调控导电高分子薄膜晶体生长的方法技术

本发明专利技术涉及一种调控导电高分子薄膜晶体生长的方法，将聚‑3已基噻吩薄膜依次放入不同体积比的混合溶剂中退火，然后迅速除去薄膜中的溶剂；所述混合溶剂为氯仿与正己烷的混合溶剂或氯仿与环己烷的混合溶剂。本发明专利技术调控导电高分子薄膜晶体生长的方法，通过改变不良溶剂的极性来调节导电高分子晶体在薄膜中可控生长，从而制备结晶度和晶体尺度大小可控的导电高分子薄膜。本发明专利技术利用极性不良溶剂与高分子烷基侧链的排斥性，诱导高分子链堆积更加紧密，促进高分子晶体的增长，从而改善导电高分子薄膜的结晶度。

Methods of controlling crystal growth of conducting polymer film

【技术实现步骤摘要】
调控导电高分子薄膜晶体生长的方法
本专利技术属纳米表面及其制备
，涉及一种调控导电高分子薄膜晶体生长的方法。
技术介绍
导电高分子因其具有价格低廉、质轻、柔性、可溶液加工等优点，广泛应用于薄膜晶体管、发光显示、太阳能电池、传感器等方面。导电高分子薄膜的晶体结构与其性能关系密切。例如，为了提高迁移率，应用于晶体管的导电高分子薄膜需要具有较高的结晶度，而且结晶区之间最好由长链导电高分子把它们连在一起；为了提高发光效率，降低非辐射能量耗散，应用于发光二极管的导电高分子薄膜应该具有较低的结晶度和较短的共轭长度；为了增加激子的快速分离，在有机太阳能电池的导电高分子薄膜中，给体与受体之间应该具有尺寸为10nm左右的相分离尺寸。因此，导电高分子薄膜的晶体结构对其应用具有重要意义。近年来，热退火处理和溶剂蒸气处理作为调节导电高分子薄膜的晶体结构的常用处理方法，被广泛应用于导电高分子薄膜的晶体结构调控过程。然而，它们仍然存在明显的不足。热退火处理需要较高的温度，容易引起晶体结构高分子链的降解和氧化，从而影响晶体结构高分子薄膜的物理性能。溶剂蒸气退火处理的实本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.调控导电高分子薄膜晶体生长的方法，其特征是：将聚-3已基噻吩薄膜依次放入不同体积比的混合溶剂中退火，然后迅速除去薄膜中的溶剂；/n所述混合溶剂为氯仿与正己烷的混合溶剂或氯仿与环己烷的混合溶剂；/n所述不同体积比是指氯仿与正己烷的体积比或氯仿与环己烷的体积比从3:2递减至1:8；所述不同体积比取5组以上数据；/n所述退火是指在不同体积比中浸泡。/n

【技术特征摘要】
1.调控导电高分子薄膜晶体生长的方法，其特征是：将聚-3已基噻吩薄膜依次放入不同体积比的混合溶剂中退火，然后迅速除去薄膜中的溶剂；
所述混合溶剂为氯仿与正己烷的混合溶剂或氯仿与环己烷的混合溶剂；
所述不同体积比是指氯仿与正己烷的体积比或氯仿与环己烷的体积比从3:2递减至1:8；所述不同体积比取5组以上数据；
所述退火是指在不同体积比中浸泡。


2.根据权利要求1所述的调控导电高分子薄膜晶体生长的方法，其特征在于，所述体积比从2:1递减至1:12是指分别为2:1、1:1、1:2、1:4和1:12。


3.根据权利要求1所述的调控导电高分子薄膜晶体生长的方法，其特征在于，所述退火总时间≥500小时，其中在每种比例的混合溶剂中的时间≥100小时。


4.根据权利要求1所述的调控导电高分子薄膜晶体生长的方法，其特征在于，迅速除去薄膜中的溶剂是指迅速用压缩气体吹干；所述气体为空气、氮气或氩气；所述迅速用压缩气体吹干是指用压缩气体5秒内吹干溶剂；薄膜的厚度为30nm～100nm。


5.根据权利要求1所述的调控导电高分子薄膜晶体生长的方法，其特征在于，在不溶解高分子的混合溶剂中，随非溶剂比例减少结晶度增加；随着非极性非溶剂量从89v％降到到40v％，结晶度增长比例从20％增到100％。


6.根据权利要求1所述的调控导电高分子薄膜晶体生长的方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐林，张欢欢，
申请(专利权)人：东华大学，
类型：发明
国别省市：上海;31