一种可控硅中频透热设备制造技术

本实用新型专利技术公开了一种可控硅中频透热设备，包括可控硅电源本体和中频发射箱，所述可控硅电源本体的一侧设置有中频发射箱，所述可控硅电源本体与中频发射箱通过线缆进行电性连接，所述中频发射箱的一端固定有线圈，所述可控硅电源本体一侧壁固定有导轨，所述导轨的侧表面开设有第二导槽，所述第二导槽的内侧滑动连接有第二滑块；通过设置有钢丝绳、安装块、导轨、第二锁紧螺杆、导向件、连接头、固定块、调节螺杆及压紧头，避免操可控硅电源本体与中频发射箱之间的距离增大造成线缆的损坏，通过设置有导块、防护杆、第一滑块、第一滑槽及防护网板，便于对中频发射箱一侧的线圈进行防护，避免有重物下落对线圈造成撞击损坏。

A silicon controlled medium frequency diathermy equipment

【技术实现步骤摘要】
一种可控硅中频透热设备
本技术属于中频透热设备
，具体涉及一种可控硅中频透热设备。
技术介绍
透热是指金属热变形或热处理前的整体穿透加热，是一种将工频50HZ交流电转变为中频的电源装置，可控硅中频透热设备它会使铜排、电缆、感应圈的温度急剧升高，来对零件进行热处理，操作简单，使用效果好。现有的可控硅中频透热设备一般包括可控硅电源本体、中频发射箱及感应线圈组成，在使用的过程中，需要使可控硅电源本体与中频发射箱通过线缆进行连接，在对中频箱进行搬运时极易造成与可控硅电源本体距离增大，造成线缆的损坏，增大了维护成本，造成使用不便，另外线圈多与中频发射箱固定连接，在使用及运输过程中，有重物掉落会导致线圈碰撞损伤，安全性低，为此我们提出一种可控硅中频透热设备。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种可控硅中频透热设备，以解决上述
技术介绍
中提出现有的可控硅中频透热设备一般包括可控硅电源本体、中频发射箱及感应线圈组成，在使用的过程中，需要使可控硅电源本体与中频发射箱通过线缆进行连接，在对中频箱进行搬运时极易造成与可控硅电源本体距离增大，造成线缆的损坏，增大了维护成本，造成使用不便，另外线圈多与中频发射箱固定连接，在使用及运输过程中，有重物掉落会导致线圈碰撞损伤，安全性低的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种可控硅中频透热设备，包括可控硅电源本体和中频发射箱，所述可控硅电源本体的一侧设置有中频发射箱，所述可控硅电源本体与中频发射箱通过线缆进行电性连接，所述中频发射箱的一端固定有线圈，所述可控硅电源本体一侧壁固定有导轨，所述导轨的侧表面开设有第二导槽，所述第二导槽的内侧滑动连接有第二滑块，所述第二滑块侧表面固定有安装块，所述安装块的内部通过螺纹部转动连接有第二锁紧螺杆，所述第二锁紧螺杆的一端贯穿第二滑块并与第二导槽内侧壁相抵触，所述安装块的一侧表面固定有导向件，所述导向件的内侧设置有钢丝绳，所述钢丝绳的一端与可控硅电源本体固定连接，所述中频发射箱侧表面固定有固定块，所述固定块内部转动连接有调节螺杆，所述调节螺杆上端固定有压紧头，所述压紧头与固定块之间设置有连接头，所述连接头与钢丝绳的一端固定连接，所述中频发射箱上设置有防碰撞机构。优选的，所述防碰撞机构包括防护杆、导块、第一滑块及第一滑槽，所述导块固定于中频发射箱上表面，所述导块内侧滑动套设有防护杆，所述防护杆一侧表面固定有防护网板，所述导块外侧壁开设有第一滑槽，所述第一滑槽的内侧设置有第一滑块，所述第一滑块端面与防护网板固定连接，所述防护网板与导块通过第一滑块及第一滑槽进行滑动连接。优选的，所述导块设置有两个，两个所述导块沿中频发射箱中心对称，所述防护杆为“U”字型，所述防护杆一端的内侧开设有握指槽。优选的，所述导块的一端螺纹连接有第一锁紧螺杆，所述第一锁紧螺杆的一端于导块内侧壁相抵触。优选的，所述导向件为环形，所述导向件的内直径大于钢丝绳外直径一毫米。优选的，所述钢丝绳的长度大于线缆的长度，所述钢丝绳外表面覆盖有橡胶垫。优选的，所述连接头为“U”字型，所述连接头上表面及下表面均一体成型有防滑纹。与现有技术相比，本技术的有益效果是：(1)通过设置有钢丝绳、安装块、导轨、第二锁紧螺杆、导向件、连接头、固定块、调节螺杆及压紧头，便于在使用的过程中，避免由于操作员对中频发射箱进行搬运时，导致可控硅电源本体与中频发射箱之间的距离增大造成线缆的损坏，便于降低线缆的维护成本，提高装置的使用效果。(2)通过设置有导块、防护杆、第一滑块、第一滑槽及防护网板，便于对中频发射箱一侧的线圈进行防护，避免在使用及运输过程中，有重物下落对线圈造成撞击损坏，便于提高线圈的防护效果，增大装置的实用性。附图说明图1为本技术的结构示意图；图2为本技术的图1的A处局部放大结构示意图；图3为本技术的图2剖视结构示意图；图4为本技术的图1的B处剖视结构示意图；图5为本技术的导块与防护网板连接结构示意图；图中：1、可控硅电源本体；2、防护杆；3、导块；4、第一锁紧螺杆；5、中频发射箱；6、安装块；7、固定块；8、钢丝绳；9、线缆；10、导轨；11、第二锁紧螺杆；12、导向件；13、第二导槽；14、连接头；15、压紧头；16、调节螺杆；17、握指槽；18、第一滑块；19、第一滑槽；20、防护网板；21、线圈。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图1-图5，本技术提供一种技术方案：一种可控硅中频透热设备，包括可控硅电源本体1和中频发射箱5，可控硅电源本体1的一侧设置有中频发射箱5，可控硅电源本体1与中频发射箱5通过线缆9进行电性连接，中频发射箱5的一端固定有线圈21，可控硅电源本体1一侧壁固定有导轨10，便于对安装块6的位置进行移动，导轨10的侧表面开设有第二导槽13，第二导槽13的内侧滑动连接有第二滑块，第二滑块侧表面固定有安装块6，安装块6的内部通过螺纹部转动连接有第二锁紧螺杆11，第二锁紧螺杆11的一端贯穿第二滑块并与第二导槽13内侧壁相抵触，便于更好的对安装块6的位置进行固定，安装块6的一侧表面固定有导向件12，便于对钢丝绳8的预留长度进行调节，进而更好的限制可控硅电源本体1与中频发射箱5之间的距离，导向件12的内侧设置有钢丝绳8，钢丝绳8的一端与可控硅电源本体1固定连接，中频发射箱5侧表面固定有固定块7，固定块7内部转动连接有调节螺杆16，调节螺杆16上端固定有压紧头15，便于对钢丝绳8的另一端进行固定，压紧头15与固定块7之间设置有连接头14，连接头14与钢丝绳8的一端固定连接，便于更好的对钢丝绳8的预留长度进行调节，中频发射箱5上设置有防碰撞机构。本实施例中，优选的，防碰撞机构包括防护杆2、导块3、第一滑块18及第一滑槽19，导块3固定于中频发射箱5上表面，导块3内侧滑动套设有防护杆2，防护杆2一侧表面固定有防护网板20，便于更好的对线圈21的上方进行防护，导块3外侧壁开设有第一滑槽19，第一滑槽19的内侧设置有第一滑块18，第一滑块18端面与防护网板20固定连接，防护网板20与导块3通过第一滑块18及第一滑槽19进行滑动连接，便于对防护网板20的位置进行移动。本实施例中，优选的，导块3设置有两个，两个导块3沿中频发射箱5中心对称，防护杆2为“U”字型，防护杆2一端的内侧开设有握指槽17，便于拉动防护杆2进行移动。本实施例中，优选的，导块3的一端螺纹连接有第一锁紧螺杆4，第一锁紧螺杆4的一端于导块3内侧壁相抵触，便于对防护网板20及防护杆2的位置进行移动。本实施例中，优选的，导向件12为环形，导向件12的内本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种可控硅中频透热设备，包括可控硅电源本体(1)和中频发射箱(5)，所述可控硅电源本体(1)的一侧设置有中频发射箱(5)，所述可控硅电源本体(1)与中频发射箱(5)通过线缆(9)进行电性连接，所述中频发射箱(5)的一端固定有线圈(21)，其特征在于：所述可控硅电源本体(1)一侧壁固定有导轨(10)，所述导轨(10)的侧表面开设有第二导槽(13)，所述第二导槽(13)的内侧滑动连接有第二滑块，所述第二滑块侧表面固定有安装块(6)，所述安装块(6)的内部通过螺纹部转动连接有第二锁紧螺杆(11)，所述第二锁紧螺杆(11)的一端贯穿第二滑块并与第二导槽(13)内侧壁相抵触，所述安装块(6)的一侧表面固定有导向件(12)，所述导向件(12)的内侧设置有钢丝绳(8)，所述钢丝绳(8)的一端与可控硅电源本体(1)固定连接，所述中频发射箱(5)侧表面固定有固定块(7)，所述固定块(7)内部转动连接有调节螺杆(16)，所述调节螺杆(16)上端固定有压紧头(15)，所述压紧头(15)与固定块(7)之间设置有连接头(14)，所述连接头(14)与钢丝绳(8)的一端固定连接，所述中频发射箱(5)上设置有防碰撞机构。/n...

【技术特征摘要】
1.一种可控硅中频透热设备，包括可控硅电源本体(1)和中频发射箱(5)，所述可控硅电源本体(1)的一侧设置有中频发射箱(5)，所述可控硅电源本体(1)与中频发射箱(5)通过线缆(9)进行电性连接，所述中频发射箱(5)的一端固定有线圈(21)，其特征在于：所述可控硅电源本体(1)一侧壁固定有导轨(10)，所述导轨(10)的侧表面开设有第二导槽(13)，所述第二导槽(13)的内侧滑动连接有第二滑块，所述第二滑块侧表面固定有安装块(6)，所述安装块(6)的内部通过螺纹部转动连接有第二锁紧螺杆(11)，所述第二锁紧螺杆(11)的一端贯穿第二滑块并与第二导槽(13)内侧壁相抵触，所述安装块(6)的一侧表面固定有导向件(12)，所述导向件(12)的内侧设置有钢丝绳(8)，所述钢丝绳(8)的一端与可控硅电源本体(1)固定连接，所述中频发射箱(5)侧表面固定有固定块(7)，所述固定块(7)内部转动连接有调节螺杆(16)，所述调节螺杆(16)上端固定有压紧头(15)，所述压紧头(15)与固定块(7)之间设置有连接头(14)，所述连接头(14)与钢丝绳(8)的一端固定连接，所述中频发射箱(5)上设置有防碰撞机构。


2.根据权利要求1所述的一种可控硅中频透热设备，其特征在于：所述防碰撞机构包括防护杆(2)、导块(3)、第一滑块(18)及第一滑槽(19)，所述导块(3)固定于中频发射箱(5)上表面，所述导块(3...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐书超，
申请(专利权)人：襄阳利能电力电子有限公司，
类型：新型
国别省市：湖北;42