一种操作中断方法、装置、存储设备及存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种操作中断方法、装置、存储设备及存储介质。该方法包括：当在存储器中执行第一操作时，接收输入的目标指令；根据所述目标指令，中断所述第一操作；接收输入的操作指令；根据所述操作指令，在所述存储器中执行所述第二操作。本发明专利技术通过目标指令，中断正在执行的第一操作，并在此之后根据操作指令控制第二操作执行，这样，不需要等待第一操作执行，可以直接响应第二操作，因此，提高了存储器的响应速度。

An interruption method, device, storage device and storage medium

【技术实现步骤摘要】
一种操作中断方法、装置、存储设备及存储介质
本专利技术实施例涉及数据处理技术，尤其涉及一种操作中断方法、装置、存储设备及存储介质。
技术介绍
Nand闪存是一种非易失存储器，它通过对存储单元进行读写擦操作来存储数据，具有改写速度快，存储容量大等优点，被广泛使用到电子产品中，随着flash存储器的大量使用，对其性能的要求也在不断提高。现有的Nand闪存指令集中，任何操作未完成之前，不允许发其他指令。例如，如果一个区域的写操作未完成，想要读另一个区域的储存单元的值，就必须要等待当前操作都做完之后再发新的读指令才可以，这样需要等待较长的时间才能发新的读指令。
技术实现思路
本专利技术提供一种操作中断方法、装置、存储设备及存储介质，以提高响应速度。第一方面，本专利技术实施例提供了一种操作中断方法，包括：当在存储器中执行第一操作时，接收输入的目标指令；根据所述目标指令，中断所述第一操作；接收输入的操作指令；根据所述操作指令，在所述存储器中执行所述第二操作。可选的，所述中断所述第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种操作中断方法，其特征在于，包括：/n当在存储器中执行第一操作时，接收输入的目标指令；/n根据所述目标指令，中断所述第一操作；/n接收输入的操作指令；/n根据所述操作指令，在所述存储器中执行所述第二操作。/n

【技术特征摘要】
1.一种操作中断方法，其特征在于，包括：
当在存储器中执行第一操作时，接收输入的目标指令；
根据所述目标指令，中断所述第一操作；
接收输入的操作指令；
根据所述操作指令，在所述存储器中执行所述第二操作。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述中断所述第一操作之后，所述方法还包括：
接收输入的恢复指令；
根据所述恢复指令，恢复执行所述第一操作。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述目标指令包括中断指令和操作指令，所述接收输入的目标指令之后，所述方法还包括：
根据所述中断指令，中断所述第一操作；
根据所述操作指令，在所述存储器中执行所述第二操作；
当所述第二操作执行完成，恢复执行所述第一操作。


4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述恢复执行所述第一操作，包括：
判断所述存储器是否被访问；
当所述存储器未被访问时，恢复执行所述第一操作；
当所述存储器被访问时，等待执行所述第一操作。


5.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述恢复执行所述第一操作包括：
获取所述数据的中断位置和\或所述存储器的中断位置；
根据所述数据的中断位置和\或所述存储器的中断位置，继续执行所述写操作。

【专利技术属性】
技术研发人员：贺元魁，潘荣华，
申请(专利权)人：北京兆易创新科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11