【技术实现步骤摘要】
一种基于纳米阵列的有机场效应晶体管存储器及其制备方法
本专利技术属于半导体行业存储器
，具体涉及一种基于纳米阵列的有机场效应晶体管存储器及其制备方法。
技术介绍
迄今为止，基于无机材料的电子器件由于其高性能和稳定性已经在电子器件市场中占主导地位。然而，基于无机的电子器件在下一代电子器件中遇到许多困难，这些器件需要超小的特征尺寸和灵活的属性。为了克服这些限制，基于有机材料的有机电子器件被认为是一个很好的替代方案，有机材料具有来源广，易于加工，低成本，可以大面积制备等优点，有望用于下一代电子器件的制备。近年来，人们在有机场效应晶体管（OFET），有机发光二极管（OLED）和有机光伏器件（OPV）等有机电子器件方面不断取得突出的研究进展，使得器件越发接近实际应用水平。作为有机电子学领域不可或缺的重要部分之一，有机场效应晶体管存储器因其具有非易失性读取，易于集成，可与各种衬底兼容等优点，受到社会的广泛关注。许多研究者致力于提高晶体管存储器的存储性能，包括存储窗口，电荷存储密度，电流开关比，维持时间稳定性和耐受性等。目前...
【技术保护点】
1.一种基于纳米阵列的有机场效应晶体管存储器，其特征是，从上至下依次包括源漏电极、有机半导体、纳米阵列、栅绝缘层和衬底。/n
【技术特征摘要】
1.一种基于纳米阵列的有机场效应晶体管存储器，其特征是，从上至下依次包括源漏电极、有机半导体、纳米阵列、栅绝缘层和衬底。
2.根据权利要求1所述的一种基于纳米阵列的有机场效应晶体管存储器，其特征是，源、漏电极材料是铜，厚度为30-40nm，沟道长度是100-150μm，宽度是1500-2000μm。
3.根据权利要求1所述的一种基于纳米阵列的有机场效应晶体管存储器，其特征是，有机半导体层为并五苯，厚度是50-60nm。
4.根据权利要求1所述的一种基于纳米阵列的有机场效应晶体管存储器，其特征是，栅绝缘层为SiO2或者氧化铝，厚度为50-300nm。
5.根据权利要求1所述的一种基于纳米阵列的有机场效应晶体管存储器，其特征是，衬底为高掺杂硅片、玻璃片或者聚对苯二甲酸乙二醇酯。
6.根据权利要求1所述的一种基于纳米阵列的有机场效应晶体管存储器，其特征是，纳米阵列为聚乙烯吡咯烷酮或聚乙烯基咔唑材料。
7.一种基于纳米阵列的有机场...
【专利技术属性】
技术研发人员：仪明东，李宇，曹克阳，郭云，
申请(专利权)人：南京邮电大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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