一种TFT-LCD玻璃基板窑炉电极砖推进方法技术

本发明专利技术提供一种TFT‑LCD玻璃基板窑炉电极砖推进方法，包括以下步骤：推进准备，包括推进的绝缘处理和对推进工况的测量与确认；对推进电极砖及砖缝的保温处理；旋转推进螺杆采用绝缘推进方式逐个推进电极砖；推进完成后，进行安全排查后逐步实现生产恢复。本发明专利技术在不对氧化锡电极砖断电的情况下，对氧化锡电极砖进行推进作业，通过对推进过程进行绝缘控制与推进参数控制，保证了推进过程电极砖及推进环境的安全性与准确性；和断电推进氧化锡电极砖相比，本发明专利技术不会产生玻璃缺陷而减少产量影响正常生产，同时多重绝缘和安全措施保障推进时的人身安全，完全满足正常生产要求，同时能够延长TFT‑LCD无碱硅铝硼玻璃窑炉的使用寿命。

A pushing method of electrode brick for TFT-LCD glass substrate kiln

【技术实现步骤摘要】
一种TFT-LCD玻璃基板窑炉电极砖推进方法
本专利技术涉及玻璃生产领域，尤其涉及一种TFT-LCD玻璃基板窑炉电极砖推进方法。
技术介绍
溢流法生产TFT-LCD无碱硅铝硼玻璃的窑炉使用天然气和氧化锡电极砖共同对玻璃液进行加热，窑炉中玻璃液的温度在1600℃以上，长期侵蚀着氧化锡电极砖。因此，在窑炉点火升温后运行两年左右时间，为进行安全生产和延长窑炉使用寿命，需对氧化锡电极砖进行推进作业，且在后续生产中还会推进氧化锡电极砖。目前均采用先对氧化锡电极砖断电，再进行推进的作业方法。此种方法推进氧化锡电极砖，将导致窑炉底部温度下降50℃左右，在大概4个小时后每张玻璃板面上将出现高达30个左右的大气泡，且这种影响持续时间长达12个小时左右，给正常生产造成严重影响，大大增加公司运营成本。因此，寻求一种安全有效不影响正常生产的氧化锡电极砖的推进方法对TFT-LCD无碱硅铝硼玻璃的窑炉具有深远的意义。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是：针对上述存在的问题，提供一种TFT-LCD玻璃基板窑炉电极砖推进方法，可以在不对氧本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种TFT-LCD玻璃基板窑炉电极砖推进方法，其特征在于，包括以下步骤模块：/n推进准备，包括推进绝缘处理和对推进工况的测量与确认；/n保温处理，对推进电极砖及砖缝的保温处理；/n电极推进，在确保电极砖保温达到一定程度后，采用绝缘推进方式按设定距离逐个推进电极砖，并保证电极砖推进距离一致，在推进过程中对电极砖持续保温；/n推进后排查与恢复，所有电极推进完成后，及时测量窑炉绝缘是否正常，确保使用条件正常，并恢复至工作工况。/n

【技术特征摘要】
1.一种TFT-LCD玻璃基板窑炉电极砖推进方法，其特征在于，包括以下步骤模块：
推进准备，包括推进绝缘处理和对推进工况的测量与确认；
保温处理，对推进电极砖及砖缝的保温处理；
电极推进，在确保电极砖保温达到一定程度后，采用绝缘推进方式按设定距离逐个推进电极砖，并保证电极砖推进距离一致，在推进过程中对电极砖持续保温；
推进后排查与恢复，所有电极推进完成后，及时测量窑炉绝缘是否正常，确保使用条件正常，并恢复至工作工况。


2.根据权利要求1所述的TFT-LCD玻璃基板窑炉电极砖推进方法，其特征在于，所述绝缘处理包括地面、电极砖外侧水冷板和推进工具的绝缘处理。


3.根据权利要求1所述的TFT-LCD玻璃基板窑炉电极砖推进方法，其特征在于，推进前，测量电极砖外侧的水冷板四个角落到池壁砖的距离，确认电极砖四周的池壁冷却风管关闭，维持包括总风压和炉压在内的工艺参数稳定，推进时通过转动水冷板的推进螺杆实现电极砖的推进。


4.根据权利要求1所述的TFT-LCD玻璃基板窑炉电极砖推进方法，其特征在于，对待推进的电极砖与池壁两侧砖缝、过桥砖缝进行保温处理。


5.根据权利要求4所述的TFT-LCD玻璃基板窑炉电极砖推进方法，其特征在于，保温控制推进温度不低于800℃。


6....

【专利技术属性】
技术研发人员：彭寿，李兆廷，任红灿，陈英，王国全，邵廷荣，段美胜，郑小华，
申请(专利权)人：成都中光电科技有限公司，东旭集团有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51