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一种基于纳米阵列的有机场效应晶体管存储器及其制备方法技术
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下载一种基于纳米阵列的有机场效应晶体管存储器及其制备方法的技术资料
文档序号:23769891
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本发明公开了一种基于纳米阵列的有机场效应晶体管存储器及其制备方法,属于半导体行业存储器技术领域。利用聚合物材料和绝缘材料分别溶于低沸点溶剂并混合旋涂至衬底表面,再经过退火以后形成纳米阵列,作为电荷俘获层应用于有机场效应晶体管存储器,进而提高...
该专利属于南京邮电大学所有,仅供学习研究参考,未经过南京邮电大学授权不得商用。
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