中低压大电流MOSFET脉冲电流过流检测电路制造技术

本发明专利技术属于开关电源和电机控制的技术领域，具体涉及一种中低压大电流MOSFET脉冲电流过流检测电路，包括驱动电路；MOSFET检测电路，其与所述驱动电路的输出端连接；比较电路，其输入端与所述MOSFET检测电路连接；其中，所述比较器检测MOSFET检测电路的导通压降和基准电平。本发明专利技术能够检测出MOSFET通过脉冲电流时的导通压降是否超过安全值，从而确定MOSFET是否过流，保护电路是否需要启动关断MOSFET。

Medium and low voltage high current MOSFET pulse current overcurrent detection circuit

【技术实现步骤摘要】
中低压大电流MOSFET脉冲电流过流检测电路
本专利技术属于开关电源和电机控制的
，具体涉及一种中低压大电流MOSFET脉冲电流过流检测电路。
技术介绍
当MOSFET工作的脉冲电流很大时，比如几十安到几百安，检测MOSFET通过的脉冲电流是否过流的时候，传统的串联电阻检测损耗非常大。为了实现解决上述问题，本专利技术提供了一种中低压大电流MOSFET脉冲电流过流检测电路。
技术实现思路
本专利技术的一个目的是解决至少上述问题和/或缺陷，并提供至少后面将说明的优点。本专利技术还有一个目的是提供中低压大电流MOSFET脉冲电流过流检测电路，以克服传统一般串联电路检测损耗大的问题。为了实现根据本专利技术的这些目的和其它优点，本专利技术提供了中低压大电流MOSFET脉冲电流过流检测电路，包括：驱动电路；MOSFET检测电路，其与所述驱动电路的输出端连接；比较电路，其输入端与所述MOSFET检测电路连接；其中，所述比较器检测MOSFET检测电路的导通压降和基准电平。优选的是，所述MOSFET检测电路包括第一MOSFET和第二MOSFET，所述第一MOSFET的栅极与所述驱动电路的输出端连接，所述第二MOSFET的栅极通过反相器与所述驱动电路的输出端连接，所述第二MOSFET与所述第一MOSFET连接，所述第二MOSFET的漏极与所述比较电路连接。优选的是，还包括电阻R1和电阻R2，所述电阻R1的输入端与所述驱动电路的输出端连接，所述电阻R1的输出端与所述第一MOSFET的栅极连接，所述电阻R2的输入端与所述反相器的输出端连接，所述电阻R2的输出端与所述第二MOSFET的栅极连接。优选的是，所述比较电路包括比较器、电阻R3、电阻R4、电阻R5及电阻R6，所述比较器的输入正端连接所述电阻R5的输入端，所述电阻R5的输出端与所述电阻R3的输入端连接，所述电阻R3的输入端还与所述第二MOSFET的漏极连接，所述电阻R3的输出端与所述第一MOSFET的漏极连接，所述比较器的输入负端分别连接电阻R4和电阻R6的输入端，所述电阻R4和电阻R6的输出端与所述比较器的输出端连接。优选的是，还包括电容C1,所述电容C1的一端连接至所述比较器的输入正端与所述电阻R5的接点处，所述电容C1另一端连接至所述比较器的输出端。优选的是，还包括钳位二极管D1，所述钳位二极管D1的输入端与所述第二MOSFET的漏极连接，所述钳位二极管D1的输出端与所述比较器的输出端连接。优选的是，所述驱动电路为PWM驱动电路。本专利技术至少包括以下有益效果：1、本专利技术提供的中低压大电流MOSFET脉冲电流过流检测电路，其能够通过检测MOSFET的导通压降是否超出设定值，从而检测出MOSFET通过的脉冲电流是否过流。2、本专利技术提供的中低压大电流MOSFET脉冲电流过流检测电路，其能够克服传统一般串联电阻检测损耗大的问题。3、本专利技术提供的中低压大电流MOSFET脉冲电流过流检测电路，其结构简单，成本低，有市场竞争力，便于推广。附图说明图1是本专利技术所述的中低压大电流MOSFET脉冲电流过流检测电路的工作原理图；图2是本专利技术Q1G、Q2G、Q2D、VREF和OUT的信号波形图；其中，Q1：第一MOSFET，Q2：第二MOSFET，Q1B：反相器，U2：比较器，D1：钳位二极管，U2：比较器，Q1G：Q1栅极的信号波形，Q2G：Q2栅极的信号波形，Q2D：Q2漏极的信号波形，VREF：比较器U2输入负端基准电压的波形，OUT：比较器U2S输出波形。具体实施方式下面结合附图对本专利技术做进一步的详细说明，以令本领域技术人员参照说明书文字能够据以实施。在本说明书中，当一个元件被提及为“连接至或耦接至”另一个元件或“设置在另一个元件中”时，其可以“直接”连接至或耦接至另一元件或“直接”设置在另一元件中。或以其他元件介于其间的方式连接至或耦接至另一元件或设置在另一元件中，除非其被体积为“直接耦接至或连接至”另一元件或“直接设置”在另一元件中。此外，应理解，当一个元件被提及为“在另一元件上”、“在另一元件上方”、“在另一元件下”或“在另一元件下方”时，其可与另一元件“直接”接触或以其间介入有其他元件的方式与另一元件接触，除非其被提及为与另一元件直接接触。本专利技术提供了中低压大电流MOSFET脉冲电流过流检测电路，包括：驱动电路；MOSFET检测电路，其与所述驱动电路的输出端连接；比较电路，其输入端与所述MOSFET检测电路连接；其中，所述比较器检测MOSFET检测电路的导通压降和基准电平。本专利技术中的比较电路通过检测MOSFET检测电路中的开关的导通压降和基准电平比较，如果低于基准电平就输出低电平说明主功率管的脉冲电流没有过流，如果高于基准电平比较器就输出高电平说明主功率管已经超出设定的最大电流。在上述情况的基础上，又一个实施例，如图1所示，所述MOSFET检测电路包括第一MOSFET和第二MOSFET，所述第一MOSFET的栅极与所述驱动电路的输出端连接，所述第二MOSFET的栅极通过反相器与所述驱动电路的输出端连接，所述第二MOSFET与所述第一MOSFET连接，所述第二MOSFET的漏极与所述比较电路连接。其中，第一MOSFET为被检测其脉冲电流的MOSFET，也就是主功率管，第二MOSFET为辅助检测MOS管；具体的，还包括电阻R1和电阻R2，所述电阻R1的输入端与所述驱动电路的输出端连接，所述电阻R1的输出端与所述第一MOSFET的栅极连接，所述电阻R2的输入端与所述反相器的输出端连接，所述电阻R2的输出端与所述第二MOSFET的栅极连接。所述驱动电路的输出端分成两路，一路与驱动电阻R1的输入端连接，驱动电阻R1的输出端与主功率管(第一MOSFET)Q1的栅极连接，另一路与所述反相器Q1B的输入端连接，所述反相器Q1B的输出端连接所述驱动电阻R2的输入端，所述驱动电阻R2的输出端与辅助检测管Q2(第二MOSFET)的栅极连接。所述驱动电阻R1和R2用来匹配MOSFET的开关速度。其中，如图2所示，所述Q1G为第一MOSFET栅极的信号波形，所述Q2G为第二MOSFET的栅极的信号波形，Q2D为第二MOSFET的漏极的信号波形，信号波形充分说明了各个MOSFET工作在脉冲状态)在上述实施例的基础上，又一个实施例，所述比较电路包括比较器、电阻R3、电阻R4、电阻R5及电阻R6，所述比较器的输入正端连接所述电阻R5的输入端，所述电阻R5的输出端与所述电阻R3的输入端连接，所述电阻R3的输入端还与所述第二MOSFET的漏极连接，所述电阻R3的输出端与所述第一MOSFET的漏极连接，所述比较器的输入负端分别连接电阻R4和电阻R6的输入端，所述电阻R4和电阻R6的输出端与所述比较器的输出端连接。其中，如图2所示，VREF为比本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种中低压大电流MOSFET脉冲电流过流检测电路，其特征在于，包括：/n驱动电路；/nMOSFET检测电路，其与所述驱动电路的输出端连接；/n比较电路，其输入端与所述MOSFET检测电路连接；/n其中，所述比较器检测MOSFET检测电路的导通压降和基准电平。/n

【技术特征摘要】
1.一种中低压大电流MOSFET脉冲电流过流检测电路，其特征在于，包括：
驱动电路；
MOSFET检测电路，其与所述驱动电路的输出端连接；
比较电路，其输入端与所述MOSFET检测电路连接；
其中，所述比较器检测MOSFET检测电路的导通压降和基准电平。


2.如权利要求1所述的中低压大电流MOSFET脉冲电流过流检测电路，其特征在于，所述MOSFET检测电路包括第一MOSFET和第二MOSFET，所述第一MOSFET的栅极与所述驱动电路的输出端连接，所述第二MOSFET的栅极通过反相器与所述驱动电路的输出端连接，所述第二MOSFET与所述第一MOSFET连接，所述第二MOSFET的漏极与所述比较电路连接。


3.如权利要求2所述的中低压大电流MOSFET脉冲电流过流检测电路，其特征在于，还包括电阻R1和电阻R2，所述电阻R1的输入端与所述驱动电路的输出端连接，所述电阻R1的输出端与所述第一MOSFET的栅极连接，所述电阻R2的输入端与所述反相器的输出端连接，所述电阻R2的输出端与所述第二MOSFET的栅极连接。


4.如权利要求2所述的中低压大电...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟任生，
申请(专利权)人：华羿微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61