半导体制造设备制造技术

本公开提供一种制造半导体的方法。方法包括在一腔室中的一基座上定位一基板以及在基板上生长一磊晶特征。生长的操作包括提供一紫外线辐射至基板的一表面的一第一区域，当提供紫外线辐射时，同时地在基板的表面的第一区域上生长磊晶特征的一第一部分并在基板的表面的一第二区域生长磊晶特征的一第二部分。磊晶特征的第一部分的厚度大于磊晶特征的第二部分的厚度。

Semiconductor manufacturing equipment

【技术实现步骤摘要】
半导体制造设备
本公开实施例涉及一种半导体制造设备、制造半导体的方法以及制造半导体装置的方法。
技术介绍
半导体集成电路(integratedcircuit,IC)产业经历快速成长。集成电路材料以及设计的科技进展产生数个世代的集成电路，而每一世代的集成电路都具有比上一世代更小以及更复杂的电路。然而，这样的进展增加生产以及制造集成电路的复杂度，而且，为了实现这样的进展，需要生产以及制造集成电路类似的发展。在集成电路演变过程中，功能密度(亦即单位芯片面积的互连装置的数量)通常随着几何尺寸(亦即使用制造工艺可产生的最小元件(或线))下降而增加。不断缩减的几何尺寸对半导体制造带来挑战。例如，制造半导体装置可能涉及经由磊晶生长工艺形成一个或多个层(例如：源极/漏极、主动区)。磊晶生长工艺涉及施加热至晶圆，其中磊晶生长在被暴露的表面上发生。尽管现有的在晶圆上生长磊晶材料的方法以及装置通常适于所欲实现的目的，不过，现有的方法以及装置并非在所有方面皆全然的令人满意。
技术实现思路
本公开的一些实施例提供一种半导体制造设备。半导体制造设备包括一基座、一紫外线辐射产生源以及一热源。基座是配置以固持在一腔室中的一基板。紫外线辐射产生源是设置在基座上。紫外线辐射产生源是可调整的，以提供紫外线辐射至固持在基座的基板的一表面的一部分。热源是提供热能至腔室。本公开的一些实施例提供一种制造半导体的方法。方法包括在一腔室中的一基座上定位一基板以及在基板上生长一磊晶特征。生长的操作包括提供一紫外线辐射至基板的一表面的一第一区域，当提供紫外线辐射时，同时地在基板的表面的第一区域上生长磊晶特征的一第一部分并在基板的表面的一第二区域生长磊晶特征的一第二部分。磊晶特征的第一部分的厚度大于磊晶特征的第二部分的厚度。本公开的一些实施例提供一种制造一半导体装置的方法。方法包括放置一基板在一基座上，且基座是设置于一腔室中。在基板上执行一磊晶生长工艺，且执行磊晶生长工艺的操作包括引入一源气体，源气体包括一半导体以及一副产物；使用一热源产生热能；使用半导体，在基板的一表面上生长一磊晶特征；以及在生长磊晶特征的期间，将表面的至少一部分暴露于一紫外线辐射。附图说明图1是执行磊晶生长的方法的一些实施例的流程图。图2A以及图2B是根据本公开的一些实施例的半导体制造设备的示意图。图3A以及图3B是根据本公开的一些实施例的在制造阶段的半导体装置的剖面图。图4A以及图4B是根据本公开的一些实施例的期望的磊晶生长面的剖面图。图5、图6、图9以及图11是根据本公开的一些实施例的示例性半导体制造设备的示意图。图7、图8以及图10是根据本公开的一些实施例，示出示例性磊晶特征生长的示意图。附图标记说明：100～方法102、104、106、108、110～方块200～制造设备202、1102～腔室204～晶圆固持器/基座206～紫外线源/紫外线灯208～控制器302～基板302A～表面302B～目标表面304～鳍元件/鳍片306～沟槽402、404、406、408～方向500、600、900、1100～磊晶生长工具502、604、702、804、902、1002～磊晶特征602～红外线灯802～介电材料1104～窗口1106～加热线圈S、T～尺寸θ～角度具体实施方式以下的公开内容提供许多不同的实施例或范例以实施本公开的不同特征。以下叙述各个构件以及排列方式的特定范例，以简化本公开。当然，范例仅供说明用且意欲不限于此。例如，若说明书叙述了第一特征形成于第二特征之上，即表示可包括第一特征与第二特征是直接接触的实施例，亦可包括有附加特征形成于第一特征与第二特征之间，而使得第一特征与第二特征可未直接接触的实施例。除此之外，在各种范例中，本公开可能使用重复的参考符号及/或字母。这样的重复为了简化以及清楚的目的，并不表示所讨论的各种实施例及/或配置之间的关联。除此之外，为了简化以及清楚的目的，各种特征可能以不同尺寸任意地绘制。除此之外，空间相关用词，例如：“在…下方”、“下方”、“较低的”、“上方”、“较高的”等等的用词，为了便于描述附图中一个元件或特征与另一个(些)元件或特征之间的关系。除了在附图中示出的方位外，这些空间相关用词意欲包括使用中或操作中的装置的不同方位。例如，若附图中的装置被颠倒，原先描述为在其他元件或特征的“下方”或“在…下方”将会转向成在其他元件或特征的“上方”。因此，示例性用语“下方”可涵盖上方以及下方的方位。装置可被转向不同方位(旋转90度或其他方位)，则本文使用的空间相关词亦可依此相同解释。当半导体制造科技持续进展，现有的制造系统以及方法可能遭遇各种问题。例如，半导体装置的制造可能涉及使用磊晶工艺以形成磊晶特征，且磊晶特征提供半导体装置的各种构件，例如源极区/漏极区、晶体管的通道区、其他主动区及/或其他半导体装置的特征。在这些磊晶工艺中，通常将热能(例如：热)施加至基板的磊晶层将生长的表面或周围。随着引入源气体，从被暴露的目标表面进行磊晶生长。然而，现有的执行磊晶工艺的方法以及系统对磊晶生长的方向(例如：方向平面)以及所产生的磊晶特征的配置(例如：形状、深宽比等)具有有限控制。为了达到良好的半导体装置性能或可制造性，可能期望在基板的目标表面形成并非均匀生长(相对于厚度)的磊晶特征。在一些实施例中，优选地，相较另一个方向，在一个方向上具有更厚的厚度的磊晶特征。可惜的是，现有的执行磊晶工艺的方法以及系统对提供异向性(anisotropic)生长具有限制。例如，可能期望提供这样的异向性生长，而不依赖于晶种定向的差异。因此，本文提供经由引入以及控制紫外线(ultraviolet,UV)波长能量来提供异向性磊晶材料生长的系统以及方法的范例。本公开的某些附图以及讨论有关于半导体装置。半导体装置的一个范例是鳍式场效晶体管(fin-typefieldeffecttransistors,FinFETs)装置。为了说明本公开的各种方面(例如：关于磊晶工艺)，鳍式场效晶体管是用来作为半导体装置的一个范例，应理解的是，本公开不限于鳍式场效晶体管。鳍式场效晶体管(或鳍式场效晶体管(FinFET)装置)可为包括P型金属氧化物半导体(P-typemetal-oxide-semiconductor,PMOS)鳍式场效晶体管装置及/或N型金属氧化物半导体(N-typemetal-oxide-semiconductor,NMOS)鳍式场效晶体管装置的互补金属氧化物半导体(complementarymetal-oxide-semiconductor,CMOS)装置。与现有的金属氧化物半导体场效晶体管(Metal-OxideSemiconductorFieldEffectTransistor,MOSFET)装置(也称为平本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体制造设备，包括：/n一基座，配置以固持在一腔室中的一基板；/n一紫外线辐射产生源，设置在该基座上，其中该紫外线辐射产生源是能调整的，以提供紫外线辐射至固持在该基座的该基板的一表面的一部分；以及/n一热源，提供热能至该腔室。/n

【技术特征摘要】
20180928 US 62/738,727;20190415 US 16/384,5721.一种半导体制造设备，包括：

【专利技术属性】
技术研发人员：陈维宁，巫凯雄，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71