一种MOS和IGBT栅极米勒电容效应抑制电路及芯片制造技术

本发明专利技术公开一种MOS和IGBT栅极米勒电容效应抑制电路及芯片，该电路包括：驱动电阻串联在驱动正极与控制端之间，驱动正极用于与半桥驱动芯片的输出正极连接，驱动负极用于与MOS或IGBT的源极、以及半桥驱动芯片的输出负极连接，控制端用于与MOS或IGBT的栅极连接；驱动检测触发电路内设置有基准电压，用于在驱动正极的输入电压低于基准电压时，控制米勒反冲抑制钳位电路工作；米勒反冲抑制钳位电路为三极管钳位电路，并联在MOS或IGBT的栅极与源极的两端，用于在工作时吸收MOS或IGBT产生的米勒电容位移电流，并将MOS或IGBT的栅极电压钳位至0V；本发明专利技术广泛应用于各类半桥式或相近拓扑结构的电源、电机驱动等领域，有效解决因米勒电容而引发的上下桥误导通问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种mos和igbt栅极米勒电容效应抑制电路及芯片。

技术介绍

1、随着功率半导体行业的发展，以及各类电源、电驱类功率半导体的应用普及，对半桥结构的电源、电机驱动类拓扑的安全设计要求越来越高，例如：对功率器件米勒电容引发的栅极误导通问题的技术处理是未来市场技术的必然需求。

2、目前，为了解决mos（金属-氧化物半导体场效应晶体管，metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）和igbt（绝缘栅双极晶体管，insulate-gatebipolar transistor）米勒电容效应带来的误导通问题，传统的半桥式功率拓扑结构通常采取以下两种解决方案：第一、降低开关速度，获得更低的温敏参数；第二、选取低米勒电容的功率半导体。但是，对于第一种解决方案而言，降低开关速度，获得更低的电压变化率，意味着需要牺牲很大的温升及效率性能；对于第二种解决方案而言，低米勒电容的mos或igbt功率半导体通常会存在其他参数方面的不足，无法有效满足系统功率器件的应用，且会存在选型困难、成本本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种MOS和IGBT栅极米勒电容效应抑制电路，其特征在于，电连接在MOS驱动结构的半桥驱动芯片与MOS或IGBT之间；包括驱动正极、驱动负极、控制端、驱动电阻、驱动检测触发电路以及米勒反冲抑制钳位电路；

2.根据权利要求1所述的MOS和IGBT栅极米勒电容效应抑制电路，其特征在于，所述驱动检测触发电路包括比较器；

3.根据权利要求2所述的MOS和IGBT栅极米勒电容效应抑制电路，其特征在于，所述三极管钳位电路包括NPN三极管；

4.根据权利要求3所述的MOS和IGBT栅极米勒电容效应抑制电路，其特征在于，还包括延时反馈电路；p>

5.根据权...

【技术特征摘要】

1.一种mos和igbt栅极米勒电容效应抑制电路，其特征在于，电连接在mos驱动结构的半桥驱动芯片与mos或igbt之间；包括驱动正极、驱动负极、控制端、驱动电阻、驱动检测触发电路以及米勒反冲抑制钳位电路；

2.根据权利要求1所述的mos和igbt栅极米勒电容效应抑制电路，其特征在于，所述驱动检测触发电路包括比较器；

3.根据权利要求2所述的mos和igbt栅极米勒电容效应抑制电路，其特征在于，所述三极管钳位电路包括npn三极管；

4.根据权利要求3所述的mos和igbt栅极米勒电容效应抑制电路，其特征在于，还包括延时反馈电路；

5.根据权利要求4所述的mos和igbt栅极米勒电...

【专利技术属性】
技术研发人员：李福全，张旭生，
申请(专利权)人：华羿微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：