输送单元及同时装载平行间隔一水平距离的处理管的方法技术

本发明专利技术提供一种输送单元及同时装载间隔水平距离的处理管的方法。输送单元具有沿用于移入或移出衬底载体的方向的第一方向直线延伸的水平导引装置、以可以在第一方向上沿水平导引装置运动的方式受到导引的竖直导引装置、以可以沿竖直导引装置上下运动的方式受到导引的叉件载体及两个附装在叉件载体上且可以借助叉件载体沿竖直导引装置运动的长条形叉形元件，其中每个叉形元件均沿第一方向延伸并适于容置一个衬底载体，且其中叉形元件附装在叉件载体上，使得叉形元件可以沿垂直于第一方向的第二方向水平运动，及用于可控地引起竖直导引装置沿水平导引装置的运动、叉件载体沿竖直导引装置的运动以及叉形元件沿第二方向的运动的驱动元件。

Conveying unit and method of loading treatment pipe with parallel interval and horizontal distance at the same time

【技术实现步骤摘要】
输送单元及同时装载平行间隔一水平距离的处理管的方法
本专利技术涉及一种用于将衬底载体，特别是用于半导体衬底的晶片舟平行地移入或移出平行的处理管的输送单元以及涉及一种同时装载平行的间隔一定水平距离的处理管的方法。
技术介绍
现有技术中揭示了针对在处理管中对衬底进行处理的各种应用领域。同样为各种商人所熟知的是，其适于将衬底或衬底载体移入相应处理管。针对相应应用领域的示例是在用于在负压下对衬底进行热处理以及/或者在使用等离子体的情况下对衬底进行处理的处理管中的受控气氛中对衬底进行处理。半导体技术或光伏产业中的等离子体增强气相沉积在此视为特殊示例。在此情况下，例如将晶片装载于所谓的晶片舟中，这些晶片舟部分由导电板构成且被送入相应处理室。在处理室中通过泵和供气调节至期望的处理气氛。可以通过加热单元调节期望的温度并且可以通过等离子体发生器引入电功率，以便从处理气体中，特别是在容置在晶片舟板件上的晶片之间产生等离子体。此申请人的公开案DE102015004419A1示出了此种处理单元的示例。此类处理单元由单个处理室构成，其分别对应一个本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于将衬底载体，特别是用于半导体衬底的晶片舟平行地移入或移出平行的处理管的输送单元，其特征在于所述输送单元包括：/n水平导引装置，其沿相当于用于移入或移出所述衬底载体的方向的第一方向直线延伸；/n竖直导引装置，其以在所述第一方向上沿所述水平导引装置运动的方式受到导引；/n叉件载体，其以沿所述竖直导引装置上下运动的方式受到导引；/n两个长条形叉形元件，其附装在所述叉件载体上并且借助所述叉件载体沿所述竖直导引装置运动，其中每个所述叉形元件均沿所述第一方向延伸并且适于容置一个所述衬底载体，且其中所述叉形元件如此附装在所述叉件载体上，使得所述叉形元件沿垂直于所述第一方向的第二方向水平运动；以及...

【技术特征摘要】
20181001 DE 102018216878.41.一种用于将衬底载体，特别是用于半导体衬底的晶片舟平行地移入或移出平行的处理管的输送单元，其特征在于所述输送单元包括：
水平导引装置，其沿相当于用于移入或移出所述衬底载体的方向的第一方向直线延伸；
竖直导引装置，其以在所述第一方向上沿所述水平导引装置运动的方式受到导引；
叉件载体，其以沿所述竖直导引装置上下运动的方式受到导引；
两个长条形叉形元件，其附装在所述叉件载体上并且借助所述叉件载体沿所述竖直导引装置运动，其中每个所述叉形元件均沿所述第一方向延伸并且适于容置一个所述衬底载体，且其中所述叉形元件如此附装在所述叉件载体上，使得所述叉形元件沿垂直于所述第一方向的第二方向水平运动；以及
驱动元件，用于引起所述竖直导引装置沿所述水平导引装置的运动、所述叉件载体沿所述竖直导引装置的运动以及所述叉形元件沿所述第二方向的运动。


2.根据权利要求1所述的输送单元，其中所述叉形元件彼此无关地沿所述第二方向运动。


3.根据权利要求1所述的输送单元，其中所述叉形元件耦合地且只能共同地沿所述第二方向运动。


4.根据权利要求1-3中任一项所述的输送单元，其中至少一个所述叉形元件附装在所述叉件载体上，使得所述叉形元件与所述另一个叉形元件无关地沿所述第一方向相对所述叉件载体而水平运动。


5.根据权利要求1所述的输送单元，所述输送单元具有至少一个传感器单元，其适于确定所述衬底载体在相应所述叉形元件上的位置。


6.根据权利要求1所述的输送单元，所述输送单元具有至少一个以沿所述竖直...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗兰·瑞吉尔，拉尔夫·瑞茲，夕巴斯汀·哈柏特斯·舒茲，
申请(专利权)人：商先创国际股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE