R-T-B系磁体材料、原料组合物及制备方法和应用技术

本发明专利技术公开了R‑T‑B系磁体材料、原料组合物及制备方法和应用。该R‑T‑B系磁体材料的原料组合物，以质量百分比计，包括如下含量的组分：R’：29.5～32％，所述R’为稀土元素，所述R’包括Pr；其中，所述Pr：≥17.15％；Cu：>1.3％；B：0.9～1.2％；Fe：61～68％，百分比是指占所述R‑T‑B系磁体材料的原料组合物总质量的质量百分比。本发明专利技术的R‑T‑B系磁体材料使用了较高含量的Pr结合较高含量的Cu的配方，可使得R‑T‑B系磁体材料在显著提升矫顽力的同时还可维持较高的剩磁。

R-T-B system magnet material, raw material composition, preparation method and Application

【技术实现步骤摘要】
R-T-B系磁体材料、原料组合物及制备方法和应用
本专利技术涉及R-T-B系磁体材料、原料组合物及制备方法和应用。
技术介绍
以Nd2Fe14B为主要成分的R-T-B系(NdFeB)磁体材料，具有较高的剩磁、矫顽力和最大磁能积，综合磁性能优良，应用在风力发电、新能源汽车、变频家电等方面。目前现有技术中的R-T-B系磁体材料的稀土成分通常以钕为主，只存在少量的Pr，虽然已报道了将Pr替换一部分的钕可提高磁体材料的性能，但提高的程度有限。例如，目前已报道的中国专利文献CN104979062A公开的R-T-B系磁体材料的配方如下：25～31wt％的镨、0～5wt％的钕、0.12wt％的镓、0.97～1％的硼以及其他添加元素。该配方中添加了较高含量的镨，但是矫顽力最高只能达到18kOe。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于克服了现有技术中R-T-B系磁体材料中将钕用部分Pr替代之后，矫顽力提升的程度有限的缺陷，而提供了一种R-T-B系磁体材料、原料组合物及制备方法和应用。本专利技术的R-T-B系磁体材料使用了较高含量的P本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种R-T-B系磁体材料的原料组合物，其特征在于，以质量百分比计，其包括如下含量的组分：R’：29.5～32％，所述R’为稀土元素，所述R’包括Pr；/n其中，所述Pr：≥17.15％；/nCu：>1.3％；/nB：0.9～1.2％；/nFe：61～68％，百分比是指占所述R-T-B系磁体材料的原料组合物总质量的质量百分比。/n

【技术特征摘要】
1.一种R-T-B系磁体材料的原料组合物，其特征在于，以质量百分比计，其包括如下含量的组分：R’：29.5～32％，所述R’为稀土元素，所述R’包括Pr；
其中，所述Pr：≥17.15％；
Cu：>1.3％；
B：0.9～1.2％；
Fe：61～68％，百分比是指占所述R-T-B系磁体材料的原料组合物总质量的质量百分比。


2.如权利要求1所述的原料组合物，其特征在于，所述R’的含量为29.65～31.65％，较佳地为29.65％、30.15％、30.3％、30.35％、30.65％、31.15％、31.35％或31.65％，百分比是指占所述R-T-B系磁体材料的原料组合物总质量的质量百分比；
和/或，所述Pr的含量为17.15～28.15％，较佳地为17.15％、18.15％、19.15％、20.15％、20.85％、21.15％、22.15％、22.85％、23.15％、24.15％、25.15％、25.85％、26.15％或28.15％，百分比是指占所述R-T-B系磁体材料的原料组合物总质量的质量百分比；
和/或，所述R’还包括Nd；较佳地，所述Nd与所述R’的质量比小于0.5，较佳地为0.08～0.45；更佳地，所述Nd的含量在15％以下，较佳地为2.5～14.5％，更佳地为2.5％、3.5％、4.5％、5.5％、6.5％、7.5％、8.5％、9.5％、10％、10.15％、10.5％、11.5％、12％、12.5％、13％、13.5％或14％，百分比是指占所述R-T-B系磁体材料的原料组合物总质量的质量百分比；
和/或，所述R’还包括RH，所述RH为重稀土元素；较佳地，所述RH的种类包括Dy、Tb和Ho中的一种或多种，更佳地包括Dy和/或Tb；较佳地，所述RH占所述R’的质量比＜0.253，较佳地为0.1～1；较佳地，所述RH的含量在2.5％以下，较佳地为0.5～2.5％；较佳地，当所述RH中含有Tb时，所述Tb的含量为0.5～2％；较佳地，当所述RH中含有Dy时，所述Dy的含量为0.5～2％；
和/或，所述Cu的含量为1.3～2.5％，较佳地为1.31％、1.4％、1.5％、1.6％、1.7％、1.8％、1.9％、2％、2.1％、2.2％、2.3％、2.4％或2.5％，百分比是指占所述R-T-B系磁体材料的原料组合物总质量的质量百分比；
和/或，所述B的含量为0.92～1.2％；
和/或，所述Fe的含量为61.8～68％；
和/或，所述R-T-B系磁体材料的原料组合物中还可包括Al、Ga、Co、Mn、Ni、Zn、Ag、In、Sn、Bi、V、Cr、Ta和W中的一种或多种；
和/或，所述R-T-B系磁体材料的原料组合物中还包括N，所述N的种类包括Zr、Ti或Nb。


3.如权利要求2所述的原料组合物，其特征在于，所述Al的含量为0～3％但不为0；较佳地为0～0.03％但不为0，或者0.1～0.5％，或者0.5～3％；百分比是指占所述R-T-B系磁体材料的原料组合物总质量的质量百分比；
和/或，所述Ga的含量小于1％，较佳地为0.1～1％，百分比是指占所述R-T-B系磁体材料的原料组合物总质量的质量百分比；
和/或，所述Co的含量在2％以下，较佳地为0.5～1.5％，百分比是指占所述R-T-B系磁体材料的原料组合物总质量的质量百分比；
和/或，所述Mn的含量在0.05％以下，较佳地为0.02％或0.05％，百分比是指占所述R-T-B系磁体材料的原料组合物总质量的质量百分比；
和/或，所述Zn的含量在0.05％以下，较佳地为0.02％或0.05％，百分比是指占所述R-T-B系磁体材料的原料组合物总质量的质量百分比；
和/或，所述N的含量在2.5％以下，百分比是指占所述R-T-B系磁体材料的原料组合物总质量的质量百分比；优选地，当所述N的种类为Zr时，所述Zr的含量为0.25～1％，百分比是指占所述R-T-B系磁体材料的原料组合物总质量的质量百分比；优选地，当所述N的种类为Ti时，所述Ti的含量为0.3～2.5％，百分比是指占所述R-T-B系磁体材料的原料组合物总质量的质量百分比。


4.如权利要求1-3中任一项所述的原料组合物，其特征在于，所述的R-T-B系磁体材料的原料组合物包括如下含量的组分：R’：29.5～32％，所述R’为稀土元素，所述R’包括Pr；其中，所述Pr：≥17.15％；Cu：1.3～2.5％；Al：0～3％但不为0；B：0.9～1.2％；Fe：61～68％，其中，所述Al的含量较佳地为0.5～3％；百分比是指占所述R-T-B系磁体材料的原料组合物总质量的质量百分比；
或者，所述R-T-B系磁体材料的原料组合物包括如下含量的组分：R’：29.5～32％，所述R’为稀土元素，所述R’包括Pr；其中，所述Pr：≥17.15％；Cu：1.3～2.5％；Al：0～0.03％但不为0；Ga：0.25～1％；B：0.9～1.2％；Fe：61～68％；百分比是指占所述R-T-B系磁体材料的原料组合物总质量的质量百分比；
或者，所述R-T-B系磁体材料的原料组合物包括如下含量的组分：R’：29.5～32％，所述R’为稀土元素，所述R’包括Pr；其中，所述Pr：≥17.15％；Cu：1.3～2.5％；Al：0.1～0.5％；Ti：0.3～2.5％；B：0.9～1.2％；Fe：61～68％；百分比是指占所述R-T-B系磁体材料的原料组合物总质量的质量百分比；
或者，所述R-T-B系磁体材料的原料组合物包括如下含量的组分：R’：29.5～32％，所述R’为稀土元素，所述R’包括Pr；其中，所述Pr：≥17.15％；Cu：1.3～2.5％；Al：0.1～0.5％；Ga：0～0.25％但不为0；B：0.9～1.2％；Fe：61～68％；其中，所述Pr的含量较佳地为17.15～28.15％；所述的R’较佳地还包括Nd；所述Nd的含量较佳地为2.5～14.5％；百分比是指占所述R-T-B系磁体材料的原料组...

【专利技术属性】
技术研发人员：付刚，陈大崑，黄佳莹，黄清芳，许德钦，
申请(专利权)人：厦门钨业股份有限公司，福建省长汀金龙稀土有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35