【技术实现步骤摘要】
一种改善垂直腔面发射激光器氧化均匀性的湿法氧化工艺
本专利技术涉及湿法氧化工艺领域，尤其涉及一种改善垂直腔面发射激光器氧化均匀性的湿法氧化工艺。
技术介绍
垂直腔面发射激光器(VCSEL)是一种半导体激光器，其特征是激光垂直于顶面射出。其结构是P型和N型布拉格反射镜和夹在中间的谐振腔。P型和N型布拉格反射镜都有多层外延片组成，以达到99％的反射率。为了达到低的阈值电流，通常会有一层高含铝层，高铝层相对于低铝层来说在水蒸汽条件下具有更高的氧化速率,经过选择性氧化之后形成氧化铝绝缘层，可以达到对电流的限制和光学限制，这样可以减小阈值电流和提高电光转换效率。湿法氧化法是指利用水蒸汽从侧向对VCSEL的高铝层进行氧化生成氧化铝，形成高阻值限制区，用来进行电限制和光限制，可以使VCSEL极低阙值实现连续发射。根据结构的不同，氧化深度在几个微米到十几个微米之间，要求氧化深度精确可控，而且氧化的均匀性重复性比较好，传统的氧化工艺均匀性很难控制。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术之缺陷，提供了一种改善垂直腔...
【技术保护点】
1.一种改善垂直腔面发射激光器氧化均匀性的湿法氧化工艺，其特征在于，包括如下步骤：/n取待氧化的半导体结构，并将其放入氧化设备中；/n正式氧化步骤开始前，氧化设备腔体预热到设定温度后,进行半导体结构的表面预处理，表面预处理的方法是往氧化设备腔体内通入H
【技术特征摘要】
1.一种改善垂直腔面发射激光器氧化均匀性的湿法氧化工艺，其特征在于，包括如下步骤：
取待氧化的半导体结构，并将其放入氧化设备中；
正式氧化步骤开始前，氧化设备腔体预热到设定温度后,进行半导体结构的表面预处理，表面预处理的方法是往氧化设备腔体内通入H2，使待氧化的半导体结构的表面活化；
给氧化设备腔体供水蒸汽,精准控制水蒸汽流量，并开始氧化；
进行氧化步骤；
氧化步骤完成后，继续保温一段时间，并持续通入N2，直到温度降至常温，氧化结束。
2.根据权利要求1所述的改善垂直腔面发射激光器氧化均匀性的湿法氧化工艺，其特征在于：采用水蒸发器供给水蒸汽。
3.根据权利要求1或2所述的改善垂直腔面发射激光器氧化均匀性的湿法氧化工艺，其特征在于：水蒸汽的流量通过液体流量计精准控制。
4.根据权利要求3所述的改善垂直腔面发射激光器氧化均匀性的湿法氧化工艺，其特征在于：水蒸汽的流量用...
【专利技术属性】
技术研发人员：代露，肖黎明，
申请(专利权)人：武汉光安伦光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42
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