一种四氧化三钴的无溶剂合成方法及其应用技术

本发明专利技术涉及一种四氧化三钴的无溶剂合成方法及应用，将二价钴源与碱源通过固相研磨的方法充分混合，然后静置加热即可形成，不使用任何的溶剂，而且操作温度相对温和，合成的时空效率较高，对丙酮、甲苯等气体也有较好的气敏性能，除此之外，无溶剂法合成的四氧化三钴具有较高的电容密度，在电池负极材料的应用也有较好的前景。

A solvent-free synthesis method of cobalt tetroxide and its application

【技术实现步骤摘要】
一种四氧化三钴的无溶剂合成方法及其应用
本专利技术公开了一种四氧化三钴的无溶剂合成方法及其应用，涉及四氧化三钴的合成与应用领域。
技术介绍
四氧化三钴是一种宽禁带宽度的半导体材料，禁带宽度为2.1eV，可以用于锂离子电池(Mater.Res.Bull.,1997,32,9-14)、气体传感器(Sens.Actuators,B,2010,146,183-189)、超级电容(J.PowerSources,2010,195,1757-1760)、磁性材料(J.Magn.Magn.Mater.,2002,246,184-190)、多相催化剂(Chem.Mater.,2002,14,3090-3099)等领域。除了在上述方面的潜在应用外，四氧化三钴在锂离子电池负极材料也极具应用前景。目前广泛应用的商业化石墨类碳负极材料具有良好的循环性能，但其比容量(300～350mA·h/g)较低.不能满足高比能量电池的发展要求。迫切需要进行新型高容量负极材料的探索和研究。三氧化二铁(Fe2O3)、四氧化三钴(Co3O4)、氧化镍(NiO)、二氧化锰(MnO2)本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种四氧化三钴的无溶剂合成方法,其特征在于，将钴源和碱源MOH，混合在一起充分研磨后置密闭体系中反应5分钟～24小时，然后过滤洗涤干燥，得到四氧化三钴。/n

【技术特征摘要】
1.一种四氧化三钴的无溶剂合成方法,其特征在于，将钴源和碱源MOH，混合在一起充分研磨后置密闭体系中反应5分钟～24小时，然后过滤洗涤干燥，得到四氧化三钴。


2.根据权利1所述的四氧化三钴的无溶剂合成方法,其特征在于，所述钴源选自乙酸钴、四水合乙酸钴、七水合硫酸钴的至少一种。


3.根据权利1所述的四氧化三钴的无溶剂合成方法,其特征在于，所述碱源MOH可以选择氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化钡、氢氧化铯中的至少一种。


4.根据权利1所述的四氧化三钴的无溶剂合成方法,其特征在于，碱源MOH与钴源中Co2+的摩尔比为MOH/Co2+＝0.05～2。


5.根据权利1所述的四氧化三钴的无溶剂合成方法,其特征在于，所述研磨时间为5～10分钟。


6.根据权利1所述的四氧化三钴的无溶剂合成方法,...

【专利技术属性】
技术研发人员：季澎，章伟，田仁兵，郑华，张耿，张绍强，胡君，刘敏霞，李仪，
申请(专利权)人：东莞理工学院，
类型：发明
国别省市：广东;44