一种旋转溅射靶材及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种旋转溅射靶材及其制备方法，包括如下过程：将镍铜锑三种金属熔炼铸锭，然后剥皮检测探伤，将合格铸锭先热锻再冷锻为原棒；将棒料再剥皮车光，然后穿孔、扩孔，将扩好孔的棒材通过挤型机挤压成胚管；对挤型好的胚管进行若干次拉拔操作，最后通过真空淬火，得到旋转溅射靶材。本发明专利技术提供的旋转溅射靶材及其制备方法，简化工艺流程，开发出的旋转型镍铜锑靶材具有高纯净度，晶粒度也比平面靶材更小更均匀，溅射时靶材利用率可达85%，进而减少电子元器件镀膜过程中相同产量产出下换靶的时间和次数，为电子元器件厂家大幅降低原料成本，节约换靶和保养时间，提高工作效率。

A rotating sputtering target and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
一种旋转溅射靶材及其制备方法
本专利技术涉及一种旋转溅射靶材及其制备方法，属于半导体薄膜制备

技术介绍
电子元器件中的电容、电阻，传感器被大量应用于电子集成电路中；传统方式采用电镀及刷镀方式成为厚膜层，该方式效率低，成本高，生产过程中使用大量有机试剂作为催化剂或溶剂，污染严重；随着环保要求和环保成本提高，传统电刷镀工艺逐渐被淘汰。目前，国内外主流工艺采用物理真空溅镀PVD方式，该方式污染小，效率高，品质稳定。近几年，随着新材料的不断更新改善，镍铜锑合金被大量使用在被动元器件的电容、侧导电阻等领域，由于该靶材通常以平面靶材为设计方案，靶材材料在溅射中使用率只能达到30%左右，利用率较低，相对电子元器件使用量成几何倍数增长，不断压缩降低价格，降低制造成本成为元器件厂家的当务之急。
技术实现思路
目的：为了解决现有技术中靶材利用率低、成本高等问题，本专利技术提供一种旋转溅射靶材及其制备方法。技术方案：为解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案为：一种旋转溅射靶材的制备方法，包括如下过程：将镍铜锑本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种旋转溅射靶材的制备方法，其特征在于：包括如下过程：/n将镍铜锑三种金属熔炼铸锭，然后剥皮检测探伤，将合格铸锭先热锻再冷锻为原棒；将棒料再剥皮，表面车光，然后穿孔、扩孔，将扩好孔的棒材通过挤型机挤压成胚管；对挤型好的胚管进行若干次拉拔操作，最后通过真空淬火，得到旋转溅射靶材。/n

【技术特征摘要】
1.一种旋转溅射靶材的制备方法，其特征在于：包括如下过程：
将镍铜锑三种金属熔炼铸锭，然后剥皮检测探伤，将合格铸锭先热锻再冷锻为原棒；将棒料再剥皮，表面车光，然后穿孔、扩孔，将扩好孔的棒材通过挤型机挤压成胚管；对挤型好的胚管进行若干次拉拔操作，最后通过真空淬火，得到旋转溅射靶材。


2.根据权利要求1所述的一种旋转溅射靶材的制备方法，其特征在于：所述镍铜锑三种金属的质量分数为：镍65%，铜、锑共35%。


3.根据权利要求1所述的一种旋转溅射靶材的制备方...

【专利技术属性】
技术研发人员：周其刚，
申请(专利权)人：南京欧美达应用材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32