研磨工艺造成的SOI表面机械损伤的表征方法技术

本申请涉及有半导体技术领域，提供了一种研磨工艺造成的SOI表面机械损伤的表征方法，包括：选取衬底步骤，选取多片SOI衬底；衬底预处理步骤，研磨处理所述SOI衬底，并进行抛光处理；诱生缺陷步骤，对所述SOI衬底进行热处理，并冷却；观测缺陷步骤，使用显微镜观察材料表面的缺陷数量及密度。本发明专利技术利用SOI材料表面存在的机械损伤在经过热处理后会聚集材料内部的间隙氧形成尺寸较大的OISF缺陷这一原理，无需使用SEM测试机台即可表征SOI材料制备工艺过程中由于研磨工艺带来的机械损伤，提高了便利性，降低了成本。

Characterization of SOI surface mechanical damage caused by grinding process

【技术实现步骤摘要】
研磨工艺造成的SOI表面机械损伤的表征方法
本申请涉及半导体领域，特别涉及一种研磨工艺造成的SOI表面机械损伤的表征方法。
技术介绍
绝缘层上硅(SiliconOnInsulator，SOI)是一种三层结构的材料，参见图1所示，最上面是制作器件层的顶层硅，也称器件层，成分为单晶硅，中间是提供绝缘功能的埋氧层，成分是二氧化硅，最下面一层是提供支撑作用的衬底层，成分也是单晶硅。通过在体硅内部形成绝缘层，从而能够实现硅片器件衬底和有源层的全介质隔离，抑制了体硅材料的体效应。采用SOI材料制作而成的SOICMOS(绝缘层上硅金属氧化物半导体)器件能有效减少衬底对器件工作区的影响，从源头上消除体硅电路中的寄生闩锁效应，同时使芯片具备低功耗、高速、耐高温、软误差小等特性，性能明显优于传统体硅器件。最初SOI的制备方法是在抛光后的蓝宝石上生长一层硅薄膜制成的，通过这种方法制备的SOI顶层硅质量差，通常无法满足业界需求。根据应用领域的不同，SOI材料的相应参数也大不相同。器件层的厚度从几个埃到几个微米(μm)，埋氧层厚度从几十埃到几微米(μm)。目前已本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种研磨工艺造成的SOI表面机械损伤的表征方法，其特征在于，包括：/n选取衬底步骤，选取多片SOI衬底；/n衬底预处理步骤，研磨处理所述SOI衬底，并进行抛光处理；/n诱生缺陷步骤，对所述SOI衬底进行热处理，并冷却；/n观测缺陷步骤，使用显微镜观察材料表面的缺陷数量及密度。/n

【技术特征摘要】
1.一种研磨工艺造成的SOI表面机械损伤的表征方法，其特征在于，包括：
选取衬底步骤，选取多片SOI衬底；
衬底预处理步骤，研磨处理所述SOI衬底，并进行抛光处理；
诱生缺陷步骤，对所述SOI衬底进行热处理，并冷却；
观测缺陷步骤，使用显微镜观察材料表面的缺陷数量及密度。


2.根据权利要求1所述的表征方法，其特征在于，各衬底之间的间隙氧含量的差值的最大值小于间隙氧含量平均值的2％。


3.根据权利要求2所述的表征方法，其特征在于，所述衬底预处理步骤包括：各所述衬底分别按照不同的去除量进行抛光处理。...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑兴浪，朱兴文，陈斯琦，
申请(专利权)人：上海大学，
类型：发明
国别省市：上海;31