恒流电路制造技术

提供恒流电路，该恒流电路是制造成本较低且在高电压电路中具有良好的电流特性的恒流电路。构成为具备串联连接在第一端子与第二端子之间的高耐压的耗尽型NMOS晶体管和低耐压的耗尽型NMOS晶体管，低耐压的耗尽型NMOS晶体管具备串联连接的第一耗尽型NMOS晶体管和第二耗尽型NMOS晶体管，高耐压的耗尽型NMOS晶体管的栅极连接于第一耗尽型NMOS晶体管与第二耗尽型NMOS晶体管的连接点。

Constant current circuit

【技术实现步骤摘要】
恒流电路
本专利技术涉及恒流电路。
技术介绍
要求恒流电路在高电压电路中也具有良好的电流特性。图3所示的现有的恒流电路300由低耐压的耗尽型NMOS晶体管30和高耐压的耗尽型NMOS晶体管31构成。NMOS晶体管30的源极和栅极与端子N2连接，漏极与NMOS晶体管31的源极连接。NMOS晶体管31的栅极与端子N2连接，漏极与端子N1连接。恒流电路300的NMOS晶体管30的漏极-源极间电压被限制在NMOS晶体管31的阈值电压的绝对值以下，因此，能够降低因NMOS晶体管30的沟道长度调制效应引起的电流的变动，能够得到稳定的恒定电流(例如，参照专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2005-222301号公报然而，现有的恒流电路300为了作为恒流电路进行动作，需要高耐压的NMOS晶体管31的阈值电压的绝对值大于低耐压的NMOS晶体管30的阈值电压的绝对值。即，由于高耐压的NMOS晶体管31的阈值电压受到限制，因此，在是与同样的高耐压的NMOS晶体管不同的阈值电压的情况下本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种恒流电路，所述恒流电路具备：/n高耐压的耗尽型NMOS晶体管，其漏极与第一端子连接；和/n低耐压的耗尽型NMOS晶体管，其漏极与所述高耐压的耗尽型NMOS晶体管的源极连接，源极与第二端子连接，/n所述恒流电路的特征在于，/n所述低耐压的耗尽型NMOS晶体管具有串联连接的第一耗尽型NMOS晶体管和第二耗尽型NMOS晶体管，/n所述高耐压的耗尽型NMOS晶体管的栅极连接于所述第一耗尽型NMOS晶体管与所述第二耗尽型NMOS晶体管的连接点。/n

【技术特征摘要】
20180831 JP 2018-1629081.一种恒流电路，所述恒流电路具备：
高耐压的耗尽型NMOS晶体管，其漏极与第一端子连接；和
低耐压的耗尽型NMOS晶体管，其漏极与所述高耐压的耗尽型NMOS晶体管的源极连接，源极与第二端子连接，
所述恒流电路的特征在于，
所述低耐压的耗尽型NMOS晶体管具有串联连接的第一耗尽型NMOS晶体管和第二耗尽型NMOS晶体管，...

【专利技术属性】
技术研发人员：松田贵志，前谷文彦，
申请(专利权)人：艾普凌科有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP