R-T-B系磁体材料、原料组合物及制备方法和应用技术

本发明专利技术公开了R‑T‑B系磁体材料、原料组合物及制备方法和应用。该R‑T‑B系磁体材料的原料组合物以质量百分比计，其包括如下含量的组分：R’：29.5～32％，所述R’为稀土元素，所述R’包括Pr；其中，所述Pr：≥8.85％；Ga：>1.05％；B：0.9～1.2％；Fe：59～69％；百分比是指占所述R‑T‑B系磁体材料的原料组合物总质量的质量百分比。本发明专利技术的R‑T‑B系磁体材料使用了较高含量的Pr结合较高含量的Ga的配方，使得R‑T‑B系磁体材料在显著提升矫顽力的同时还可维持较高的剩磁。

R-T-B system magnet material, raw material composition, preparation method and Application

【技术实现步骤摘要】
R-T-B系磁体材料、原料组合物及制备方法和应用
本专利技术具体涉及R-T-B系磁体材料、原料组合物及制备方法和应用。
技术介绍
以Nd2Fe14B为主要成分的R-T-B系(NdFeB)磁体材料，具有较高的剩磁、矫顽力和最大磁能积，综合磁性能优良，应用在风力发电、新能源汽车、变频家电等方面。目前现有技术中的R-T-B系磁体材料的稀土成分通常以钕为主，只存在少量的Pr，虽然已报道了将Pr替换一部分的钕可提高磁体材料的性能，但提高的程度有限。例如，目前已报道的中国专利文献CN104979062A公开的R-T-B系磁体材料的配方如下：25～31wt％的镨、0～5wt％的钕、0.12wt％的镓、0.97～1％的硼以及其他添加元素。该配方中添加了较高含量的镨，但是矫顽力最高只能达到18kOe。另外，冸敏翔等(Ga和Ti掺杂NdFeB永磁体矫顽力的研究，功能材料，公开日2010.10.15)虽然报道了Ga元素的添加可提升矫顽力，但提升的程度仍然也是有限的，只能从2038kA/m提升至2276kA/m。如何能充分利用镨和镓可带来的矫顽力提升的优势，在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种R-T-B系磁体材料的原料组合物，其特征在于，以质量百分比计，其包括如下含量的组分：/nR’：29.5～32％，所述R’为稀土元素，所述R’包括Pr；/n其中，所述Pr：≥8.85％；/nGa：>1.05％；/nB：0.9～1.2％；/nFe：59～69％；百分比是指占所述R-T-B系磁体材料的原料组合物总质量的质量百分比。/n

【技术特征摘要】
1.一种R-T-B系磁体材料的原料组合物，其特征在于，以质量百分比计，其包括如下含量的组分：
R’：29.5～32％，所述R’为稀土元素，所述R’包括Pr；
其中，所述Pr：≥8.85％；
Ga：>1.05％；
B：0.9～1.2％；
Fe：59～69％；百分比是指占所述R-T-B系磁体材料的原料组合物总质量的质量百分比。


2.如权利要求1所述的原料组合物，其特征在于，所述R’的含量为29.7～32％，较佳地为29.7％、29.8％、30％、30.3％、30.4％、30.8％、31％、31.3％、31.5％、31.7％、31.8％或32％，百分比是指占所述R-T-B系磁体材料的原料组合物总质量的质量百分比；
和/或，所述Pr的含量为8.85～27.15％，较佳地为10～27.15％，百分比是指占所述R-T-B系磁体材料的原料组合物总质量的质量百分比；
和/或，所述R’还包括Nd；较佳地，所述Nd和所述R’的质量比在0.72以下，较佳地为0.09～0.71；更佳地，所述Nd的含量较佳地在22％以下，较佳地为2.5～21.15％，百分比为占所述R-T-B系磁体材料的原料组合物总质量的质量百分比；
和/或，所述的R’还包括Y；
和/或，所述R’还包括RH，所述RH为重稀土元素；较佳地，所述RH的种类包括Dy、Tb和Ho中的一种或多种，较佳地为Dy和/或Tb；较佳地所述RH和所述R’的质量比小于0.253，较佳地为0.01～0.1；更佳地，所述RH的含量在3％以下，较佳地为0.5～2.5％；较佳地，当所述RH中含有Tb时，所述Tb的含为0.5～2.5％；较佳地，当所述RH中含有Dy时，所述Dy的含量为0.5～2％，百分比是指占所述R-T-B系磁体材料的原料组合物总质量的质量百分比；
和/或，所述Ga的含量为1.05～2.5％但不包括1.05％，较佳地为1.06％、1.15％、1.25％、1.3％、1.35％、1.45％、1.5％、1.55％、1.6％、1.65％、1.75％、1.85％、1.95％、2％、2.05％、2.15％、2.25％、2.35％、2.45％或2.5％，百分比是指占所述R-T-B系磁体材料的原料组合物总质量的质量百分比；
和/或，所述B的含量为0.92～1.2％，较佳地为0.92％、0.94％、0.985％、1％或1.2％，百分比是指占所述R-T-B系磁体材料的原料组合物总质量的质量百分比；
和/或，所述Fe的含量为59.4～68.2％，较佳地为59.415％、62.4％、62.415％、62.55％、62.565％、62.665％、62.705％、62.945％、63.065％、63.165％、63.765％、63.815％、64.035％、64.165％、64.445％、64.735％、64.765％、64.85％、65.08％、65.265％、65.365％、65.565％、65.665％、65.745％、65.915％、65.965％、66.235％、66.295％、66.365％、66.385％、66.465％、66.515％、66.615％、66.665％、66.76％、66.765％、66.855％、66.865％、66.965％、67.085％、67.2％、67.48％、67.765％、67.785％、67.815％、67.945％或68.165％，百分比是指占所述R-T-B系磁体材料的原料组合物总质量的质量百分比；
和/或，所述R-T-B系磁体材料的原料组合物中还包括Cu、Al、Co、Mn、Ni、Zn、Ag、In、Sn、Bi、V、Cr、Ta和W中的一种或多种；
和/或，所述R-T-B系磁体材料的原料组合物中还可包括N，所述N的种类包括Zr、Ti或Nb。


3.如权利要求2所述的原料组合物，其特征在于，所述Cu的含量在3％以下，较佳地为0.1～2.5％，百分比是指占所述R-T-B系磁体材料的原料组合物总质量的质量百分比；
和/或，所述Al的含量在3％以下，较佳地为0.02％、0.03％、0.05％、0.1％、0.5％、1％、1.15％、1.35％、1.5％、2％、2.05％、2.5％或2.9％，百分比是指占所述R-T-B系磁体材料的原料组合物总质量的质量百分比；
和/或，所述Co的含量在2％以下，较佳地为0.3～0.5％，百分比是指占所述R-T-B系磁体材料的原料组合物总质量的质量百分比；
和/或，所述Mn的含量在0.02％以下，较佳地为0.01％或0.02％，百分比是指占所述R-T-B系磁体材料的原料组合物总质量的质量百分比；
和/或，所述Zn的含量在0.05％以下，较佳地为0.03％或0.05％，百分比是指占所述R-T-B系磁体材料的原料组合物总质量的质量百分比；
和/或，所述N的含量在2.5％以下，百分比是指占所述R-T-B系磁体材料的原料组合物总质量的质量百分比；较佳地，当所述N的种类为Zr时，所述Zr的含量在2.5％以下，较佳地为0.25～2.5％，百分比是指占所述R-T-B系磁体材料的原料组合物总质量的质量百分比。


4.如权利要求1-3中任一项所述的原料组合物，其特征在于，所述的R-T-B系磁体材料的原料组合物包括如下含量的组分：R’：29.5～32％，所述R’为稀土元素，所述R’包括Pr；其中，所述Pr：≥8.85％；Ga：1.05％～2.5不包括1.05；B：0.9～1.2％；Fe：59～69％；其中，所述R’较佳地还包括Nd；所述Nd和所述R’的质量比较佳地在0.72以下，更佳地为0.09～0.7；所述Pr的含量较佳地为8.85～27.15％，百分比为各组分占所述R-T-B系磁体材料的原料组合物总质量的质量百分比；
或者，所述的R-T-B系磁体材料的原料组合物包括如下含量的组分：R’：29.5～32％，所述R’为稀土元素，所述R’包括Pr；其中，所述Pr：≥8.85％；Ga：1.05～2.5％不包括1.05；Cu<3％；Al<3％；B：0.9～1.2％；Fe：59～69％；百分比是指占所述R-T-B系磁体材料的原料组合物总质量的质量百分比；
或者，所述的R-T-B系磁体材料的原料组合物包括如下含量的组分：R’：29.5～32％，所述R’为稀土元素，所述R’包括Pr；其中，所述Pr：...

【专利技术属性】
技术研发人员：付刚，陈大崑，黄佳莹，黄清芳，许德钦，
申请(专利权)人：厦门钨业股份有限公司，福建省长汀金龙稀土有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35