巴比妥酸衍生物修饰的二硫化钼二维纳米材料及其应用制造技术

本发明专利技术公开了一类具有多样化亲疏水性质和电荷的硫代巴比妥酸衍生物类分子修饰的二硫化钼二维纳米材料，是式(Ⅰ)至式(IX)所示的Ligand 1～Ligand 9配体分子化合物分别修饰的二硫化钼纳米材料，依次命名为MoS

Two dimensional molybdenum disulfide Nanomaterials Modified by barbituric acid derivatives and their applications

【技术实现步骤摘要】
巴比妥酸衍生物修饰的二硫化钼二维纳米材料及其应用
本专利技术涉及一类二硫化钼二维纳米材料及其应用，尤其是一类具有多样化亲疏水性质和电荷的硫代巴比妥酸衍生物类分子修饰的二硫化钼二维纳米材料及其应用，属表面功能化修饰的纳米材料及其应用领域。
技术介绍
随着纳米技术的发展，工程纳米颗粒在生产生活和纳米医药中具有广泛的应用。纳米颗粒的微小尺寸因其能够渗透组织包括淋巴，并随后被效应细胞吞噬，使其可用于生物医药。在从疾病诊断到疾病治疗的各种医学应用中纳米颗粒已经被意识到非常有用且可能带来意想不到的效果。其中，二维纳米材料因其可定制的尺寸和形状，表面功能化和生物相容性等有利的物理化学性质，已开始广泛应用于生物医药领域，例如疫苗佐剂、生物成像、纳米载药、纳米传感等方面。纳米颗粒作为一种外来物质进入人体时，通过与生物系统的相互作用干扰人体的稳态调节系统。纳米材料与生物系统的相互作用与其形状、大小、组成、电荷及表面化学密切相关，其中表面功能化修饰在纳米材料的生物医药应用中起着重要作用。然而，经检索，有关合成具有多样化亲疏水性质和电荷的硫代巴比妥酸衍本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一类具有多样化亲疏水性质和电荷的硫代巴比妥酸衍生物类分子修饰的二硫化钼二维纳米材料，其特征是：/n所述二硫化钼二维纳米材料是式(Ⅰ)所示的Ligand 1配体分子化合物修饰的二硫化钼纳米材料，命名为MoS

【技术特征摘要】
1.一类具有多样化亲疏水性质和电荷的硫代巴比妥酸衍生物类分子修饰的二硫化钼二维纳米材料，其特征是：
所述二硫化钼二维纳米材料是式(Ⅰ)所示的Ligand1配体分子化合物修饰的二硫化钼纳米材料，命名为MoS2-1，其形状为片状，平均厚度为10.9nm，Zeta电位为-2.1mV，PDI值为0.132，以硫原子数量计配体上载率为35.9％；



或是式(Ⅱ)所示的Ligand2配体分子化合物修饰的二硫化钼纳米材料，命名为MoS2-2，其形状为片状，平均厚度为11.7nm，Zeta电位为-15.2mV，PDI值为0.132，以硫原子数量计配体上载率为32.8％；



或是式(Ⅲ)所示的Ligand3配体分子化合物修饰的二硫化钼纳米材料，命名为MoS2-3，其形状为片状，平均厚度为11.6nm，Zeta电位为-21.3mV，PDI值为0.132，以硫原子数量计配体上载率为31.4％；



或是式(IV)所示的Ligand4配体分子化合物修饰的二硫化钼纳米材料，命名为MoS2-4，其形状为片状，平均厚度为10.3nm，Zeta电位为-26.3mV，PDI值为0.132，以硫原子数量计配体上载率为34.8％；



或是式(V)所示的Ligand5配体分子化合物修饰的二硫化钼纳米材料，命名为MoS2-5，其形状为片状，平均厚度为10.3nm，Zeta电位为-34.9mV，PDI值为0.132，以硫原子数量计配体上载率为38.6％；



或是式(VI)所示的Ligand6配体分子化合物修饰的二硫化钼纳米材料，命名为MoS2-6，其形状为片状，平均厚度为13.1nm，Zeta电位为-32.1mV，PDI值为0.132，以硫原子数量计配体上载率为35.9％；



或是式(VII)所示的Ligand7配体分子化合物修饰的二硫化钼纳米材料，命名为MoS2-7，其形状为片状，平均厚度为12.9nm，Zeta电位为-13.8mV，PDI值为0.132，以硫原子数量计配体上载率为32.8％；



或是式(VⅢ)所示的Ligand8配体分子化合物修饰的二硫化钼纳米材料，命名为MoS2-8，其形状为片状，平均厚度为12.3nm，Zeta电位为-16.7mV，PDI值为0.132，以硫原子数量计配体上载率为31.8％；


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【专利技术属性】
技术研发人员：翟淑梅，王小玲，闫兵，王深清，江翠娟，
申请(专利权)人：山东大学，
类型：发明
国别省市：山东;37