微型发光二极管显示面板制造技术

本发明专利技术提供一种微型发光二极管显示面板，包括基板、多个像素结构以及多个波长转换结构。像素结构配置于基板上。每一像素结构包括多个微型发光二极管。微型发光二极管是由相连的磊晶结构的多个不同部分所形成。波长转换结构配置于磊晶结构中，且分别对准至少部分的微型发光二极管。

Micro LED display panel

【技术实现步骤摘要】
微型发光二极管显示面板
本专利技术涉及一种显示面板，尤其涉及一种微型发光二极管显示面板。
技术介绍
在微型发光二极管显示器中，多个垂直式的微型发光二极管可以阵列排列的方式配置于微型发光二极管显示面板上。目前，通常会采用透明导电层(例如是铟锡氧化物)来作为共电极，以使多个垂直式的微型发光二极管可彼此电性连接，进而使微型发光二极管显示器可作动。然而，随着显示器的尺寸放大，作为共电极的铟锡氧化物的厚度也需增厚，以维持横向传导率及低功耗。但是随着共电极的厚度增加，却会使得显示器的出光率降低，并导致有漏光问题。再者，配置于微型发光二极管显示面板上用以色转换的色转换结构会造成表面不平整，更使得后续共电极的制作良率低。
技术实现思路
本专利技术提供一种微型发光二极管显示面板，可增加出光率并减少漏光问题。本专利技术的微型发光二极管显示面板包括基板、多个像素结构以及多个波长转换结构。像素结构配置于基板上。每一像素结构包括多个微型发光二极管。微型发光二极管是由相连的磊晶结构的多个不同部分所形成。波长转换结构配置于磊晶结构中，且分别对准至少部分的微型发光二极管。在本专利技术的一实施例中，上述的磊晶结构包括至少部分相连的第一型半导体层、多个彼此分离的发光层及多个彼此分离的第二型半导体层。发光层配置于第一型半导体层与第二型半导体层之间。在本专利技术的一实施例中，上述的每一波长转换结构的厚度大于第一型半导体层的相连部分的厚度。在本专利技术的一实施例中，上述的微型发光二极管显示面板符合1≦A/B≦50、1.5≦A/C≦70及1.5≦B/C≦15。A为波长转换结构的厚度，B为第一型半导体层的相连部分的厚度，且C为第一型半导体层的相连部分至第二型半导体层的远离波长转换结构的一端于垂直基板的方向上的距离。在本专利技术的一实施例中，上述的磊晶结构的第一型半导体层的不相连部分的厚度大于相连部分的厚度。在本专利技术的一实施例中，上述的不相连部分的厚度与波长转换结构的厚度的比值介于0.9至1.1之间。在本专利技术的一实施例中，上述的微型发光二极管显示面板还包括共用电极层。共用电极层配置于像素结构上，且电性连接至第一型半导体层。在本专利技术的一实施例中，上述的部分的磊晶结构的远离基板的一端与波长转换结构的远离基板的一端共平面。在本专利技术的一实施例中，上述的微型发光二极管显示面板还包括光致抗蚀剂挡层。光致抗蚀剂挡层配置于磊晶结构与波长转换结构之间。在本专利技术的一实施例中，上述的光致抗蚀剂挡层具有导电性。在本专利技术的一实施例中，上述的微型发光二极管的间距小于每一微型发光二极管的宽度。在本专利技术的一实施例中，上述的微型发光二极管的间距与每一微型发光二极管的宽度的比值是落在0.1至0.9的范围内。在本专利技术的一实施例中，上述的微型发光二极管的间距小于等于10微米。在本专利技术的一实施例中，上述的微型发光二极管显示面板还包括分隔层。分隔层配置于微型发光二极管的侧壁上及微型发光二极管之间的磊晶结构的相连部分上。在本专利技术的一实施例中，上述的分隔层包括吸光材料、反射材料、散射材料或上述的组合。在本专利技术的一实施例中，上述的部分的磊晶结构位于相邻的波长转换结构之间。基于上述，在本专利技术的实施例的微型发光二极管显示面板中，可利用相连的磊晶结构做为共电极，以电性连接多个微型发光二极管。接着，通过将波长转换结构配置于磊晶结构中，可使磊晶结构于出光区中且于波长转换结构下方的厚度减薄，亦可降低波长转换结构配置于磊晶结构表面上造成的不平整。因此，相较于现有的微型发光二极管显示面板，本专利技术的实施例的微型发光二极管显示面板，通过相连的部分磊晶结构做共电极以传送电流，又通过保留厚度较厚的不相连的部分磊晶结构以降低功率消耗。此外，厚度减薄的磊晶结构，也可使本专利技术的实施例的微型发光二极管显示面板具有可增加出光率并减少漏光问题的效果。附图说明图1A示出为本专利技术一实施例的微型发光二极管显示面板的上视示意图；图1B为图1A的微型发光二极管显示面板沿剖面线Ⅰ-Ⅰ’的剖面示意图；图2示出为本专利技术另一实施例的微型发光二极管显示面板的剖面示意图；图3示出为本专利技术另一实施例的微型发光二极管显示面板的剖面示意图；图4示出为本专利技术另一实施例的微型发光二极管显示面板的剖面示意图。附图标记说明10、10a、10b、10c：微型发光二极管显示面板100a：非显示区100b：显示区110：基板111：基底112：电路层113、113a：接垫112a：第一驱动电路112b：第二驱动电路120、120c：像素结构121、122、123：微型发光二极管121a、122a、123a：侧壁124：磊晶结构1241：第一型半导体层1241a：相连部分1241b、1241d：不相连部分1241b1：端1241c：平台部分1242：发光层1243：第二型半导体层1243a：端130、131、132：波长转换结构130a、131a：端140：光致抗蚀剂挡层150：共用电极层160、160a：分隔层170：保护层A、B、D：厚度C：距离W1：间距W2：宽度具体实施方式图1A示出为本专利技术一实施例的微型发光二极管显示面板的上视示意图。图1B为图1A的微型发光二极管显示面板沿剖面线Ⅰ-Ⅰ’的剖面示意图。请同时参照图1A与图1B，本实施例的微型发光二极管显示面板10包括基板110、多个像素结构120以及多个波长转换结构130、131。基板110包括基底111以及配置于基底111上的电路层112。电路层112包括第一驱动电路112a、第二驱动电路112b以及多个开关元件(未示出)。第一驱动电路112a以及第二驱动电路112b位于微型发光二极管显示面板10的非显示区100a。基底111例如是塑胶基板、玻璃基板或蓝宝石基板，可具有固定性且表面平整，但不以此为限。在本实施例中，像素结构120以阵列排列的方式配置于基板110上。像素结构120位于微型发光二极管显示面板10的显示区100b中。每一像素结构120包括出光区120a以及非出光区120b。每一像素结构120包括多个配置于出光区120a的微型发光二极管121、122、123。在本实施例中，相邻的微型发光二极管121、122、123的间距W1例如是小于等于10微米，且微型发光二极管121、122、123的宽度W2例如是小于等于10微米，但不以此为限。在一些实施例中，相邻的微型发光二极管121、122、123的间距W1例如是小于等于5微米，且微型发光二极管121、122、123的宽度W2例如是小于等于5微米，以使微型发光二极管显示面板10具有较高的解析度。进一步来说，在本实施例中，相邻的微型发光本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微型发光二极管显示面板，其特征在于，包括：/n基板；/n多个像素结构，配置于所述基板上，每一像素结构包括多个微型发光二极管，其中所述多个微型发光二极管是由相连的磊晶结构的多个不同部分所形成；以及/n多个波长转换结构，配置于所述磊晶结构中，且分别对准至少部分的所述多个微型发光二极管。/n

【技术特征摘要】
1.一种微型发光二极管显示面板，其特征在于，包括：
基板；
多个像素结构，配置于所述基板上，每一像素结构包括多个微型发光二极管，其中所述多个微型发光二极管是由相连的磊晶结构的多个不同部分所形成；以及
多个波长转换结构，配置于所述磊晶结构中，且分别对准至少部分的所述多个微型发光二极管。


2.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示面板，其特征在于，所述磊晶结构包括一至少部分相连的第一型半导体层、多个彼此分离的发光层及多个彼此分离的第二型半导体层，且所述多个发光层配置于所述第一型半导体层与所述多个第二型半导体层之间。


3.根据权利要求2所述的微型发光二极管显示面板，其特征在于，每一波长转换结构的厚度大于所述第一型半导体层的相连部分的厚度。


4.根据权利要求2所述的微型发光二极管显示面板，其特征在于，所述微型发光二极管显示面板符合1≦A/B≦50、1.5≦A/C≦70及1.5≦B/C≦15，其中A为所述多个波长转换结构的厚度，B为所述第一型半导体层的相连部分的厚度，且C为所述第一型半导体层的所述相连部分至所述多个第二型半导体层的远离所述多个波长转换结构的一端于垂直所述基板的方向上的距离。


5.根据权利要求2所述的微型发光二极管显示面板，其特征在于，所述磊晶结构的所述第一型半导体层的不相连部分的厚度大于所述相连部分的厚度。


6.根据权利要求5所述的微型发光二极管显示面板，其特征在于，所述不相连部分的厚度与所述波长转换结构的厚度的比值介于0.9至1.1之间。


7.根据权利要求2所述的微型发光二极管显示面...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗玉云，孙圣渊，吴志凌，陈彦烨，
申请(专利权)人：錼创显示科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71