半导体制造设备制造技术

本公开提供一种制造半导体的方法。方法包括在一腔室中的一基座上定位一基板以及在基板上生长一磊晶特征。生长的操作包括提供一紫外线辐射至基板的一表面的一第一区域，当提供紫外线辐射时，同时地在基板的表面的第一区域上生长磊晶特征的一第一部分并在基板的表面的一第二区域生长磊晶特征的一第二部分。磊晶特征的第一部分的厚度大于磊晶特征的第二部分的厚度。

Semiconductor manufacturing equipment

【技术实现步骤摘要】
半导体制造设备
本公开实施例涉及一种半导体制造设备、制造半导体的方法以及制造半导体装置的方法。
技术介绍
半导体集成电路(integratedcircuit,IC)产业经历快速成长。集成电路材料以及设计的科技进展产生数个世代的集成电路，而每一世代的集成电路都具有比上一世代更小以及更复杂的电路。然而，这样的进展增加生产以及制造集成电路的复杂度，而且，为了实现这样的进展，需要生产以及制造集成电路类似的发展。在集成电路演变过程中，功能密度(亦即单位芯片面积的互连装置的数量)通常随着几何尺寸(亦即使用制造工艺可产生的最小元件(或线))下降而增加。不断缩减的几何尺寸对半导体制造带来挑战。例如，制造半导体装置可能涉及经由磊晶生长工艺形成一个或多个层(例如：源极/漏极、主动区)。磊晶生长工艺涉及施加热至晶圆，其中磊晶生长在被暴露的表面上发生。尽管现有的在晶圆上生长磊晶材料的方法以及装置通常适于所欲实现的目的，不过，现有的方法以及装置并非在所有方面皆全然的令人满意。
技术实现思路
本公开的一些实施例提供一种半导体制造设备。半导体制造本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体制造设备，包括：/n一基座，配置以固持在一腔室中的一基板；/n一紫外线辐射产生源，设置在该基座上，其中该紫外线辐射产生源是能调整的，以提供紫外线辐射至固持在该基座的该基板的一表面的一部分；以及/n一热源，提供热能至该腔室。/n

【技术特征摘要】
20180928 US 62/738,727;20190415 US 16/384,5721.一种半导体制造设备，包括：

【专利技术属性】
技术研发人员：陈维宁，巫凯雄，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71