一种增强型离子源制造技术

本实用新型专利技术涉及一种增强型离子源，属于离子源的技术领域；所述离子源腔室沿工作气体流动方向依次设置有气体入口、气体均布室、气体出口、电离室与离子射出口；所述电离室用于工作气体的电离；所述气体均布室用于工作气体的流速降低和均匀分布。本实用新型专利技术设有用于工作气体降低流速、均匀分布的气体均布室，流速进一步的变得缓慢，当为多种工作气体的混合时，也是可以将工作气体更加均匀的混合，在对工作气体进行电离时，测其离子射出口的电流，其远远高于未设置气体均布室时的数据，本实用新型专利技术的离子源具有较高的离化效率。

An enhanced ion source

【技术实现步骤摘要】
一种增强型离子源
本技术涉及一种离子源，具体是涉及一种增强型离子源。
技术介绍
离子源用于真空镀膜过程中基体的离子轰击、离子注入及物理气相沉积反应。离子源的电离度高低和稳定性能够影响薄膜的生长、薄膜结构的优化，镀膜的一致性和重复性。离子源常使用的工作气体为氩气、氮气、乙炔、甲烷等，现有的阳极离子源对工作气体的电离效率较低，面积小，影响整个镀膜设备的镀膜效率和膜层的质量。
技术实现思路
为了解决现有技术中存在的技术问题，本技术提供一种增强型离子源。为了实现本技术的目的，本技术采用了以下技术方案：一种增强型离子源，包括离子源腔室，所述离子源腔室内设置有阳极、磁场产生部件、用于工作气体电离的电离室及用于工作气体降低流速、均匀分布的气体均布室；远离气体均布室一侧的所述离子源腔室的室壁上还设置有用于离子射出的离子射出口、与阳极平行设置的阴极；所述离子射出口设置在阴极的避让处；所述气体均布室上分别开设有用于工作气体进入、流出气体均布室的气体入口、气体出口；所述气体均布室通过气体出口与电离室导通连接；所述磁场产生部件设置方向与电场产生本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种增强型离子源，包括离子源腔室(1)，其特征在于：所述离子源腔室(1)沿工作气体流动方向依次设置有气体入口(41)、气体均布室(4)、气体出口(42)、电离室(7)与离子射出口(5)；所述电离室(7)用于工作气体的电离；所述气体均布室(4)用于工作气体的流速降低和气体均匀分布。/n

【技术特征摘要】
1.一种增强型离子源，包括离子源腔室(1)，其特征在于：所述离子源腔室(1)沿工作气体流动方向依次设置有气体入口(41)、气体均布室(4)、气体出口(42)、电离室(7)与离子射出口(5)；所述电离室(7)用于工作气体的电离；所述气体均布室(4)用于工作气体的流速降低和气体均匀分布。


2.根据权利要求1所述的一种增强型离子源，其特征在于：所述电离室(7)内设有电场产生部件和磁场产生部件(3)；所述电场产生部件包括平行设置的阴极(6)与阳极(2)；所述阳极(2)位于电离室(7)中部；所述阴极(6)与离子射出口(5)分别设于电离室(7)的壁上；所述磁场产生部件(3)的设置方向与电场产生部件的电场线方向相垂直。


3.根据权利要求1所述的一种增强型离子源，其特征在于：所述气体均布室(4)为至少3个相串联的气室。


4.根据权利要求3所述的一种增强型离子源，其特征在于：所述气体均布室(4)至少包括第一气室(43)、第二气室(44)与第三气室(45)；所述气体入口(41)设于第一气室(43)的室壁上，气体出口(42)设于第三气室(45)的室壁上；所述第一气室(43)与第二气室(44)、第二气室(44)与第三气室(4...

【专利技术属性】
技术研发人员：莫申波，周卫星，
申请(专利权)人：合肥如一真空设备有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34