树脂膜、聚酰亚胺、粘接剂树脂组合物及其利用制造技术

本发明专利技术提供一种通过介电特性的改善而能够应对电子设备的高频化，且具有湿度依存性得到抑制的介电特性的树脂膜、聚酰亚胺、粘接剂树脂组合物及其利用。树脂膜含有使四羧酸酐成分与二胺成分反应而成的聚酰亚胺作为树脂成分，所述二胺成分含有相对于全部二胺成分而为40摩尔％以上的以二聚物二胺为主成分的二聚物二胺组合物。

【技术实现步骤摘要】
树脂膜、聚酰亚胺、粘接剂树脂组合物及其利用
本专利技术涉及一种在印刷配线板等的电路基板中作为粘接剂而有用的聚酰亚胺、树脂膜、粘接剂树脂组合物及其利用。
技术介绍
近年来，伴随着电子设备的小型化、轻量化、省空间化的发展，对薄且轻量、具有柔性、即便反复弯曲也具有优异的耐久性的挠性印刷配线板(FlexiblePrintedCircuits，FPC)的需求增大。FPC在有限的空间内也可立体且高密度地安装，因此例如在硬盘驱动器(HardDiskDrive，HDD)、数字化视频光盘(DigitalVideoDisk，DVD)、移动电话等电子设备的可动部分的配线、或者电缆、连接器等部件中其用途正逐渐扩大。除了所述高密度化以外，设备的高性能化也得到了发展，所以也需要应对传输信号的高频化。在信息处理或信息通信中，为了传输/处理大容量信息，而进行了提高传输频率的努力，要求印刷基板材料通过薄化绝缘层及改善绝缘层的介电特性来降低传输损失。今后会需要应对高频化的FPC或粘接剂，而传输损失的减少变得重要。且说，作为与以聚酰亚胺为主成分的粘接层有关的技术，提出了将交联聚酰亚胺树脂应用于覆盖膜的粘接剂层中，所述交联聚酰亚胺树脂是使聚酰亚胺、与具有至少两个一级氨基作为官能基的氨基化合物反应而获得，所述聚酰亚胺是以自二聚酸(二聚物脂肪酸)等脂肪族二胺衍生的二胺化合物为原料(例如，专利文献1)。另外，提出了并用有所述聚酰亚胺、环氧树脂等的热硬化性树脂与交联剂的树脂组合物应用于覆铜层压板中(例如，专利文献2)。但是，专利文献1及专利文献2中，关于自原料中所含的二聚酸衍生的二聚物二胺(Dimerdiamine)以外的副产物的影响，丝毫未进行考虑。已知二聚酸是在原料中使用例如大豆油脂肪酸、妥尔油脂肪酸、菜籽油脂肪酸等天然脂肪酸及将这些酸进行精制而成的油酸、亚油酸、亚麻酸、芥子酸等并进行狄尔斯-阿尔德反应(Diels-Alderreaction)而获得的二聚化脂肪酸，自二聚酸衍生的多元酸化合物可作为原料的脂肪酸或三聚化以上的脂肪酸的组合物而获得(例如，专利文献3)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本专利特开2013-1730号公报专利文献2：日本专利特开2017-119361号公报专利文献3：日本专利特开2017-137375号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的问题作为控制以聚酰亚胺为主成分的树脂的物性的方法，重要的是控制作为聚酰亚胺的前体的聚酰胺酸或聚酰亚胺的分子量。然而，在将二聚物二胺作为原料来应用的情况下，是在包含自二聚酸衍生的二聚物二胺以外的副产物的状态下使用。此种副产物除了使聚酰亚胺的分子量的控制变得困难以外，还会对广域的频率下的介电特性或其湿度依存性产生影响。本专利技术的目的在于提供一种通过介电特性的改善而能够应对电子设备的高频化，且具有湿度依存性得到抑制的介电特性的树脂膜及聚酰亚胺。解决问题的技术手段本专利技术的树脂膜含有聚酰亚胺作为树脂成分，所述聚酰亚胺是使四羧酸酐成分与二胺成分反应而成，所述二胺成分含有相对于全部二胺成分而为40摩尔％以上的以二聚酸的两个末端羧酸基被取代为一级氨基甲基或氨基而成的二聚物二胺为主成分的二聚物二胺组合物。并且，本专利技术的树脂膜满足下述的构成I及构成II。I)基于下述的数学式(i)[此处，ε1表示在23℃、50％RH的恒温恒湿条件(常态)下调湿24小时后，通过分离介电体共振器(SplitPostDielectricResonator，SPDR)测定的10GHz下的介电常数，Tanδ1表示在23℃、50％RH的恒温恒湿条件下调湿24小时后，通过SPDR测定的10GHz下的介电损耗正切]而算出，表示23℃、50％RH的恒温恒湿条件下调湿24小时后的10GHz下的介电特性的指标即E1值为0.010以下。II)基于下述的数学式(ii)[此处，ε2表示在23℃下吸水24小时后，通过SPDR测定的10GHz下的介电常数，Tanδ2表示在23℃下吸水24小时后，通过SPDR测定的10GHz下的介电损耗正切]而算出，表示23℃下吸水24小时后的10GHz下的介电特性的指标即E2值中，E2值相对于所述E1值的比(E2/E1)为3.0～1.0的范围内。再者，数学式(i)、数学式(ii)中，分别是指“ε1”、“ε2”的平方根。本专利技术的覆盖膜层压有粘接剂层与覆盖用膜材层，其中所述粘接剂层包含所述树脂膜。本专利技术的电路基板包括基材、形成于所述基材上的配线层、及包覆所述配线层的所述覆盖膜。本专利技术的带树脂的铜箔层压有粘接剂层与铜箔，其中所述粘接剂层包含所述树脂膜。本专利技术的覆金属层压板具有绝缘树脂层、层压于所述绝缘树脂层的至少单侧的面上的粘接剂层、及介隔所述粘接剂层而层压于所述绝缘树脂层的金属层，其中所述粘接剂层包含所述树脂膜。本专利技术的多层电路基板包括包含经层压的多个绝缘树脂层的层压体、及埋入至所述层压体的内部的一层以上的导体电路层。本专利技术的多层电路基板中，所述多个绝缘树脂层中的至少一层以上由具有粘接性并且包覆所述导体电路层的粘接剂层形成，所述粘接剂层包含所述树脂膜。本专利技术的聚酰亚胺是使四羧酸酐成分与二胺成分反应而成，其中所述二胺成分含有相对于全部二胺成分而为40摩尔％以上的以二聚酸的两个末端羧酸基被取代为一级氨基甲基或氨基而成的二聚物二胺为主成分的二聚物二胺组合物。本专利技术的聚酰亚胺中，以对于所述二聚物二胺组合物使用凝胶渗透色谱法进行测定而得的色谱图的面积百分率计，下述成分(a)～成分(c)中的所述成分(c)为2％以下；(a)二聚物二胺；(b)将碳数处于10～40的范围内的一元酸化合物的末端羧酸基取代为一级氨基甲基或氨基而获得的单胺化合物；(c)将碳数处于41～80的范围内的具有烃基的多元酸化合物的末端羧酸基取代为一级氨基甲基或氨基而获得的胺化合物(其中，所述二聚物二胺除外)。本专利技术的聚酰亚胺可相对于所述四羧酸酐成分的总量，而含有50摩尔％以上的3,3',4,4'-二苯甲酮四羧酸二酐(BTDA)。本专利技术的粘接剂树脂组合物包含下述(A)成分及(B)成分：(A)所述聚酰亚胺、及(B)具有至少两个一级氨基作为官能基的氨基化合物，并且以相对于自所述(A)成分中的BTDA衍生的BTDA残基的酮基1摩尔，所述一级氨基以合计计成为0.004摩尔至1.5摩尔的范围内的方式含有所述(B)成分。专利技术的效果本专利技术的树脂膜及聚酰亚胺控制了二聚物二胺组合物中的二聚物二胺以外的胺化合物的含量，所以介电特性的湿度依存性低，稳定性优异。因此，本专利技术的树脂膜及聚酰亚胺例如在需要高速信号传输的电子设备中，可尤其较佳地用于FPC等的电路基板。具体实施方式以下，对本专利技术的实施方式进行说明。＜树脂膜＞本实施方式的树脂膜是以树脂成分作为主要成分进行膜化而成。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种树脂膜，其特征在于，含有聚酰亚胺作为树脂成分，其中，/n所述聚酰亚胺是使四羧酸酐成分与二胺成分反应而成，相对于全部二胺成分，所述二胺成分含有40摩尔％以上的二聚物二胺组合物，所述二聚物二胺组合物以二聚酸的两个末端羧酸基被取代为一级氨基甲基或氨基而成的二聚物二胺为主成分，并且，所述树脂膜满足下述的构成I及构成II：/n构成I：基于下述的数学式(i)而算出，表示23℃、50％RH的恒温恒湿条件下调湿24小时后的10GHz下的介电特性的指标即E

【技术特征摘要】
20180928 JP 2018-1858771.一种树脂膜，其特征在于，含有聚酰亚胺作为树脂成分，其中，
所述聚酰亚胺是使四羧酸酐成分与二胺成分反应而成，相对于全部二胺成分，所述二胺成分含有40摩尔％以上的二聚物二胺组合物，所述二聚物二胺组合物以二聚酸的两个末端羧酸基被取代为一级氨基甲基或氨基而成的二聚物二胺为主成分，并且，所述树脂膜满足下述的构成I及构成II：
构成I：基于下述的数学式(i)而算出，表示23℃、50％RH的恒温恒湿条件下调湿24小时后的10GHz下的介电特性的指标即E1值为0.010以下，



数学式(i)中，ε1表示在23℃、50％RH的恒温恒湿条件下，即常态下调湿24小时后，通过分离介电体共振器测定的10GHz下的介电常数，Tanδ1表示在23℃、50％RH的恒温恒湿条件下调湿24小时后，通过分离介电体共振器测定的10GHz下的介电损耗正切；
构成II：基于下述的数学式(ii)而算出，表示23℃下吸水24小时后的10GHz下的介电特性的指标即E2值中，E2值相对于所述E1值的比，即E2/E1为3.0～1.0的范围内，



数学式(ii)中，ε2表示在23℃下吸水24小时后，通过分离介电体共振器测定的10GHz下的介电常数，Tanδ2表示在23℃下吸水24小时后，通过分离介电体共振器测定的10GHz下的介电损耗正切。


2.一种覆盖膜，其特征在于，层压有粘接剂层与覆盖用膜材层，其中，
所述粘接剂层包含如权利要求1所述的树脂膜。


3.一种电路基板，包括基材、形成于所述基材上的配线层、及包覆所述配线层的如权利要求2所述的覆盖膜。


4.一种带树脂的铜箔，其特征在于，层压有粘接剂层与铜箔，其中，
所述粘接剂层包含如权利要求1所述的树脂膜。


5.一种覆金属层压板，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：须藤芳树，山田裕明，
申请(专利权)人：日铁化学材料株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP