显示装置及显示装置的制作方法制造方法及图纸

本揭示提供一种显示装置及显示装置的制作方法，所述显示装置包括：阵列基板和微发光二极管器件，所述微发光二极管器件阵列排布于所述阵列基板上，所述微发光二极管器件远离所述阵列基板一侧的表面设有多个向所述微发光二极管器件内部凹陷的微腔结构，通过设置于微发光二极管器件上的量子点膜层填充进微腔结构，将量子点分散到微发光二极管器件表面上的各个微腔结构中，防止量子点的聚集，同时又将量子点限制在微发光二极管器件内部，包含有量子点的多个微腔结构可以增强微发光二极管器件与量子点之间的能量转移效应，减少光致发光过程中产生的光损失，提高光的利用率。

Display device and production method of display device

【技术实现步骤摘要】
显示装置及显示装置的制作方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种显示装置及显示装置的制作方法。
技术介绍
目前，显示技术的发展趋势有大尺寸、超薄、高清、窄边框、和可柔性等。伴随着显示屏幕的需求更多，多种新型显示技术应运而生，尤其是有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode,OLED)、微发光二极管(MicroLED)以及量子点技术，在降低功耗方面具有明显优势，是显示技术的一大发展趋势。但是，采用OLED的显示屏幕容易出现烧屏现象。与OLED相比，MicroLED采用无机半导体作为发光材料，材料的稳定性更好，器件寿命更久，同时可以更薄、更省电，亮度、屏幕相应时间、解析度和显示效果也都要优于OLED。作为一种新技术，MicroLED的工艺难度以及成本都还太高，尤其是转移LED芯片时所需的“巨量转移”技术。实现MicroLED全彩化的方案有两种，一种是将大量的红绿蓝三种颜色的微型LED转移到相应位置；另一种是只转移蓝光LED，红色和绿色像素则采用量子点搭配蓝光LED。后者大大减少了工艺难度，并且解决了红色MicroLED寿命不佳的缺点，并且量子点作为光转换材料，具有制备工艺简单、光谱可调和发光峰窄的优势，可以扩展MicroLED的色域。然而蓝光LED激发量子点材料，在能量转移的过程中，不可避免会存在大量的能量损失，如LED自身波导效应损失，量子点产生的光散射效应等，以及量子点材料自身的自吸收现象，使得光致光发光过程中的光损失过多，导致光的利用率不高。综上所述，现有MicroLED显示装置存在光致发光过程中光损失过多导致光利用率不高的问题。故，有必要提供一种显示装置及显示装置的制作方法来改善这一缺陷。
技术实现思路
本揭示实施例提供一种显示装置及显示装置的制作方法，用于解决现有MicroLED显示装置存在光致发光过程中光损失过多导致光利用率不高的问题。本揭示实施例提供一种显示装置，包括：阵列基板；微发光二极管器件，阵列排布于所述阵列基板上，所述微发光二极管器件远离所述阵列基板一侧的表面设有多个向所述微发光二极管器件内部凹陷的微腔结构；以及量子点膜层，设置于所述微发光二极管器件远离所述阵列基板的一侧上，并填充所述微腔结构。根据本揭示一实施例，所述微腔结构的底面形状包括矩形、圆形或椭圆形，多个所述微腔结构在所述微发光二极管器件远离所述阵列基板一侧的表面连续排布。根据本揭示一实施例，所述微发光二极管器件包括蓝色微发光二极管器件，所述量子点膜层包括红色量子点膜层和绿色量子点膜层。根据本揭示一实施例，所述量子点膜层的材料包括含有量子点的光固化性材料。根据本揭示一实施例，相邻所述微发光二极管器件之间设有第一挡墙，所述第一挡墙将相邻的所述微发光二极管器件以及相邻的所述量子点膜层隔开。根据本揭示一实施例，所述第一挡墙在垂直于所述阵列基板的方向上的高度大于所述微发光二极管器件的高度。根据本揭示一实施例，所述显示装置还包括与所述阵列基板相对设置的第二基板，所述第二基板靠近所述阵列基板的一侧设有彩色滤光层，所述彩色滤光层包括多个与所述微发光二极管以及所述量子点膜层一一对应的色阻。根据本揭示一实施例，所述玻璃基板靠近所述阵列基板一侧还设有第二挡墙，所述第二挡墙设置于相邻所述色阻之间。本揭示实施例提供一种显示装置的制作方法，包括：提供发光二极管基板，包括基底和位于所述基底上的发光二极管膜层，在所述发光二极管膜层表面上涂布压印胶；将压印模具压入所述压印胶，紫外线固化后，取出所述压印模具，形成压印层；刻蚀去除所述压印层，在所述发光二极管膜层表面上形成压印胶图案；对所述发光二极管膜层远离所述基底一侧表面进行刻蚀，形成多个间隔排布并向所述发光二极管膜层内部凹陷的微腔结构；去除位于所述发光二极管膜层表面的所述压印胶图案；以及将所述发光二极管基板切割形成单个的微发光二极管器件。根据本揭示一实施例，所述制作方法还包括：提供衬底基板，在所述衬底基板上形成薄膜晶体管驱动阵列；在所述衬底基板上涂布黑色光阻，覆盖掩膜板，紫外线固化后，去除残余光阻材料，形成图案化的第一挡墙；以及将所述微发光二极管器件转移至所述衬底基板上。本揭示实施例的有益效果：本揭示实施例通过在微发光二极管器件远离阵列基板一侧的表面设置多个向微发光二极管器件内部凹陷的微腔结构，并通过设置于微发光二极管器件上的量子点膜层填充进微腔结构，将量子点分散到微发光二极管器件表面上的各个微腔结构中，防止量子点的聚集，同时又将量子点限制在微发光二极管器件内部，包含有量子点的多个微腔结构可以增强微发光二极管器件与量子点之间的能量转移效应，减少光致发光过程中产生的光损失，提高光的利用率。附图说明为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是揭示的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本揭示实施例一提供的显示装置的截面结构示意图；图2为本揭示实施例二提供的显示装置的截面结构示意图；图3A为本揭示实施例三提供的发光二极管基板的结构示意图；图3B为本揭示实施例三提供的发光二极管基板的结构示意图；图3C为本揭示实施例三提供的发光二极管基板的结构示意图；图3D为本揭示实施例三提供的发光二极管基板的结构示意图；图3E为本揭示实施例三提供的发光二极管基板的结构示意图；图3F为本揭示实施例三提供的微发光二极管器件的结构示意图；图4A为本揭示实施例三提供的阵列基板的结构示意图；图4B为本揭示实施例三提供的阵列基板的结构示意图；图4C为本揭示实施例三提供的阵列基板的结构示意图；图4D为本揭示实施例三提供的阵列基板的结构示意图。具体实施方式以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本揭示可用以实施的特定实施例。本揭示所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本揭示，而非用以限制本揭示。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。下面结合附图和具体实施例对本揭示做进一步的说明。实施例一：本揭示实施例提供一种显示装置，下面结合图1进行详细说明。如图1所示，图1为本揭示实施例提供的显示装置100的截面结构示意图，所述显示装置100包括阵列基板110、微发光二极管器件120以及量子点膜层。所述阵列基板110上设有像素驱动电路(图中未示出)，所述微发光二极管器件120阵列排布于所述阵列基板110上，所述微发光二极管器件120远离所述阵列基板110一侧的表面设有多个向所述微发光二极管器件12本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示装置，其特征在于，包括：/n阵列基板；/n微发光二极管器件，阵列排布于所述阵列基板上，所述微发光二极管器件远离所述阵列基板一侧的表面设有多个向所述微发光二极管器件内部凹陷的微腔结构；以及/n量子点膜层，设置于所述微发光二极管器件远离所述阵列基板的一侧上，并填充所述微腔结构。/n

【技术特征摘要】
1.一种显示装置，其特征在于，包括：
阵列基板；
微发光二极管器件，阵列排布于所述阵列基板上，所述微发光二极管器件远离所述阵列基板一侧的表面设有多个向所述微发光二极管器件内部凹陷的微腔结构；以及
量子点膜层，设置于所述微发光二极管器件远离所述阵列基板的一侧上，并填充所述微腔结构。


2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述微腔结构的底面形状包括矩形、圆形或椭圆形，多个所述微腔结构在所述微发光二极管器件远离所述阵列基板一侧的表面连续排布。


3.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述微发光二极管器件包括蓝色微发光二极管器件，所述量子点膜层包括红色量子点膜层和绿色量子点膜层。


4.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述量子点膜层的材料包括含有量子点的光固化性材料。


5.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，相邻所述微发光二极管器件之间设有第一挡墙，所述第一挡墙将相邻的所述微发光二极管器件以及相邻的所述量子点膜层隔开。


6.如权利要求5所述的显示装置，其特征在于，所述第一挡墙在垂直于所述阵列基板的方向上的高度大于所述微发光二极管器件的高度。


7.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括与...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡智萍，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44