【技术实现步骤摘要】
具有带宽提升结构的光学装置
实例性实施例大体来说涉及具有光局限结构的光学装置。
技术介绍
垂直腔面发射激光器(VCSEL)已成功地部署在数代数据速率的高速数据通信中。然而，具有常规设计的VCSEL可具有固有弛豫振荡频率限制带宽，这使其无法用于大于50GB的音频应用。
技术实现思路
在一个方面中，本申请案涉及一种发光装置，所述发光装置包括：衬底，其具有第一表面及相对的第二表面；外延结构，其具有第一表面及相对的第二表面，所述外延结构的所述第二表面定位成靠近所述衬底的所述第一表面；第一金属层，其具有第一表面及相对的第二表面，所述第一金属层的所述第二表面面朝所述衬底的所述第一表面；及至少一个光局限结构，其经配置以局限在所述外延结构内产生的光，其中所述至少一个光局限结构提供低折射率边界，所述低折射率边界将所述光局限在被所述至少一个光局限结构至少部分地环绕的台面结构中。在另一方面中，本申请案涉及一种半导体装置，所述半导体装置包括：非原生衬底；及垂直腔面发射激光器VCSEL，其具有第一侧及第二侧，所述第二侧面朝...
【技术保护点】
1.一种发光装置，其包括：/n衬底，其具有第一表面及相对的第二表面；/n外延结构，其具有第一表面及相对的第二表面，所述外延结构的所述第二表面定位成靠近所述衬底的所述第一表面；/n第一金属层，其具有第一表面及相对的第二表面，所述第一金属层的所述第二表面面朝所述衬底的所述第一表面；及/n至少一个光局限结构，其经配置以局限在所述外延结构内产生的光，其中所述至少一个光局限结构提供低折射率边界，所述低折射率边界将所述光局限在被所述至少一个光局限结构至少部分地环绕的台面结构中。/n
【技术特征摘要】
20180927 US 16/143,6921.一种发光装置，其包括：
衬底，其具有第一表面及相对的第二表面；
外延结构，其具有第一表面及相对的第二表面，所述外延结构的所述第二表面定位成靠近所述衬底的所述第一表面；
第一金属层，其具有第一表面及相对的第二表面，所述第一金属层的所述第二表面面朝所述衬底的所述第一表面；及
至少一个光局限结构，其经配置以局限在所述外延结构内产生的光，其中所述至少一个光局限结构提供低折射率边界，所述低折射率边界将所述光局限在被所述至少一个光局限结构至少部分地环绕的台面结构中。
2.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述至少一个光局限结构包括在所述外延结构中的沟槽，所述沟槽至少部分地环绕所述台面结构。
3.根据权利要求2所述的发光装置，其中所述沟槽完全环绕所述台面结构。
4.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述至少一个光局限结构包括所述外延结构的一或多个非蚀刻区域，所述一或多个非蚀刻区域散布在所述外延结构的蚀刻区域之间。
5.根据权利要求4所述的发光装置，其中所述一或多个非蚀刻区域的比例及所述蚀刻区域的比例经选择以平衡所述至少一个光局限结构提供的所期望折射率引导与所述至少一个光局限结构引发的散射损失。
6.根据权利要求5所述的发光装置，其中所述蚀刻区域限定所述非蚀刻区域，以形成所述至少一个光局限结构的分隔开的光局限区。
7.根据权利要求6所述的发光装置，其中所述分隔开的光局限区包括一或多个辐条形结构，所述一或多个辐条形结构从所述台面结构的中心延伸。
8.根据权利要求2所述的发光装置，其中所述外延结构包括第一分布式布拉格反射器DBR堆叠及量子阱QW区。
9.根据权利要求8所述的发光装置，其中所述外延结构进一步包括第二DBR堆叠，且其中所述QW区夹在所述第一DBR堆叠与所述第二DBR堆叠之间。
10.根据权利要求9所述的发光装置，其中所述第一DBR堆叠包括p型掺杂，其中所述第二DBR堆叠包括n型掺杂，且其中所述第一DBR堆叠比所述第二DBR堆叠更靠近所述衬底。
11.根据权利要求10所述的发光装置，其中所述台面结构进一步包括：
第一触点，其被所述沟槽环绕，其中所述衬底包括高热导率非原生衬底，且其中所述第一触点具有反射性且与p型材料接触。
12.根据权利要求11所述的发光装置，其进一步包括钝化层，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：钟伊·苏，
申请(专利权)人：安华高科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：新加坡;SG
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