【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】聚(酰胺-酰亚胺)共聚物膜及其制备方法
相关申请的交叉引用本申请要求于2018年1月3日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2018-0000881号和于2018年12月3日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2018-0153913号的申请日的权益,其全部内容通过引用并入本文。本专利技术涉及芳族聚(酰胺-酰亚胺)共聚物膜及其制备方法。
技术介绍
芳族聚酰亚胺树脂是主要具有无定形结构的聚合物,并且由于其刚性链结构而表现出优异的耐热性、耐化学性、电特性和尺寸稳定性。这样的聚酰亚胺树脂被广泛用于电气/电子材料。然而,聚酰亚胺树脂在使用方面具有许多限制,因为聚酰亚胺树脂由于存在于酰亚胺链中的π电子的CTC(chargetransfercomplex,电荷转移络合物)的形成而为深棕色。为了解决该限制并获得无色透明的聚酰亚胺树脂,已经提出了以下方法:通过引入强吸电子基团例如三氟甲基(-CF3)来限制π电子移动的方法;通过向主链中引入砜基(-SO2-)、醚基(-O-)等以形成弯曲结构来减少CTC的形成 ...
【技术保护点】
1.一种芳族聚(酰胺-酰亚胺)共聚物膜,其中550nm波长下的厚度方向上的延迟(Rth)为3000nm或更大,以及根据以下通式1的吸湿率为3.6%或更小:/n[通式1]/n吸湿率(%)=(W1-W2)*100/W2/n在通式1中,W1为通过将所述芳族聚(酰胺-酰亚胺)共聚物膜浸渍在超纯水中24小时测量的重量,以及/nW2为通过在所述浸渍之后将所述芳族聚(酰胺-酰亚胺)共聚物膜在150℃下干燥30分钟测量的重量。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180103 KR 10-2018-0000881;20181203 KR 10-2018-011.一种芳族聚(酰胺-酰亚胺)共聚物膜,其中550nm波长下的厚度方向上的延迟(Rth)为3000nm或更大,以及根据以下通式1的吸湿率为3.6%或更小:
[通式1]
吸湿率(%)=(W1-W2)*100/W2
在通式1中,W1为通过将所述芳族聚(酰胺-酰亚胺)共聚物膜浸渍在超纯水中24小时测量的重量,以及
W2为通过在所述浸渍之后将所述芳族聚(酰胺-酰亚胺)共聚物膜在150℃下干燥30分钟测量的重量。
2.根据权利要求1所述的芳族聚(酰胺-酰亚胺)共聚物膜,其中
所述芳族聚(酰胺-酰亚胺)共聚物膜的550nm波长下的厚度方向上的延迟(Rth)为3000nm至4500nm,以及
根据通式1的吸湿率为2.0%至3.6%。
3.根据权利要求1所述的芳族聚(酰胺-酰亚胺)共聚物膜,其中
根据ASTME424对厚度为25μm至55μm的试样测量的在10%至80%的透射率范围内的抗UV斜率(dT/dλ)为2.80或更大。
4.根据权利要求1所述的芳族聚(酰胺-酰亚胺)共聚物膜,其中所述芳族聚(酰胺-酰亚胺)共聚物膜包含由芳族二胺单体、芳族二酐单体和芳族二羰基单体组成的芳族聚(酰胺-酰亚胺)共聚物。
5.根据权利要求4所述的芳族聚(酰胺-酰亚胺)共聚物膜,其中
在所述芳族聚(酰胺-酰亚胺)共聚物膜中,
基于源自所述芳族二酐单体和所述芳族二羰基单体的重复单元的总摩尔数,所述源自所述芳族二羰基单体的重复单元以51mol%或更大的量包含在内,以及
所述源自所述芳族二羰基单体的重复单元包含10mol%至60mol%的4,4'-联苯二羰基重复单元、10mol%至50mol%的间苯二酰基重复单元和20mol%至70mol%的对苯二酰基重复单元。
6.根据权利要求4所述的芳族聚(酰胺-酰亚胺)共聚物膜,其中
所述芳族二胺单体包括2,2'-双(三氟甲基)-4,4'-联苯二胺,以及
所述芳族二酐单体包括3,3',4,4'-联苯四羧酸二酐或环丁烷-1,2,3,...
【专利技术属性】
技术研发人员:柳飞悟,朴谆龙,朴永锡,崔日焕,太泳智,白宽烈,
申请(专利权)人:株式会社LG化学,
类型:发明
国别省市:韩国;KR
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