集成电路、驱动电路及其操作方法技术

电路包括耦合到电源电压节点的保护电路，该电源电压节点被配置为具有电源电压电平，保护电路被配置为在电源电压电平等于或大于阈值电压电平时，生成具有第一逻辑电压电平的第一信号，并且在电源电压电平小于阈值电压电平时，生成具有第二逻辑电压电平的第一信号。栅极驱动器接收第一信号和第二信号，并且当第一信号具有第一逻辑电压电平时，基于第二信号输出第三信号，以及当第一信号具有第二逻辑电压电平时，输出具有第一或第二逻辑电压电平中预定的一个的第三信号。本发明专利技术的实施例还涉及集成电路、驱动电路及其操作方法。

Integrated circuit, driving circuit and operation method

【技术实现步骤摘要】
集成电路、驱动电路及其操作方法
本专利技术的实施例涉及集成电路、驱动电路及其操作方法。
技术介绍
在高压应用中，集成电路(IC)有时包括作为切换器件的基于宽带隙(WBG)半导体的场效应晶体管(FET)，例如氮化镓(GaN)，以有利于高切换速度、低导通电阻，以及高温操作容差。通常，基于硅(Si)的栅极驱动器用于驱动切换器件的栅极。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供了一种驱动电路，包括：保护电路，耦合到电源电压节点，所述电源电压节点被配置为具有电源电压电平，所述保护电路被配置为在所述电源电压电平等于或大于阈值电压电平时，生成具有第一逻辑电压电平的第一信号，以及在所述电源电压电平小于所述阈值电压电平时，生成具有与所述第一逻辑电压电平不同的第二逻辑电压电平的所述第一信号；以及栅极驱动器，被配置为接收所述第一信号和所述第二信号，当所述第一信号具有所述第一逻辑电压电平时，基于所述第二信号输出第三信号，以及当所述第一信号具有第二逻辑电压电平时，输出具有所述第一逻辑电压电平或所述第二逻辑电压电平中预定的一个的所述第三信号。本专利本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种驱动电路，包括：/n保护电路，耦合到电源电压节点，所述电源电压节点被配置为具有电源电压电平，所述保护电路被配置为/n在所述电源电压电平等于或大于阈值电压电平时，生成具有第一逻辑电压电平的第一信号，以及/n在所述电源电压电平小于所述阈值电压电平时，生成具有与所述第一逻辑电压电平不同的第二逻辑电压电平的所述第一信号；以及/n栅极驱动器，被配置为/n接收所述第一信号和所述第二信号，/n当所述第一信号具有所述第一逻辑电压电平时，基于所述第二信号输出第三信号，以及/n当所述第一信号具有第二逻辑电压电平时，输出具有所述第一逻辑电压电平或所述第二逻辑电压电平中预定的一个的所述第三信号。/n

【技术特征摘要】
20180731 US 62/712,961;20190702 US 16/460,5441.一种驱动电路，包括：
保护电路，耦合到电源电压节点，所述电源电压节点被配置为具有电源电压电平，所述保护电路被配置为
在所述电源电压电平等于或大于阈值电压电平时，生成具有第一逻辑电压电平的第一信号，以及
在所述电源电压电平小于所述阈值电压电平时，生成具有与所述第一逻辑电压电平不同的第二逻辑电压电平的所述第一信号；以及
栅极驱动器，被配置为
接收所述第一信号和所述第二信号，
当所述第一信号具有所述第一逻辑电压电平时，基于所述第二信号输出第三信号，以及
当所述第一信号具有第二逻辑电压电平时，输出具有所述第一逻辑电压电平或所述第二逻辑电压电平中预定的一个的所述第三信号。


2.根据权利要求1所述的驱动电路，其中：
所述保护电路包括串联耦合在所述电源电压节点和电源参考节点之间的第一n型高电子迁移率晶体管和第二n型高电子迁移率晶体管(HEMT)，以及
所述保护电路被配置为在第一n型高电子迁移率晶体管和第二n型高电子迁移率晶体管之间的节点处生成第一信号。


3.根据权利要求2所述的驱动电路，其中：
第一n型高电子迁移率晶体管是耗尽型高电子迁移率晶体管，被配置为二极管并耦合在所述电源电压节点和所述节点之间，以及
第二n型高电子迁移率晶体管是增强型高电子迁移率晶体管，耦合在所述节点和所述电源参考节点之间。


4.根据权利要求2所述的驱动电路，其中，所述保护电路还包括：
分压器，被配置为基于所述电源电压电平输出具有电压电平的第一电压；以及
第三n型高电子迁移率晶体管，被配置为基于所述电压电平控制所述第一n型高电子迁移率晶体管或所述第二n型高电子迁移率晶体管中的一个的栅极处的第二电压。


5.根据权利要求4所述的驱动电路，其中，所述分压器包括：
至少一个第一二极管器件，耦合在所述电源电压节点和被配置为生成所述第一电压的电压分接头之间；以及

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡铭宪，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71