一种高电流密度晶体管驱动电路制造技术

本实用新型专利技术涉及一种高电流密度晶体管驱动电路，包括信号隔离电路、RC滤波电路、信号放大电路和IGBT，所述信号隔离电路的输出端与RC滤波电路相接，信号隔离电路的输入端与PWM端口相接，滤波电路的输出端与信号放大电路相接，信号放大电路的输出端与IGBT相接。上述的高电流密度晶体管驱动电路，滤波电路而得到一个同频的正弦波传输，信号放大电路进行信号放大处理，从而获取更大的幅值的正弦波，以便去驱动，用电阻分压的方式控制三极管V1的开通与断开，三极管V1的开通与断开来控制实现驱动，所以在三极管V1开通过程中开通电阻所并联的接入部分是放大后的正弦波值，这样就使晶体管在开通过程中，使上升过程更加柔和，保持了晶体管的高电流密度。

A high current density transistor driving circuit

【技术实现步骤摘要】
一种高电流密度晶体管驱动电路
本技术涉及一种晶体管，尤其是一种高电流密度晶体管驱动电路。
技术介绍
在开关电源电路中，晶体管通常都是由驱动电路来控制其开关的。好的驱动电路不但能使晶体管在复杂的电磁环境中可靠地工作，而且在成本上也具有竞争优势，晶体管的开通过程其实是两端电压下降，根据I导通原理，一般是电流先上升到最大值后，电压才开始下降，因此在这个过程中产生了电压与电流的重叠，此重叠时间越长，耗损越大，需要能够对晶体管驱动的电路，同时电路保持在高密度下。
技术实现思路
鉴于上述状况，有必要提供一种高电流密度晶体管驱动电路。一种高电流密度晶体管驱动电路，包括信号隔离电路、RC滤波电路、信号放大电路和IGBT，所述信号隔离电路的输出端与RC滤波电路相接，信号隔离电路的输入端与PWM端口相接，滤波电路的输出端与信号放大电路相接，信号放大电路的输出端与IGBT相接。优选的，信号隔离电路中的芯片U1引脚1和串联电阻R1引脚2接控制输出的PWM两端，芯片U1的引脚3串联二极管D1。优选的，滤波电路中的电阻R2一端与二极本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高电流密度晶体管驱动电路，包括信号隔离电路(1)、RC滤波电路(2)、信号放大电路(3)和IGBT(4)，其特征在于：所述信号隔离电路(1)的输出端与RC滤波电路(2)相接，信号隔离电路(1)的输入端与PWM端口相接，滤波电路(2)的输出端与信号放大电路(3)相接，信号放大电路(3)的输出端与IGBT(4)相接。/n

【技术特征摘要】
1.一种高电流密度晶体管驱动电路，包括信号隔离电路(1)、RC滤波电路(2)、信号放大电路(3)和IGBT(4)，其特征在于：所述信号隔离电路(1)的输出端与RC滤波电路(2)相接，信号隔离电路(1)的输入端与PWM端口相接，滤波电路(2)的输出端与信号放大电路(3)相接，信号放大电路(3)的输出端与IGBT(4)相接。


2.如权利要求1所述一种高电流密度晶体管驱动电路，其特征在于：信号隔离电路(1)中的芯片U1引脚1和串联电阻R1引脚2接控制输出的PWM两端，芯片U1的引脚3串联二极管D1。


3.如权利要求1所述一种高电流密度晶体管驱动电路，其特征在于：滤波电路(2)中的电阻R2一端与二极管D1的负极相接，电阻R2另一端并联电容C3、稳压二极管D2和电阻R4，电容C3、稳压二极管D2和电阻R5的另一端与信号隔离电路(1)的芯片U1引脚4相接，电阻R4...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡婷，曹爱美，郭薛健，谢凯凯，
申请(专利权)人：深圳市豪林电子有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44