焊盘结构及半导体器件制造技术

本实用新型专利技术涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种焊盘结构及半导体器件。所述焊盘结构包括：焊盘本体，包括相对分布的上表面和下表面，所述下表面用于与芯片的内部电路电连接；沟槽，自所述上表面向所述焊盘本体的内部延伸，将所述焊盘本体分隔为测试区域和焊接区域，且所述沟槽的深度小于所述焊盘本体的厚度。本实用新型专利技术避免了因探针测试而导致的封装连线易失败的问题，避免了在所述测试区域与所述焊接区域之间产生较大的电阻，也避免了外界环境对芯片的损伤，进一步提高了半导体器件的性能稳定性。

【技术实现步骤摘要】
焊盘结构及半导体器件
本技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种焊盘结构及半导体器件。
技术介绍
在动态随机存储器(DynamicRandomAccessMemory，DRAM)等半导体器件的后段封装制程中，通常需要在半导体芯片表面形成焊盘结构，用于进行探针测试和与封装连线(bonding)。然而，当前在进行探针测试的过程中，由于探针与焊盘结构的接触，会导致焊盘结构表面的刮伤或者在焊盘结构表面引入微尘，导致在后续进行封装连线时，容易拉扯金属线路进而导致打线脱落，影响半导体器件的良率，甚至是导致半导体器件的报废。因此，如何减小探针测试对封装连线的影响，改善半导体器件的良率，是目前亟待解决的技术问题。
技术实现思路
本技术提供一种焊盘结构及半导体器件，用于解决现有的半导体器件在封装制程中易出现与外部连线连接失败的问题，以改善半导体器件的良率，提高半导体器件的性能稳定性。为了解决上述问题，本技术提供了一种焊盘结构，包括：焊盘本体，包括相对分布的上表面和下表面，所述下表面用于与芯片的内部电路电连接；沟槽，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种焊盘结构，其特征在于，包括：/n焊盘本体，包括相对分布的上表面和下表面，所述下表面用于与芯片的内部电路电连接；/n沟槽，自所述上表面向所述焊盘本体的内部延伸，将所述焊盘本体分隔为测试区域和焊接区域，且所述沟槽的深度小于所述焊盘本体的厚度。/n

【技术特征摘要】
1.一种焊盘结构，其特征在于，包括：
焊盘本体，包括相对分布的上表面和下表面，所述下表面用于与芯片的内部电路电连接；
沟槽，自所述上表面向所述焊盘本体的内部延伸，将所述焊盘本体分隔为测试区域和焊接区域，且所述沟槽的深度小于所述焊盘本体的厚度。


2.根据权利要求1所述的焊盘结构，其特征在于，所述沟槽的深度为100nm～2μm。


3.根据权利要求1所述的焊盘结构，其特征在于，所述沟槽沿平行于所述上表面方向的截面形状为矩形、圆形或者椭圆形。


4.根据权利要求1所述的焊盘结构，其特征在于，在所述上表面上，所述沟槽沿第一方向延伸的长度为30...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴秉桓，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34