带有深腔结构的Au基LTCC基板的焊接方法技术

一种带有深腔结构的Au基LTCC基板的焊接方法，应用于焊接技术领域，包括：将多个第一焊片和Au基LTCC基板置于焊接炉中，按照第一预设条件进行焊接，得到第一焊接体，其中，多个第一焊片一一置于Au基LTCC基板深腔结构背面的凹陷处，将第一焊接体、第二焊片和组件壳体置于焊接炉中，按照第二预设条件进行焊接，其中，第二焊片和第一焊接体置于组件壳体内，第一焊接体置于第二焊片上，能够有效提高带有深腔结构的Au基LTCC基板大面积焊接的钎透率，保证Au基LTCC基板具有优异的接地性能。

Welding method of Au based LTCC substrate with deep cavity structure

【技术实现步骤摘要】
带有深腔结构的Au基LTCC基板的焊接方法
本申请涉及焊接
，尤其涉及一种带有深腔结构的Au基LTCC基板的焊接方法。
技术介绍
近年来随着有源相控阵雷达技术的不断发展，作为构成有源相控阵雷达天线的T/R组件也在不断朝着高频率、高可靠、高集成度、超小型化的方向发展。而Au基LTCC基板(低温共烧陶瓷基板)作为一种新型的多层陶瓷基板，因其更易于实现多层布线、更易于内埋元器件、具有良好的高频特性和高速传输特性，在高集成度的毫米波T/R组件中得到了广泛应用。目前，为了进一步提高组装集成度、便于布线，毫米波T/R组件中的微波传输线正在逐渐由微带线向带状线转变，从而形成了带深腔结构的Au基LTCC基板。由于Au基LTCC基板制造工艺自身的局限性，导致其难以避免具有不平整的缺陷。对于带深腔结构的Au基LTCC基板而言，这种缺陷更为严重。
技术实现思路
本申请的主要目的在于提供一种带有深腔结构的Au基LTCC基板的焊接方法，可提高带有深腔结构的Au基LTCC基板焊接的钎透率。为实现上述目的，本申请实施例提供一种带有深腔结构的Au基LTCC基板的焊接方法，包括：将多个第一焊片和Au基LTCC基板置于焊接炉中，按照第一预设条件进行焊接，得到第一焊接体，其中，所述多个第一焊片一一置于所述Au基LTCC基板深腔结构背面的凹陷处；将所述第一焊接体、第二焊片和组件壳体置于焊接炉中，按照第二预设条件进行焊接，其中，所述第二焊片和所述第一焊接体置于所述组件壳体内，所述第一焊接体置于所述第二焊片上。进一步地，所述将所述第一焊接体、第二焊片和组件壳体置于焊接炉中之后，包括：在所述Au基LTCC基板深腔结构处均放置陶瓷片，所述陶瓷片与所述深腔结构适配；将焊接夹具安装在所述第一焊接体上。进一步地，所述第一焊片和所述第二焊片的厚度为所述Au基LTCC基板深腔结构背面的凹陷处平均深度的2倍。进一步地，所述第一焊片的长宽分别为所述Au基LTCC基板深腔结构长宽的1.25倍。进一步地，所述第二焊片的长宽分别为所述Au基LTCC基板长宽的0.95倍。进一步地，所述第一预设条件包括预热温度设置在160-180摄氏度，预热时间持续5-8分钟，焊接温度设置在270-290摄氏度，焊接时间持续3-6分钟。进一步地，所述第二预设条件包括预热温度设置在160-180摄氏度，预热时间持续6-10分钟，焊接温度设置在280-315摄氏度，焊接时间持续4-8分钟。进一步地，所述将多个第一焊片和Au基LTCC基板置于焊接炉中，按照第一预设条件进行焊接，得到第一焊接体之前，包括：将所述第一焊片、第二焊片、Au基LTCC基板、组件壳体放入盛氯仿的烧杯中进行浸泡，再在盛氯仿的烧杯中将所述第一焊片、第二焊片、Au基LTCC基板、组件壳体进行超声清洗；将所述第一焊片、第二焊片、Au基LTCC基板、组件壳体从氯仿中取出，放至酒精烧杯中进行浸泡，再在盛酒精的烧杯中将所述第一焊片、第二焊片、Au基LTCC基板、组件壳体进行超声清洗；将所述第一焊片、第二焊片、Au基LTCC基板、组件壳体从酒精中取出，置于烘箱中进行烘干。进一步地，所述第一焊片、第二焊片为AuSn焊片。进一步地，所述将焊接夹具安装在所述第一焊接体上时，所述深腔结构处的压力需比非深腔结构处的小。从上述本申请实施例可知，本申请提供的带有深腔结构的Au基LTCC基板的焊接方法，将多个第一焊片和Au基LTCC基板置于焊接炉中，按照第一预设条件进行焊接，得到第一焊接体，其中，多个第一焊片一一置于Au基LTCC基板深腔结构背面的凹陷处，将第一焊接体、第二焊片和组件壳体置于焊接炉中，按照第二预设条件进行焊接，其中，第二焊片和第一焊接体置于组件壳体内，第一焊接体置于第二焊片上，能够有效提高带有深腔结构的Au基LTCC基板大面积焊接的钎透率，保证Au基LTCC基板具有优异的接地性能。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本申请一实施例提供的带有深腔结构的Au基LTCC基板的焊接方法的流程示意图；图2为本申请一实施例提供的带有深腔结构的Au基LTCC基板的结构示意图；图3为本申请一实施例提供的带有深腔结构的Au基LTCC基板置于壳体组件的结构示意图。具体实施方式为使得本申请的申请目的、特征、优点能够更加的明显和易懂，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而非全部实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。请参阅图1、图2和图3，图1为本申请一实施例提供的带有深腔结构的Au基LTCC基板的焊接方法的流程示意图，图2为本申请一实施例提供的带有深腔结构的Au基LTCC基板的结构示意图，图3为本申请一实施例提供的带有深腔结构的Au基LTCC基板置于壳体组件的结构示意图可应用于毫米波相控阵雷达的T/R组件生产过程，该方法主要包括以下步骤：S101、将多个第一焊片4和Au基LTCC基板1置于焊接炉中，按照第一预设条件进行焊接，得到第一焊接体，其中，所述多个第一焊片4一一置于所述Au基LTCC基板1深腔结构2背面的凹陷处3；在本申请其中一个实施例中，第一焊片4的厚度为Au基LTCC基板1深腔结构2背面的凹陷处3平均深度的2倍。其中，Au基LTCC基板1深腔结构2背面的凹陷处3平均深度可通过测量显微镜对Au基LTCC基板1深腔结构2背面的金属层的平整度进行测量，得出凹陷处3的平均深度。其中，第一焊片4可以分别为厚度为该平均深度2倍的单个焊片，也可以是分别由多个焊片叠加堆放形成的厚度为该平均深度2倍的组合焊片，只要保证焊片的整体厚度即可。在本申请其中一个实施例中，第一焊片4的长宽分别为Au基LTCC基板1深腔结构2长宽的1.25倍。在本申请其中一个实施例中，第二焊片5的长宽分别为Au基LTCC基板1长宽的0.95倍。其中，切割第一焊片4和第二焊片5时，可采用冷光源激光切割机进行精准切割。在本申请其中一个实施例中，第一预设条件包括预热温度设置在160-180摄氏度，预热时间持续5-8分钟，焊接温度设置在270-290摄氏度，焊接时间持续3-6分钟。按照设定的焊接曲线进行焊片的焊接。其中，焊接前进行预热课保证温度上升的均匀性，有效提高焊接质量。其中，该焊接炉可以为真空共晶炉。第一焊片、第二焊片为AuSn焊片。S102、将第一焊接体、第二焊片5和组件壳体8置于焊接炉中，按照第二预设条件进行焊接，其中，第二焊片5和本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种带有深腔结构的Au基LTCC基板的焊接方法，其特征在于，包括：/n将多个第一焊片和Au基LTCC基板置于焊接炉中，按照第一预设条件进行焊接，得到第一焊接体，其中，所述多个第一焊片一一置于所述Au基LTCC基板深腔结构背面的凹陷处；/n将所述第一焊接体、第二焊片和组件壳体置于焊接炉中，按照第二预设条件进行焊接，其中，所述第二焊片和所述第一焊接体置于所述组件壳体内，所述第一焊接体置于所述第二焊片上。/n

【技术特征摘要】
1.一种带有深腔结构的Au基LTCC基板的焊接方法，其特征在于，包括：
将多个第一焊片和Au基LTCC基板置于焊接炉中，按照第一预设条件进行焊接，得到第一焊接体，其中，所述多个第一焊片一一置于所述Au基LTCC基板深腔结构背面的凹陷处；
将所述第一焊接体、第二焊片和组件壳体置于焊接炉中，按照第二预设条件进行焊接，其中，所述第二焊片和所述第一焊接体置于所述组件壳体内，所述第一焊接体置于所述第二焊片上。


2.根据权利要求1所述的带有深腔结构的Au基LTCC基板的焊接方法，其特征在于，所述将所述第一焊接体、第二焊片和组件壳体置于焊接炉中之后，包括：
在所述Au基LTCC基板深腔结构处均放置陶瓷片，所述陶瓷片与所述深腔结构适配；
将焊接夹具安装在所述第一焊接体上。


3.根据权利要求1所述的带有深腔结构的Au基LTCC基板的焊接方法，其特征在于，所述第一焊片的厚度为所述Au基LTCC基板深腔结构背面的凹陷处平均深度的2倍。


4.根据权利要求3所述的带有深腔结构的Au基LTCC基板的焊接方法，其特征在于，所述第一焊片的长宽分别为所述Au基LTCC基板深腔结构长宽的1.25倍。


5.根据权利要求3所述的带有深腔结构的Au基LTCC基板的焊接方法，其特征在于，所述第二焊片的长宽分别为所述Au基LTCC基板长宽的0.95倍。


6.根据权利要求1至5任意一项所述的带有深腔结构的Au基LTCC基板的焊接方法，其特征在于，所述第一预设条件包括预热温度设置...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈萍，贺颖，王松，孙怀宝，
申请(专利权)人：中国科学院电子学研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11