线路基板及其制作方法技术

技术编号:23534793 阅读:27 留言:0更新日期:2020-03-20 08:35
本发明专利技术提供一种线路基板的制作方法,其包括以下步骤。首先,提供有机基板。有机基板具有相对的上表面与下表面。接着,形成第一介电层于有机基板的上表面上。然后,形成至少一第一导电线路,并使第一导电线路内埋于第一介电层内。其中,有机基板的总厚度变异小于5微米。有机基板平均粗糙度小于100纳米。第一导电线路的线宽介于1微米至5微米之间。

Circuit base plate and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
线路基板及其制作方法
本专利技术涉及一种线路基板及其制作方法,尤其涉及一种具有细线路的线路基板及其制作方法。
技术介绍
目前的电子元件封装系统,例如是3DIC、2.5DIC等等,其是将芯片、中介层、基板以及电路板以堆叠的方式组装而成。也就是说,其电子元件封装系统必需要由3-4层不同的元件组成。其主要原因是,因为芯片的线路布线方式无法直接与一般线路基板或电路板连接,故后续衍生许多封装的变形。因此,如何将电子元件封装系统简单化,以使原来的3-4层架构变成2层架构,为目前亟待解决的问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种线路基板的制作方法,可制作具有细线路的线路基板。本专利技术提供一种线路基板,具有细线路及可直接与芯片进行封装的优势。本专利技术的线路基板的制作方法包括以下步骤。提供有机基板。有机基板具有相对的上表面与下表面。形成第一介电层于有机基板的上表面上。形成至少一第一导电线路,并使第一导电线路内埋于第一介电层内。其中,有机基板的总厚度变异(totoalthicknessvariation,TTV)小于5微米,本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种线路基板的制作方法,包括:/n提供有机基板,所述有机基板具有相对的上表面与下表面;/n形成第一介电层于所述有机基板的所述上表面上;以及/n形成至少一第一导电线路,并使所述第一导电线路内埋于所述第一介电层内,/n其中所述有机基板的总厚度变异小于5微米,且所述有机基板的平均粗糙度小于100纳米,所述第一导电线路的线宽介于1微米至5微米之间。/n

【技术特征摘要】
1.一种线路基板的制作方法,包括:
提供有机基板,所述有机基板具有相对的上表面与下表面;
形成第一介电层于所述有机基板的所述上表面上;以及
形成至少一第一导电线路,并使所述第一导电线路内埋于所述第一介电层内,
其中所述有机基板的总厚度变异小于5微米,且所述有机基板的平均粗糙度小于100纳米,所述第一导电线路的线宽介于1微米至5微米之间。


2.根据权利要求1所述的线路基板的制作方法,其中所述第一导电线路与所述第一介电层齐平。


3.根据权利要求1所述的线路基板的制作方法,在提供所述有机基板之前,还包括:
对所述有机基板进行平坦化制程,其中所述平坦化制程包括化学机械研磨法或快速切削法。


4.根据权利要求1所述的线路基板的制作方法,其中所述有机基板的总厚度变异介于3微米至5微米之间。


5.根据权利要求1所述的线路基板的制作方法,其中所述有机基板的平均粗糙度介于60纳米至100纳米之间。


6.根据权利要求1所述的线路基板的制作方法,其中所述有机基板的材料包括FR-4铜箔基板。


7.根据权利要求1所述的线路基板的制作方法,其中所述第一介电层的材料包括感光型介电材料。


8.根据权利要求1所述的线路基板的制作方法,其中在形成所述第一介电层于所述有机基板的所述上表面上之前,还包括:
形成线路层于所述有机基板的所述下表面上;以及
形成至少一第一导电通孔,使所述第一导电通孔贯穿所述有机基板且电性连接至所述线路层。


9.根据权利要求1所述的线路基板的制作方法,其中在形成所述第一介电层于所述有机基板的所述上表面上之后,还包括:
形成第二导电通孔,使所述第二导电通孔贯穿所述第一介电层,且对准于所述第一导电通孔设置,其中所述第一导电线路通过所述第二导电通孔与所述第一导电通孔电性连接至所述线路层。


10.根据权利要求9所述的线路基板的制作方法,还包括:
形成第二介电层于所述第一介电层上,使所述第二介电层与所述有机基板分别位于所述第一介电层的相对两侧;
形成至少一第二导电线路,使所述第二导电线路...

【专利技术属性】
技术研发人员:谭瑞敏简俊贤叶文亮陈建州
申请(专利权)人:欣兴电子股份有限公司
类型:发明
国别省市:中国台湾;71

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1