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本公开提供一种制造半导体的方法。方法包括在一腔室中的一基座上定位一基板以及在基板上生长一磊晶特征。生长的操作包括提供一紫外线辐射至基板的一表面的一第一区域，当提供紫外线辐射时，同时地在基板的表面的第一区域上生长磊晶特征的一第一部分并在基板的...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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