一种LTCC基板钎焊方法技术

本发明专利技术提供了本发明专利技术提供了一种LTCC基板钎焊方法，所述LTCC基板包括腔体，所述方法包括：在LTCC基板的待焊接面上进行预焊接，所述预焊接包括通过回流焊接的方式将第一焊片焊接在与所述腔体位置对应的待焊接面上；将已完成预焊接的LTCC基板、第二焊片和壳体进行钎焊。提高了LTCC基板整体钎透率以及腔体部位的钎透率。

【技术实现步骤摘要】
一种LTCC基板钎焊方法
本专利技术涉及领域，具体涉及一种LTCC基板钎焊方法。
技术介绍
微波组件作为有源相控阵天线的核心部组件，近些年得到了快速的发展。为了进一步提高微波组件的集成密度和可靠性，以低温共烧陶瓷(LowTemperatureCo-firedCeramic，LTCC)为代表的多层陶瓷基板在微波组件上的应用越来越广泛。LTCC基板技术的一大优势是可实现空腔结构，即将裸芯片放置在空腔内，通过基板内层布线实现电路的互联，从而有效提高了组装密度，并将传统的平面2D封装扩展到2.5D封装，已经在微波电路领域取得了广泛地应用。通常情况下，LTCC基板的典型工艺技术路线为：经印制导体的多层生瓷片，通过叠片层压成为生坯，然后通过共烧得到最终基板。对于带有腔体结构的LTCC基板，腔体部位存在以下几个特点：1、腔体部位相比于未开腔部位更薄，从而带来不一致的收缩率；2、为了保证腔内射频芯片的散热，往往过孔间距很小，通孔密度大，导致烧结应力大；3、腔内金属化的面积大，且金属的收缩率和生瓷片的收缩率存在较大的差异性。以上三个特点导致腔体部位在共烧本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种LTCC基板钎焊方法，所述LTCC基板包括腔体(101)，其特征在于，所述方法包括：/n在LTCC基板(1)的待焊接面上进行预焊接，所述预焊接包括通过回流焊接的方式将第一焊片(2)焊接在与所述腔体(101)位置对应的待焊接面上；/n将已完成预焊接的LTCC基板(1)、第二焊片(3)和壳体(4)进行钎焊。/n

【技术特征摘要】
1.一种LTCC基板钎焊方法，所述LTCC基板包括腔体(101)，其特征在于，所述方法包括：
在LTCC基板(1)的待焊接面上进行预焊接，所述预焊接包括通过回流焊接的方式将第一焊片(2)焊接在与所述腔体(101)位置对应的待焊接面上；
将已完成预焊接的LTCC基板(1)、第二焊片(3)和壳体(4)进行钎焊。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一焊片(2)和所述第二焊片(3)的材料为Sn63Pb37、Sn62Pb36Ag2或Sn96.5Ag3Cu0.5。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一焊片(2)的面积为所述腔体的面积的80～90％。


4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一焊片(2)的厚度与所述腔体的面积成正比。


5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一焊片(2)的厚度根据下列公式确定：
Tc＝25μm(10mm2≤Sq≤20mm2)
Tc＝50μm(20mm2≤Sq≤40mm2)
Tc＝75μm(40mm2≤Sq≤80mm2)
其中，Tc为第一焊片(2)的厚度，Sq为腔体(101)的面积。


6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一焊片(2)的材料为Sn63Pb37或Sn62Pb36Ag2时，所述预焊接包括：
采用回流焊炉进行预焊接，所述预焊接的升温速率为3～5℃/s，预热温度为140～160℃，预热保温时间为1～2min，焊接温度为220～240℃，焊接保温时间为30～6...

【专利技术属性】
技术研发人员：王松，陈萍，霍锐，贺颖，刘骁，
申请(专利权)人：中国科学院电子学研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11