一种R-T-B系永磁材料、制备方法和应用技术

本发明专利技术公开了一种R‑T‑B系永磁材料、制备方法和应用。其中，R‑T‑B系永磁材料Ⅰ包括以下组分：R：29.0～32.5wt％，且R中包括RH；Cu：0.30～0.50wt％；Ti：0.05～0.20wt％；B：0.85～1.05wt％；C：0.1～0.3wt％；Fe：66～68wt％；所述R为稀土元素，所述R至少包括Nd；所述RH为重稀土元素，所述RH至少包括Tb或Dy。本发明专利技术中的R‑T‑B系永磁材料Ⅰ中形成了Cu‑Ti‑C晶界相，Hcj得到非常显著的提升。

A kind of R-T-B permanent magnet material, preparation method and Application

【技术实现步骤摘要】
一种R-T-B系永磁材料、制备方法和应用
本专利技术涉及一种R-T-B系永磁材料、制备方法和应用。
技术介绍
永磁材料作为支撑电子器件的关键材料被开发出来，发展方向向着高磁能积及高矫顽力的方向进行。R-T-B系永磁材料(R为稀土类元素中的至少一种)已知为永久磁铁中性能最高的磁铁，被用于硬盘驱动器的音圈电机(VCM)、电动车用(EV、HV、PHV等)电机、工业设备用电机等各种电机和家电制品等。目前，在制备R-T-B系永磁材料过程中，由于原料纯度不够，会引入一定含量的碳；同时由于钕铁硼粉末活泼且流动性较差，需要添加抗氧剂、润滑剂、脱模剂等有机添加剂，也会引入一定含量的碳。常规的制备工艺过程中，碳极易与活泼的富Nd相结合，形成碳化钕，从而导致磁体Hcj下降。因此，现面临的技术难题是：一方面需要降低合金中的碳元素含量，另一方面由于制备工艺或原料原因又不得不引入一定的碳源。这样既矛盾又客观的技术难题，亟需一种新的R-T-B系永磁材料的配方来克服上述技术难题。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是克服现有技术R-T本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种R-T-B系永磁材料Ⅰ，其特征在于，以重量百分比计，其包括以下组分：/nR：29.0～32.5wt％，且R中包括RH；/nCu：0.30～0.50wt％；/nTi：0.05～0.20wt％；/nB：0.85～1.05wt％；/nC：0.1～0.3wt％；/nFe：66～68wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅰ中的重量百分比；/n所述R为稀土元素，所述R至少包括Nd；/n所述RH为重稀土元素，所述RH至少包括Tb和/或Dy。/n

【技术特征摘要】
1.一种R-T-B系永磁材料Ⅰ，其特征在于，以重量百分比计，其包括以下组分：
R：29.0～32.5wt％，且R中包括RH；
Cu：0.30～0.50wt％；
Ti：0.05～0.20wt％；
B：0.85～1.05wt％；
C：0.1～0.3wt％；
Fe：66～68wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅰ中的重量百分比；
所述R为稀土元素，所述R至少包括Nd；
所述RH为重稀土元素，所述RH至少包括Tb和/或Dy。


2.如权利要求1所述的R-T-B系永磁材料Ⅰ，其特征在于，所述R-T-B系永磁材料Ⅰ在磁体晶界处存在Cu-Ti-C晶界相；
和/或，所述R-T-B系永磁材料Ⅰ包括：O0～0.15wt％，但不包括0，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅰ中的重量百分比；较佳地，所述O的含量范围为0.04～0.12wt％，例如0.05wt％、0.06wt％、0.08wt％、0.1wt％或0.12wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅰ中的重量百分比；
和/或，所述R-T-B系永磁材料Ⅰ还包括：M0～3wt％，所述M的种类包括Co、Al、Ga、Si、Sn、Ge、Ag、Au、Bi、Mn和Cr中的至少一种元素；所述M的种类较佳地为Co或Ga；当所述M包括Co时，所述Co的含量范围较佳地为0.5～1.5wt％，例如0.6wt％、0.7wt％、1.0wt％或1.2wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅰ中的重量百分比；当所述M包括Ga时，所述Ga的含量范围较佳地为0.2～0.5wt％，例如0.3wt％或0.4wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅰ中的重量百分比。


3.如权利要求1所述的R-T-B系永磁材料Ⅰ，其特征在于，所述R中还包括Pr元素；
和/或，所述R的含量范围为30～32.5wt％，例如30.1wt％、30.6wt％、31.1wt％、31.6wt％或32.1wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅰ中的重量百分比；
和/或，所述RH的含量范围为0.5～1.2wt％，例如0.6wt％或1.10wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅰ中的重量百分比；
和/或，所述Cu的含量范围为0.3～0.45wt％或0.5wt％，例如0.3wt％、0.35wt％、0.4wt％或0.45wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅰ中的重量百分比；
和/或，所述Ti的含量范围为0.05～0.2wt％，例如0.1wt％、0.15wt％或0.2wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅰ中的重量百分比；
和/或，所述B的含量范围为0.9～1.0wt％，例如0.9wt％、0.92wt％、0.94wt％、0.96wt％、0.98wt％或1wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅰ中的重量百分比；
和/或，所述C的含量范围为0.1～0.2wt％，例如0.12wt％、0.14wt％、0.16wt％或0.18wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅰ中的重量百分比。


4.一种R-T-B系永磁材料Ⅱ，其特征在于，以重量百分比计，其包括以下组分：
R：29.0～32wt％，且R中包括RH，所述RH的含量为0～0.5wt％；
Cu：0.30～0.50wt％；
Ti：0.05～0.20wt％；
C：0.1～0.3wt％；
B：0.85～1.05wt％；
Fe：66～68wt％，wt％是指在所述R-T-B系永磁材料Ⅱ中的重量百分比；
所述R为稀土元素，所述R至少包括Nd；

【专利技术属性】
技术研发人员：蓝琴，黄佳莹，陈大崑，
申请(专利权)人：厦门钨业股份有限公司，福建省长汀金龙稀土有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35