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一种MOS和IGBT栅极米勒电容效应抑制电路及芯片制造技术
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下载一种MOS和IGBT栅极米勒电容效应抑制电路及芯片的技术资料
文档序号:41528404
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本发明公开一种MOS和IGBT栅极米勒电容效应抑制电路及芯片,该电路包括:驱动电阻串联在驱动正极与控制端之间,驱动正极用于与半桥驱动芯片的输出正极连接,驱动负极用于与MOS或IGBT的源极、以及半桥驱动芯片的输出负极连接,控制端用于与MOS...
该专利属于华羿微电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过华羿微电子股份有限公司授权不得商用。
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