【技术实现步骤摘要】
一种多电平可级联的IGBT模块
本技术属于半导体
,具体涉及一种多电平可级联的IGBT模块。
技术介绍
IGBT模块,绝缘栅双极型晶体管,是由BJT和MOS组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点,GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小,IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。大多数功率半导体的早期故障是由于错误的安装造成的,错误的安装导致的机械损伤会损害外壳的抗潮性或使半导体芯片破裂,造成过高的结温,导致器件寿命缩短,正确的安装可以有效地降低器件结温,提高可靠性,但目前的IGBT模块在安装过程中,存在安装不方便,安装环境不适宜等各种问题,因此亟需提供一种多电平可级联的IGBT模块,解决上述提出的问题。
技术实现思路
为解决上述
技术介绍
中提出的问题。本技术提供了一种多电平可级联的IGBT模块,具有安装方便,散热性能好等特点。为实现上述目的, ...
【技术保护点】
1.一种多电平可级联的IGBT模块,包括保护外壳(1)和安装外壳(2),其特征在于:所述保护外壳(1)的内侧壁开设有滑道(3),所述滑道(3)的内部活动连接有滑动卡块(4),所述滑动卡块(4)的外表面固定连接有安装外壳(2),所述安装外壳(2)的内底壁开设有排风槽(5),所述排风槽(5)的数量为四个,四个所述排风槽(5)的内侧壁均固定连接有排气支架(6),所述排气支架(6)的外表面固定连接有排气扇(7),所述保护外壳(1)的内底壁开设有排气孔(8)。/n
【技术特征摘要】
1.一种多电平可级联的IGBT模块,包括保护外壳(1)和安装外壳(2),其特征在于:所述保护外壳(1)的内侧壁开设有滑道(3),所述滑道(3)的内部活动连接有滑动卡块(4),所述滑动卡块(4)的外表面固定连接有安装外壳(2),所述安装外壳(2)的内底壁开设有排风槽(5),所述排风槽(5)的数量为四个,四个所述排风槽(5)的内侧壁均固定连接有排气支架(6),所述排气支架(6)的外表面固定连接有排气扇(7),所述保护外壳(1)的内底壁开设有排气孔(8)。
2.根据权利要求1所述的一种多电平可级联的IGBT模块,其特征在于:所述安装外壳(2)的内底壁固定连接有支撑杆(9),所述支撑杆(9)的上表面和安装外壳(2)的内侧壁均固定连接有支撑板(10)。
3.根据权利要求2所述的一种多电平可级联的IGBT模块,其特征在于:所述支撑板(10)的上表面固定连接有防护垫(11),所述防护垫(11)的上表面活动连接有模块树脂外壳(12)。
4.根据权利要求3所...
【专利技术属性】
技术研发人员:朱曙光,杨凌风,嵇志强,
申请(专利权)人:南京相量电气有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏;32
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