【技术实现步骤摘要】
驱动电路和电池保护系统
本专利技术涉及电子电路
,尤其涉及一种驱动电路和电池保护系统。
技术介绍
目前,电池保护电路中包含对外部MOSFET(MOSFET的原意是:MOS-MetalOxideSemiconductor金属氧化物半导体,FET-FieldEffectTransistor场效应晶体管,即以金属层M的栅极隔着氧化层O利用电场的效应来控制半导体S的场效应晶体管)驱动的驱动电路。驱动过强(即电路中的等效电阻小,电流强)的情况下,对芯片的EMI(ElectroMagneticInterference,电磁干扰)具有一定的负向影响;驱动过弱(即电路中的等效电阻大,电流弱)的情况下,又大大降低了MOSFET的开关速度。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了克服上述技术问题,提供一种驱动电路,该驱动电路能够避免驱动过强而对电磁干扰产生负向影响且能够实现强驱动以保证对外部诸如MOSFET的开关器件的开关速度。本专利技术的另一目的是为了提供一种包括上述驱动电路的电池保护系统。为了实现上述 ...
【技术保护点】
1.一种驱动电路,其特征在于,包括控制单元、串联在第一电极与第二电极之间的第一开关器件和第一电阻以及与所述第一电阻并联的第二开关器件,所述第二开关器件在导通时具有小于所述第一电阻的电阻,用于与第三开关器件的控制端连接的保护引脚设于所述第一开关器件与所述第一电阻之间,其中:在第一状态下,所述控制单元控制所述第二开关器件截止且同时控制所述第一开关器件导通以通过第一电阻在所述第一电极与所述第二电极之间形成通路,使得保护引脚输出能够使所述第三开关器件导通的所述第一电极的电压;在第二状态下,所述控制单元控制所述第一开关器件截止且同时控制所述第二开关器件导通设定时间使得所述保护引脚输出 ...
【技术特征摘要】
1.一种驱动电路,其特征在于,包括控制单元、串联在第一电极与第二电极之间的第一开关器件和第一电阻以及与所述第一电阻并联的第二开关器件,所述第二开关器件在导通时具有小于所述第一电阻的电阻,用于与第三开关器件的控制端连接的保护引脚设于所述第一开关器件与所述第一电阻之间,其中:在第一状态下,所述控制单元控制所述第二开关器件截止且同时控制所述第一开关器件导通以通过第一电阻在所述第一电极与所述第二电极之间形成通路,使得保护引脚输出能够使所述第三开关器件导通的所述第一电极的电压;在第二状态下,所述控制单元控制所述第一开关器件截止且同时控制所述第二开关器件导通设定时间使得所述保护引脚输出能够使所述第三开关器件截止的所述第二电极的电压后截止。
2.根据权利要求1所述的驱动电路,其特征在于,所述第一开关器件为第一PMOS晶体管,其漏极与所述第一电阻相连,其源极与所述第一电极相连,其栅极与所述控制单元的输出端相连。
3.根据权利要求1所述的驱动电路,其特征在于,所述第二开关器件为第一NMOS晶体管,其漏极连接于所述第一电阻连接所述第一开关器件的一端,其源极连接于所述第一电阻的另一端,其栅极与所述控制单元的输出端耦接。
4.根据权利要求1所述的驱动电路,其特征在于,所述第二开关器件为第二PMOS晶体管,其源极连接于所述第一电阻连接所述第一开关器件的一端,其漏极连接于所述第一电阻的另一端,其栅极与所述控制单元的输出端耦接。
5.根据权利要求1所述的驱动电路,其特征在于,所述驱动电路还包括第二NMOS晶体管、电流镜单元和第二电阻,其中,所述第二NMOS晶体管的衬底与第三电极相连、其源极与电流偏置源连接、其栅极与所述控制单元的输出端连接且其漏极与所述电流镜单元的输入端连接,所述第三电极的电压小于所述第一电极的电压和所述第二电极的电压,...
【专利技术属性】
技术研发人员:常星,王钊,尹航,
申请(专利权)人:无锡中感微电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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