一种具有自散热结构的耐高压IGBT功率装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种具有自散热结构的耐高压IGBT功率装置，包括基板，所述基板的正面开设有凹槽，所述凹槽的内壁固定连接有IGBT芯片，所述基板的正面固定连接有固定条，所述固定条的正面开设有收纳槽，所述基板的侧面固定连接有转轴，所述转轴的表面固定连接有盖板，所述盖板的一侧固定连接有伸缩管。该具有自散热结构的耐高压IGBT功率装置，通过设置转轴和盖板，便于保护IGBT芯片，通过设置固定条、支撑竖条和支撑横条，便于支撑盖板，给IGBT芯片留点散热空间，通过设置伸缩管、方槽、圆孔、曲线管和通风孔，便于气流经过伸缩管和曲线管进入到盖板与基板之间，方便IGBT芯片散热，从而达到耐高压的IGBT功率装置具有散热的效果。

A high voltage resistant IGBT power device with self cooling structure

【技术实现步骤摘要】
一种具有自散热结构的耐高压IGBT功率装置
本技术涉及高压IGBT功率
，具体为一种具有自散热结构的耐高压IGBT功率装置。
技术介绍
IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。目前的耐高压IGBT功率芯片在工作时容易产生大量的热量，目前的散热装置散热量比较小，导致热量集中，容易影响IGBT芯片的正常运行和使用寿命。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种具有自散热结构的耐高压IGBT功率装置，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种具有自散热结构的耐高压IGBT功率装置，包括基板，所述基板的正面开设有凹槽，所述凹槽的内壁固定连接有IGBT芯片，所述基板的正面固定连接有固定条，所述固定条的正面开设有收纳槽，所述基板的侧面固定连接有转轴，所述转轴的表面固定连接有盖板，所述盖板的一侧固定连接有伸缩管，所述盖板的另一侧分别固定连接有支撑竖条和支撑横条，所述支撑横条的表面开设有出气槽，所述盖板的另一侧开设有方槽，所述方槽的内壁开设有圆孔，所述圆孔的内壁固定连接有曲线管，所述曲线管的侧面开设有通风孔。优选的，所述固定条正面的收纳槽与盖板侧面的支撑竖条相适配。优选的，所述伸缩管的出气端与曲线管的一端固定连接，且伸缩管和曲线管的数量均为两个。优选的，所述曲线管的侧面开设有若干个通风孔，且曲线管覆盖的面积与IGBT芯片的面积相同。优选的，所述支撑横条通过盖板和转轴翻转与基板的正面边缘处搭接。优选的，所述固定条和支撑竖条的数量均为三个，三个所述固定条和支撑竖条等距离分别设置在基板的正面和盖板的侧面上。有益效果本技术提供了一种具有自散热结构的耐高压IGBT功率装置，该具有自散热结构的耐高压IGBT功率装置，通过设置转轴和盖板，便于保护IGBT芯片，通过设置固定条、支撑竖条和支撑横条，便于支撑盖板，给IGBT芯片留点散热空间，通过设置伸缩管、方槽、圆孔、曲线管和通风孔，便于气流经过伸缩管和曲线管进入到盖板与基板之间，方便IGBT芯片散热，从而达到耐高压的IGBT功率装置具有散热的效果。附图说明图1为本技术结构正视示意图；图2为本技术结构仰剖示意图；图3为本技术结构侧视示意图。图中：1基板、2凹槽、3LGBT芯片、4固定条、5收纳槽、6转轴、7盖板、8伸缩管、9支撑竖条、10支撑横条、11出气槽、12方槽、13圆孔、14曲线管、15通风孔。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图1-3，本技术提供一种技术方案：一种具有自散热结构的耐高压IGBT功率装置，包括基板1，基板1的正面开设有凹槽2，凹槽2的内壁固定连接有IGBT芯片3，基板1的正面固定连接有固定条4，固定条4的正面开设有收纳槽5，基板1的侧面固定连接有转轴6，转轴6的表面固定连接有盖板7，盖板7的一侧固定连接有伸缩管8，盖板7的另一侧分别固定连接有支撑竖条9和支撑横条10，固定条4和支撑竖条9的数量均为三个，三个固定条4和支撑竖条9等距离分别设置在基板1的正面和盖板7的侧面上，支撑横条10通过盖板7和转轴6翻转与基板1的正面边缘处搭接，固定条4正面的收纳槽5与盖板7侧面的支撑竖条9相适配，支撑横条10的表面开设有出气槽11，盖板7的另一侧开设有方槽12，方槽12的内壁开设有圆孔13，圆孔13的内壁固定连接有曲线管14，伸缩管8的出气端与曲线管14的一端固定连接，且伸缩管8和曲线管14的数量均为两个，曲线管14的侧面开设有通风孔15，曲线管14的侧面开设有若干个通风孔15，且曲线管14覆盖的面积与IGBT芯片3的面积相同。工作原理：在使用具有自散热结构的耐高压IGBT功率装置时，通过把耐高压IGBT功率的芯片焊锡在基板1上，并使盖板7通过转轴6翻转盖在基板1上，并固定盖板7和基板1，启动小型气泵，使气流经过伸缩管8进入到曲线管14内，并经过曲线管14侧面的通风孔15喷射在IGBT芯片3的表面上，气流带动热气经过支撑横条10表面上的出气槽11散发出装置外部，从而达到耐高压的IGBT功率装置具有散热的效果。尽管已经示出和描述了本技术的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本技术的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本技术的范围由所附权利要求及其等同物限定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有自散热结构的耐高压IGBT功率装置，包括基板(1)，其特征在于：所述基板(1)的正面开设有凹槽(2)，所述凹槽(2)的内壁固定连接有IGBT芯片(3)，所述基板(1)的正面固定连接有固定条(4)，所述固定条(4)的正面开设有收纳槽(5)，所述基板(1)的侧面固定连接有转轴(6)，所述转轴(6)的表面固定连接有盖板(7)，所述盖板(7)的一侧固定连接有伸缩管(8)，所述盖板(7)的另一侧分别固定连接有支撑竖条(9)和支撑横条(10)，所述支撑横条(10)的表面开设有出气槽(11)，所述盖板(7)的另一侧开设有方槽(12)，所述方槽(12)的内壁开设有圆孔(13)，所述圆孔(13)的内壁固定连接有曲线管(14)，所述曲线管(14)的侧面开设有通风孔(15)。/n

【技术特征摘要】
1.一种具有自散热结构的耐高压IGBT功率装置，包括基板(1)，其特征在于：所述基板(1)的正面开设有凹槽(2)，所述凹槽(2)的内壁固定连接有IGBT芯片(3)，所述基板(1)的正面固定连接有固定条(4)，所述固定条(4)的正面开设有收纳槽(5)，所述基板(1)的侧面固定连接有转轴(6)，所述转轴(6)的表面固定连接有盖板(7)，所述盖板(7)的一侧固定连接有伸缩管(8)，所述盖板(7)的另一侧分别固定连接有支撑竖条(9)和支撑横条(10)，所述支撑横条(10)的表面开设有出气槽(11)，所述盖板(7)的另一侧开设有方槽(12)，所述方槽(12)的内壁开设有圆孔(13)，所述圆孔(13)的内壁固定连接有曲线管(14)，所述曲线管(14)的侧面开设有通风孔(15)。


2.根据权利要求1所述的一种具有自散热结构的耐高压IGBT功率装置，其特征在于：所述固定条(4)正面的收纳槽(5)与盖板(7)侧面的支撑竖条(9)相适...

【专利技术属性】
技术研发人员：尚娟，马宁，
申请(专利权)人：上海溥灵能源科技有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31