【技术实现步骤摘要】
一种水平对中校准夹具、拉晶炉及水平对中校准方法
本专利技术属于校准
，具体涉及一种水平对中校准夹具、拉晶炉及水平对中校准方法。
技术介绍
作为单晶硅的制造方法，有区熔法和切克劳斯基法，单晶硅的制造方法目前通常采用切克劳斯基法(Czochralski，CZ)。切克劳斯基法是将多晶硅料收容在设置于拉晶炉炉膛内的石英坩埚里，通过加热器对多晶硅料进行加热融化，再将棒状晶种(即籽晶)与多晶硅料的熔融液面接触，在工艺要求合适的温度下，熔液中的硅原子会顺着棒状晶种的硅原子的排列结构在固液交界面上形成规则的结晶而成为单晶硅，将棒状晶种一边旋转一边提拉，熔液中的硅原子会在之前形成的单晶硅上继续结晶，并延续其规则的原子排列结构，同时加速提拉，便可生产出目标直径的单晶硅棒。在单晶硅棒的制造过程中，最基本的操作即是石英坩埚和石墨坩埚的对中，因为只有石英坩埚和石墨坩埚处于对中时才能保证热场等温线与单晶硅棒同心，从而保证热场稳定，则可以促进单晶硅棒有效生长和减少单晶硅棒原生缺陷(COP)等缺陷。因为石墨坩埚较重，为了能够将其放置于坩埚轴之...
【技术保护点】
1.一种水平对中校准夹具，其特征在于，包括：若干支撑架、若干第一平衡件以及若干可为竖直状态或水平状态的测量组件，其中，/n所述第一平衡件设置于所述支撑架上，所述测量组件活动设置于所述支撑架上，且所述测量组件处于竖直状态时，所述测量组件以第一校准值为基准测量待测量件的第一状态，所述测量组件处于水平状态时，所述测量组件以第二校准值为基准测量待测量件的第二状态。/n
【技术特征摘要】
1.一种水平对中校准夹具，其特征在于，包括：若干支撑架、若干第一平衡件以及若干可为竖直状态或水平状态的测量组件，其中，
所述第一平衡件设置于所述支撑架上，所述测量组件活动设置于所述支撑架上，且所述测量组件处于竖直状态时，所述测量组件以第一校准值为基准测量待测量件的第一状态，所述测量组件处于水平状态时，所述测量组件以第二校准值为基准测量待测量件的第二状态。
2.根据权利要求1所述的水平对中校准夹具，其特征在于，所述测量组件包括可在所述支撑架上进行水平移动、竖直移动和转动的测量尺以及可在所述测量尺上移动的测量指针，所述测量指针移动至所述测量尺上所述第一校准值对应的位置以确定所述待测量件的第一状态，所述测量指针移动至测量尺上所述第二校准值对应的位置以确定所述待测量件的第二状态。
3.根据权利要求2所述的水平对中校准夹具，其特征在于，还包括若干圆形的调节件，所述调节件活动设置于所述支撑架上，所述调节件的圆周方向上设置有用于啮合的若干第一凸起部分，所述测量尺上设置有用于啮合的若干第二凸起部分，所述测量尺通过所述第二凸起部分与所述第一凸起部分相互啮合以使所述测量尺竖直移动和转动。
4.根据权利要求3所述的水平对中校准夹具，其特征在于，所述支撑架上设置有水平方向的滑槽，所述调节件的两侧面上设置有滑杆；其中，所述调节件的滑杆设置于所述滑槽中以使所述调节件沿所述滑槽移动时带动...
【专利技术属性】
技术研发人员：潘浩，其他发明人请求不公开姓名，
申请(专利权)人：西安奕斯伟硅片技术有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61
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