The invention discloses a super current electronic switch circuit, the electronic switch circuit includes: m basic circuit units, isolation power supply, signal isolation circuit and drive control circuit; the basic circuit units include: the first MOSFET, the second MOSFET, the first pull-down resistance, the second pull-down resistance, the first gate drive resistance and the second gate drive resistance; the electric The circuit structure can ensure that the current of the test system can reach more than 1000A and can be opened and closed quickly without obstacles; the electronic switch can effectively replace the conventional contactor or relay, and effectively solve the problems such as large volume of contactor or relay, limited operation life, large loss, large driving circuit power, large contact voltage drop and noise. The circuit has the advantages of simple structure, fast and reliable startup and shutdown of electronic switch, low circuit loss, long circuit life and good EMC effect.
【技术实现步骤摘要】
一种超大电流电子开关电路
本专利技术涉及电子开关领域,具体地,涉及一种应用于热离子发电元件之伏安特性测试系统的超大电流电子开关。
技术介绍
在测试系统中输出大电流电路的开关应用上,主流的方式都是采用接触器或继电器进行开通和关断,当接触器线圈通电后,线圈电流产生磁场,产生电磁吸力吸引铁芯,带动接触器内部触点吸合或断开,从而实现对电路电流的开关。随着电路电流的不断增大,由于接触器的结构原因,接触器的尺寸越来越大,同时,控制接触器线圈的启动电流也会逐渐增加,因此,接触器线圈驱动功率大、开关时的噪声以及电磁干扰,接触器的动作寿命以及接触器触点压降大导致的发热和损耗等问题一直是实际应用中需要考虑和解决的关键点和难点。
技术实现思路
本专利技术提供了一种应用于热离子发电元件之伏安特性测试系统的超大电流电子开关电路结构。此电路结构可保证测试系统电流高达1000A以上且进行无障碍快速的开通和关断。该电子开关能有效替代常规的接触器或继电器,有效的解决接触器或继电器体积大、动作寿命有限、损耗大、驱动电路功率大,触点压降大以及噪声等问题。该电路结构实现方式简单,电子开关启动和关断快速可靠,电路损耗低,电路寿命长,同时具有较好的电磁兼容性效果。为实现上述专利技术目的,本申请提供了一种超大电流电子开关电路,所述电子开关电路包括:M个基本电路单元、隔离电源、信号隔离电路和驱动控制电路,M为大于1的整数;基本电路单元包括:第一MOSFET管、第二MOSFET管、第一下拉电阻、第二下拉电阻、第一栅极驱动电 ...
【技术保护点】
1.一种超大电流电子开关电路,其特征在于,所述电子开关电路包括:/nM个基本电路单元、隔离电源、信号隔离电路和驱动控制电路,M为大于1的整数;/n基本电路单元包括:第一MOSFET管、第二MOSFET管、第一下拉电阻、第二下拉电阻、第一栅极驱动电阻和第二栅极驱动电阻;第一MOSFET管的源极与第二MOSFET管的源极连接并接地;第一MOSFET管的栅极与第一下拉电阻的一端和第一栅极驱动电阻的一端均连接;第二MOSFET管的栅极与第二下拉电阻的一端和第二栅极驱动电阻的一端均连接;第一下拉电阻的另一端与第二下拉电阻的另一端连接并接地;第一栅极驱动电阻的另一端和第二栅极驱动电阻的另一端分别与驱动控制电路的输出端连接;其中,第一基本电路单元中的第一MOSFET管的漏极与预设电流电路中的A点连接,第一基本电路单元中的第二MOSFET管的漏极与预设电流电路中的B点连接,第二基本电路单元中第一MOSFET管的漏极与预设电流电路中的A点连接,第二基本电路单元中的第二MOSFET管的漏极与预设电路中的B点连接,使第一基本电路单元和第二基本电路单元中背靠背MOSFET管形成并联的电路连接模式,同理,第三基 ...
【技术特征摘要】
1.一种超大电流电子开关电路,其特征在于,所述电子开关电路包括:
M个基本电路单元、隔离电源、信号隔离电路和驱动控制电路,M为大于1的整数;
基本电路单元包括:第一MOSFET管、第二MOSFET管、第一下拉电阻、第二下拉电阻、第一栅极驱动电阻和第二栅极驱动电阻;第一MOSFET管的源极与第二MOSFET管的源极连接并接地;第一MOSFET管的栅极与第一下拉电阻的一端和第一栅极驱动电阻的一端均连接;第二MOSFET管的栅极与第二下拉电阻的一端和第二栅极驱动电阻的一端均连接;第一下拉电阻的另一端与第二下拉电阻的另一端连接并接地;第一栅极驱动电阻的另一端和第二栅极驱动电阻的另一端分别与驱动控制电路的输出端连接;其中,第一基本电路单元中的第一MOSFET管的漏极与预设电流电路中的A点连接,第一基本电路单元中的第二MOSFET管的漏极与预设电流电路中的B点连接,第二基本电路单元中第一MOSFET管的漏极与预设电流电路中的A点连接,第二基本电路单元中的第二MOSFET管的漏极与预设电路中的B点连接,使第一基本电路单元和第二基本电路单元中背靠背MOSFET管形成并联的电路连接模式,同理,第三基本电路单元中第一MOSFET管的漏极与预设电流电路中的A点连接,第三基本电路单元中的第二MOSFET管的漏极与预设电路中的B点连接,依次类推,第M基本电路单元中第一MOSFET管的漏极与预设电流电路中的A点连接,第M基本电路单元中的第二MOSFET管的漏极与预设电路中的B点连接,预设电流电路中的电流从A点向B点传输;隔离电源用于为信号隔离电路和驱动控制电路供电,信号隔离电路携带控制信号,信号隔离电路与驱动控制电路连接。
2.根据权利要求1所述的超大电流电子开关电路,其特征在于,M个基本电路单元并联在驱动控制电路的输出端。
3.根据权利要求1所述的超大电流电子开关电路,其特征在于,隔离电源将电子开关电路内部电源与外部电源相分离,将隔离电源输...
【专利技术属性】
技术研发人员:李正丽,许永衡,张强,
申请(专利权)人:绵阳市维博电子有限责任公司,
类型:发明
国别省市:四川;51
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