一种中低温烧结高介电常数陶瓷介质材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开了属于电子材料制造技术领域的一种中低温烧结(烧结温度为900℃‑1200℃)高介电常数陶瓷材料及其制备方法。配方组成为：aBaO‑bMgO‑cAl

A medium and low temperature sintered ceramic dielectric material with high dielectric constant and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
一种中低温烧结高介电常数陶瓷介质材料及其制备方法
本专利技术涉及一种应用于电子元器件的陶瓷材料及其制造方法，具体涉及一种中低温烧结、用于MLCC的高介电常数介质陶瓷材料及其制备方法。
技术介绍
电子信息材料是电子材料及精细化工结合的技术产品，是汽车电子、消费电子、家用电器、信息通讯、航空航天、军工等领域发展的基础。电子信息材料的生产质量、技术创新及技术进步，直接影响了电子元器件及电子整机产品的升级换代水平及速度。片式多层陶瓷电容器(MLCC)是目前用量最大、发展速度最快的片式元器件之一。目前MLCC行业最核心的主要是电介质陶瓷粉料的材料技术、介质薄层化技术、共烧技术等。从根本上可以归结为增大容量、降低成本两个方面。大容量的发展需求使得介质层数在不断增加的同时，介质层的厚度也在不断减薄，这意味电介质材料需要具有较高的介电常数；向着低成本方向发展，则要求降低制备介质陶瓷时的烧结温度来匹配廉价金属电极。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提出一种具有较高介电常数、较低烧结温度且较小的介电常数温度系数电介质陶瓷。本专本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种中低温烧结高介电常数陶瓷介质材料，其特征在于，所述陶瓷介质材料的配方组成为：aBaO-bMgO-cAl

【技术特征摘要】
1.一种中低温烧结高介电常数陶瓷介质材料，其特征在于，所述陶瓷介质材料的配方组成为：aBaO-bMgO-cAl2O3-dTiO2-eSiO2-fNb2O5-gSrO-hPbO，其中的a、b、c、d、e、f、g、h表示各成分的摩尔比例，其数值范围为：2≤a≤15，2≤b≤5，0≤c≤10，4≤d≤16，5≤e≤45，20≤f≤55，16≤g≤27，3≤h≤25。


2.一种制备权利要求1所述的中低温烧结高介电常数陶瓷介质材料的方法，其特征在于，具体步骤如下：
(1)将BaCO3、MgO、Al2O3、TiO2、SiO2、Nb2O5、SrCO3、PbO按摩尔比配料，利用翻转混料机将原料混合3-5h个小时；
(2)将步骤(1)得到的混合料在1400℃-1500℃保温5h-8h，形成玻璃液，快速倒入去离子水中得到玻璃渣；
(3)将步骤(2)制备的玻璃渣进行行星球...

【专利技术属性】
技术研发人员：仪凯，张庆猛，陈均优，杨志民，杨剑，
申请(专利权)人：有研工程技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11