体振荡器是谐振器件,它是根据SiO2晶体(石英晶体)的压电效应制成的,由于石英晶体本身所具有的特性,在应用中存在较大的频温偏移,特别是一些高频高稳定度的场合,机电耦合系数较低,频带宽度较窄,等效串联阻抗较大,品质因素Qq值较低,采用一般的温度补偿方式也不能很好的满足应用要求,所制成的晶体振荡器的频率响应时间较长,品质因素Q值较低,不能满足很多极端生本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种LGS晶体谐振器,包括外壳、连接在外壳上的两个管脚和位于外壳内的两个电极,每个电极分别通过引线连接一个管脚,其特征在于:所述电极具体为表面镀有电极材料的Y-30°切向LGS晶片,所述Y-30°切向LGS晶片是通过对LGS晶体原料按照Y-30°切向切割而成的晶片。/n

【技术特征摘要】
1.一种LGS晶体谐振器,包括外壳、连接在外壳上的两个管脚和位于外壳内的两个电极,每个电极分别通过引线连接一个管脚,其特征在于:所述电极具体为表面镀有电极材料的Y-30°切向LGS晶片,所述Y-30°切向LGS晶片是通过对LGS晶体原料按照Y-30°切向切割而成的晶片。


2.根据权利要求1所述的LGS晶体谐振器,其特征在于:所述电极通过封装后放置在电极壳体内,所述电极壳体内充有惰性气体。


3.一种LGS晶体谐振器的制备方法,其特征在于包括如下步骤:
将LGS晶体原料按照Y-30°切向切割成两个LGS晶片;
在每个LGS晶片的表面上镀上电极材料,制成两个电极;
分别从两个电极上焊接引线,引线引出连接两个管脚;
用外壳封装,形成Y-30°切向的LGS晶体谐振器。


4.根据权利要求3所述的LGS晶体谐振器的制备方法,其特征在于:外壳封装前,先将两个电极外加上封装和电极外壳,将惰性气体冲入电极外壳内。


5.一种LGS晶体振荡器,其特征在于:该振荡器内的晶体谐振器为权利要求1或2所述的LGS晶体谐振器。


6.一种LGS晶体振荡器,其特征在于:该振荡器采用Pierce并联晶体振荡电路,电路内的晶体为权利要求1或2所述LGS晶体谐振器。


7.根...

【专利技术属性】
技术研发人员:唐路杨永发陈程唐旭升王增梅余旭涛
申请(专利权)人:东南大学
类型:发明
国别省市:江苏;32

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