清洗方法技术

本发明专利技术涉及反应釜清洗技术领域，特别涉及一种清洗方法，包括向所述反应釜腔室注入清洗水，控制所述超声波清洗器向清洗水介质中发射超声波对所述反应釜腔室内壁上的残留物进行一次清洗；当所述一次清洗完成后，向所述反应釜腔室注入反应溶液，所述反应溶液用于与部分所述残留物发生反应以产生溶解物；控制所述超声波清洗器向所述反应溶液介质中发射超声波对所述溶解物进行二次清洗；当所述二次清洗完成后，向所述反应釜腔室内再次注入所述清洗水并控制所述超声波清洗器发射超声波对所述反应釜腔室内残留的反应溶液进行三次清洗。通过将超声波清洗技术应用到对反应釜的三次清洗过程中，可以在不挪动反应釜的情况下，实现对反应釜的高效清洗工作。

Cleaning method

【技术实现步骤摘要】
清洗方法
本专利技术涉及反应釜清洗
，特别是涉及一种清洗方法。
技术介绍
氮化镓晶体是第三代半导体材料，具有优异的光电性能、热稳定性和化学稳定性。目前，生产氮化镓晶体的方法主要有氢化物气相外延法、高压氮气溶液法、钠助熔剂法和氨热法等。其中，在采用氨热法生产氮化镓晶体时，生产结束时，其使用的反应釜的内壁会残留矿化物、氮化镓多晶及反应中间物等残留物，若不将残留物清洗干净，将影响反应釜的使用寿命及下一次氮化镓晶体的生产质量。目前的生产中，多采用人工手动的方式对反应釜进行搬运清洗，其劳动强度大，费时费力，工作效率较低。但是对于大直径的反应釜，重量为吨级，人工搬运已不现实，需要一种方法尽量不挪动反应釜的情况下，实现反应釜的清洗工作。
技术实现思路
基于此，有必要针对大直径的反应釜无法通过人工手动的方式对反应釜进行搬运清洗的问题，提供一种清洗方法。一种清洗方法，应用于用于清洗反应釜的清洗装置，所述清洗装置包括超声波清洗器，所述超声波清洗器位于所述反应釜腔室内，所述方法包括向所述反应釜腔室注入清洗水，并控制所述超声波清洗器向清洗水介质中发射超声波对所述反应釜腔室内壁上的残留物进行一次清洗；当所述一次清洗完成后，向所述反应釜腔室注入反应溶液，所述反应溶液用于与部分所述残留物发生反应以产生溶解物；控制所述超声波清洗器向所述反应溶液介质中发射超声波对所述溶解物进行二次清洗；当所述二次清洗完成后，向所述反应釜腔室内再次注入所述清洗水并控制所述超声波清洗器向清洗水介质中发射超声波对所述反应釜腔室内残留的反应溶液进行三次清洗。在其中一个实施例中，所述清洗装置还包括反应溶液存储槽，所述反应溶液存储槽与所述反应釜连通设置，所述清洗方法还包括控制所述反应溶液在所述反应釜腔室和所述反应溶液存储槽间循环流动，直至所述二次清洗完成。在其中一个实施例中，所述清洗方法还包括对所述反应溶液进行加热，加热至预设温度。在其中一个实施例中，所述预设温度为60℃至80℃。在其中一个实施例中，所述清洗方法还包括当所述三次清洗完成后，对所述反应釜腔室进行干燥处理。在其中一个实施例中，对所述反应釜腔室进行干燥处理，包括采用温度为60℃至80℃的所述干燥气体对所述反应釜腔室进行干燥处理。在其中一个实施例中，所述清洗装置还包括喷淋系统，所述喷淋系统的出水口朝向所述反应釜设置，所述清洗方法还包括在进行所述一次清洗和三次清洗时，同时控制所述喷淋系统喷淋清洗水冲洗所述反应釜的内外壁。在其中一个实施例中，所述清洗方法还包括当所述反应釜腔室内的清洗水或反应溶液高于预设高度时，开启所述超声波清洗器；当所述反应釜腔室内的清洗水或反应溶液低于预设高度时，关闭所述超声波清洗器。在其中一个实施例中，所述清洗水包括普通水、反渗透水或去离子水。在其中一个实施例中，所述反应溶液包括浓度为0.2kg/L至0.6kg/L的氢氧化钾溶液。本专利技术提供的清洗方法，应用于用于清洗反应釜的清洗装置，所述清洗装置包括超声波清洗器，所述超声波清洗器位于所述反应釜腔室内，所述方法包括向所述反应釜腔室注入清洗水，并控制所述超声波清洗器向清洗水介质中发射超声波对所述反应釜腔室内壁上的残留物进行一次清洗；当所述一次清洗完成后，向所述反应釜腔室注入反应溶液，所述反应溶液用于与部分所述残留物发生反应以产生溶解物；控制所述超声波清洗器向所述反应溶液介质中发射超声波对所述溶解物进行二次清洗；当所述二次清洗完成后，向所述反应釜腔室内再次注入所述清洗水并控制所述超声波清洗器向清洗水介质中发射超声波对所述反应釜腔室内残留的反应溶液进行三次清洗。本专利技术提供的清洗方法首先使用清洗水对反应釜腔室内壁上的残留物进行一次清洗，其次使用反应溶液与反应釜腔室内壁上一次清洗仍然清洗不掉的残留物发生反应，使其溶解以进行二次清洗，最后再次使用清洗水对反应釜腔室内残留的反应溶液进行清洗，以将所述反应釜彻底清洗干净。通过将超声波清洗技术应用到对反应釜的三次清洗过程中，可以在不挪动反应釜的情况下，实现对反应釜的高效清洗工作。附图说明图1为本专利技术其中一实施例的清洗装置的结构组成图；图2为本专利技术其中一实施例的反应釜清洗方法流程图。具体实施方式为了便于理解本专利技术，下面将参照相关附图对本专利技术进行更全面的描述。附图中给出了本专利技术的优选实施方式。但是，本专利技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反的，提供这些实施方式的目的是为了对本专利技术的公开内容理解得更加透彻全面。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本专利技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本专利技术。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。图1为本专利技术其中一实施例的清洗装置的结构组成图，本专利技术所提及的清洗装置包括超声波清洗器100、管路系统200、喷淋系统300和控制系统400(图中未示)。图中带有方向标记的虚线表示管路中清洗水、反应溶液和干燥气体的流通情况。在其中一实施例中，本专利技术使用的所述超声波清洗器100通过固定装置固定于所述反应釜腔室内的中心位置，与所述反应釜腔室的内壁和底部的距离为所述反应釜腔室内径长度的1/4至3/4，以保证所述反应釜腔室的内壁和底部处于所述超声波清洗器100的清洗范围内。所述超声波清洗器100主要通过换能器，将功率超声频源的声能转换成机械振动，将超声波辐射到反应釜中的清洗水或反应溶液中。由于受到超声波的辐射，使所述清洗水或反应溶液中的微气泡能够在声波的作用下保持振动。破坏氮化镓多晶和/或反应中间物与反应釜腔室内壁的吸附，使得所述氮化镓多晶和/或反应中间物受到振动而被剥离。超声波在液体中传播时会产生正负交变的声压，形成射流，冲击清洗件。同时由于非线性效应会产生声流和微声流，而超声空化在固体和液体界面会产生高速的微射流，所有这些作用，能够破坏污物，除去或削弱边界污层，增加搅拌、扩散作用，加速可溶性污物的溶解，强化反应溶液的清洗作用。凡是液体能浸到且声场存在的地方都有清洗作用，可表面形状非常复杂的零件的清洗，并可减少反应溶液的用量，从而节约资源。使用超声波清洗器对所述反应釜进行清洗，具有清洗洁净度高、清洗速度快等优点。在其中一实施例中，所述管路系统包括进水管210、反应溶液输入管220、排放管230、反应溶液存储槽240、输气管250、供水泵260、供液泵270和循环排放泵280。其中，进水管210、反应溶液输入管220、排放管230上均设置有阀门500，阀门500用于控制上述管路的通断。在其中一实施例中，所述进水管210的一端用于连接清洗水源，另一端用于连接至反应釜腔室内。所述进水管210上设置有供水泵260，所述供水泵260用于将清洗水源中的清洗水吸入至进水管210中，通过进水管210将所述清洗水输送至反应釜腔室内，对反应釜腔室的内壁上的残留物进行清洗。在其中本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种清洗方法，其特征在于，应用于用于清洗反应釜的清洗装置，所述清洗装置包括超声波清洗器，所述超声波清洗器位于所述反应釜腔室内，所述方法包括：/n向所述反应釜腔室注入清洗水，并控制所述超声波清洗器向清洗水介质中发射超声波对所述反应釜腔室内壁上的残留物进行一次清洗；/n当所述一次清洗完成后，向所述反应釜腔室注入反应溶液，所述反应溶液用于与部分所述残留物发生反应以产生溶解物；/n控制所述超声波清洗器向所述反应溶液介质中发射超声波对所述溶解物进行二次清洗；/n当所述二次清洗完成后，向所述反应釜腔室内再次注入所述清洗水并控制所述超声波清洗器向清洗水介质中发射超声波对所述反应釜腔室内残留的反应溶液进行三次清洗。/n

【技术特征摘要】
1.一种清洗方法，其特征在于，应用于用于清洗反应釜的清洗装置，所述清洗装置包括超声波清洗器，所述超声波清洗器位于所述反应釜腔室内，所述方法包括：
向所述反应釜腔室注入清洗水，并控制所述超声波清洗器向清洗水介质中发射超声波对所述反应釜腔室内壁上的残留物进行一次清洗；
当所述一次清洗完成后，向所述反应釜腔室注入反应溶液，所述反应溶液用于与部分所述残留物发生反应以产生溶解物；
控制所述超声波清洗器向所述反应溶液介质中发射超声波对所述溶解物进行二次清洗；
当所述二次清洗完成后，向所述反应釜腔室内再次注入所述清洗水并控制所述超声波清洗器向清洗水介质中发射超声波对所述反应釜腔室内残留的反应溶液进行三次清洗。


2.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述清洗装置还包括反应溶液存储槽，所述反应溶液存储槽与所述反应釜连通设置，所述清洗方法还包括：
控制所述反应溶液在所述反应釜腔室和所述反应溶液存储槽间循环流动，直至所述二次清洗完成。


3.根据权利要求2所述的清洗方法，其特征在于，所述清洗方法还包括：
对所述反应溶液进行加热，加热至预设温度。


4.根据权利要求3所述的清洗方法，其特征在于，所述预设温度为...

【专利技术属性】
技术研发人员：乔焜，高明哲，林岳明，
申请(专利权)人：上海玺唐半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31