含Ho和/或Gd的合金、稀土永磁体、原料、制备方法、用途技术

本发明专利技术公开了一种含Ho和/或Gd的合金、稀土永磁体、原料、制备方法、用途。含Ho和/或Gd的合金包括以下组分：Ho和/或Gd：29～39wt％，B：0.8～1.2wt％，M：0～6wt％，余量为Fe及不可避免的杂质；M包括Cu、Co、Al、Zr、Nb、Ti、Ga、V、W、Hf、Ta、Mn、Ni、Ge、S和Si元素中的一种或者多种。使用含Ho和/或Gd的合金作为稀土永磁体中的一种主相合金，所制备的稀土永磁体具有低温度敏感性，拓宽了烧结钕铁硼永磁体的应用范围，剩磁温度系数绝对值低至0.0505％，矫顽力温度系数绝对值低至0.382％。

Alloy containing Ho and / or Gd, rare earth permanent magnet, raw material, preparation method and Application

【技术实现步骤摘要】
含Ho和/或Gd的合金、稀土永磁体、原料、制备方法、用途
本专利技术涉及含Ho和/或Gd的合金、稀土永磁体、原料、制备方法、用途。
技术介绍
钕铁硼永磁材料以优异的磁性能自专利技术以来得到快速发展，已经广泛用于精密电子、动力电机及家电医疗等领域，是目前使用量最大的稀土永磁材料。在烧结钕铁硼产业化以来，科技工作者一直在致力于改善永磁体的温度敏感性，例如在烧结钕铁硼磁体中添加一定的Tb、Dy重稀土元素，能显著提高磁体的矫顽力，但Tb、Dy重稀土元素在地壳中储量有限，价格十分昂贵；添加大量的Co虽然能有效提高磁体的居里温度，改善磁体的温度敏感性，但由于在熔炼阶段添加大量Co将导致磁体矫顽力降低，同时Co是战略金素，增加Co含量必然加大生产企业的制造成本。近年来，双合金工艺广泛应用烧结钕铁硼磁体的生产中，研究表明在晶界处添加重稀土元素，增强主相边界层的各向异性场，可以显著提高磁体的矫顽力。因此，亟需一种可以降低磁体的温度敏感性且提高矫顽力的工艺。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是克服现有技术中稀土永磁体对温度敏感本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种含Ho和/或Gd的合金，其特征在于，以重量百分比计，其包括以下组分：H：29～39wt％；B：0.8～1.2wt％；M：0～6wt％；余量为Fe及不可避免的杂质；/n所述H包括Ho和/或Gd；/n所述M包括Cu、Co、Al、Zr、Nb、Ti、Ga、V、W、Hf、Ta、Mn、Ni、Ge、S和Si元素中的一种或者多种，wt％是指在所述含Ho和/或Gd的合金中的重量百分比。/n

【技术特征摘要】
1.一种含Ho和/或Gd的合金，其特征在于，以重量百分比计，其包括以下组分：H：29～39wt％；B：0.8～1.2wt％；M：0～6wt％；余量为Fe及不可避免的杂质；
所述H包括Ho和/或Gd；
所述M包括Cu、Co、Al、Zr、Nb、Ti、Ga、V、W、Hf、Ta、Mn、Ni、Ge、S和Si元素中的一种或者多种，wt％是指在所述含Ho和/或Gd的合金中的重量百分比。


2.如权利要求1所述的含Ho和/或Gd的合金，其特征在于，当所述H包括Ho时，所述Ho的含量范围为29～35wt％或33～39wt％，例如29wt％、30wt％、33wt％、35wt％或38.6wt％，wt％是指在所述含Ho和/或Gd的合金中的重量百分比；
和/或，当所述H包括Gd时，所述Gd的含量范围为29～39wt％，wt％是指在所述含Ho和/或Gd的合金中的重量百分比；
和/或，所述B的含量范围为0.8～1wt％或0.9～1.2wt％，例如0.8wt％、0.92wt％、1wt％或1.2wt％，wt％是指在所述含Ho和/或Gd的合金中的重量百分比；
和/或，所述M的含量范围为0～3wt％或2～5wt％；
和/或，所述M的种类包括Cu、Co、Ga、Zr、Ti、Nb和Al中的一种或多种；
和/或，当所述M包括Cu时，所述Cu的含量范围为0.1～0.3wt％或0.2～0.5wt％，例如0.1wt％、0.15wt％、0.25wt％或0.35wt％，wt％是指在所述含Ho和/或Gd的合金中的重量百分比；
和/或，当所述M包括Co时，所述Co的含量范围为2～3wt％或2.5～4wt％，例如2wt％、2.5wt％、3.1wt％或3.5wt％，wt％是指在所述含Ho和/或Gd的合金中的重量百分比；
和/或，当所述M包括Ga时，所述Ga的含量范围为0.1～0.3wt％或0.2～0.5wt％，例如0.15wt％、0.2wt％、0.23wt％或0.3wt％，wt％是指在所述含Ho和/或Gd的合金中的重量百分比；
和/或，当所述M包括Zr时，所述Zr的含量范围为0～0.2wt％，例如0wt％或0.2wt％，wt％是指在所述含Ho和/或Gd的合金中的重量百分比；
和/或，当所述M包括Ti时，所述Ti的含量范围为0.1～0.3wt％，例如0.15wt％、0.2wt％或0.23wt％，wt％是指在所述含Ho和/或Gd的合金中的重量百分比；
和/或，当所述M包括Nb时，所述Nb的含量范围为0～0.2wt％，例如0wt％或0.2wt％，wt％是指在所述含Ho和/或Gd的合金中的重量百分比；
和/或，当所述M包括Al时，所述Al的含量范围为0.1～0.3wt％，例如0.1wt％、0.12wt％、0.15wt％或0.2wt％，wt％是指在所述含Ho和/或Gd的合金中的重量百分比；
或者，以重量百分比计，所述含Ho和/或Gd的合金包括以下组分：Ho29～35wt％，B0.8～1wt％，Cu0.1～0.3wt％，Co2～3wt％，Ga0.1～0.3wt％，Zr0～0.2wt％，Ti0.1～0.3wt％，Nb0～0.2wt％，Al0.1～0.3wt％，余量为Fe及不可避免的杂质；wt％是指在所述含Ho和/或Gd的合金中的重量百分比；
或者，以重量百分比计，所述含Ho和/或Gd的合金包括以下组分：Ho33～39wt％，B0.9～1.2wt％，Cu0.2～0.5wt％，Co2.5～4wt％，Ga0.2～0.5wt％，Zr0～0.2wt％，Ti0.1～0.3wt％，Nb0～0.2wt％，Al0.1～0.3wt％，余量为Fe及不可避免的杂质；wt％是指在所述含Ho和/或Gd的合金中的重量百分比；
或者，以重量百分比计，所述含Ho和/或Gd的合金包括以下组分：Ho29～35wt％，B0.8～1wt％，Cu0.2～0.5wt％，Co2.5～4wt％，Ga0.1～0.3wt％，Zr0～0.2wt％，Ti0.1～0.3wt％，Nb0～0.2wt％，Al0.1～0.3wt％，余量为Fe及不可避免的杂质；wt％是指在所述含Ho和/或Gd的合金中的重量百分比；
或者，以重量百分比计，所述含Ho和/或Gd的合金包括以下组分：Ho30wt％，B0.92wt％，Cu0.15wt％，Co2.5wt％，Ga0.23wt％，Zr0wt％，Ti0.2wt％，Nb0wt％，Al0.1wt％，余量为Fe及不可避免的杂质；wt％是指在所述含Ho和/或Gd的合金中的重量百分比；
或者，以重量百分比计，所述含Ho和/或Gd的合金包括以下组分：Ho33wt％，B0.8wt％，Cu0.25wt％，Co2wt％，Ga0.15wt％，Zr0wt％，Ti0wt％，Nb0.2wt％，Al0.12wt％，余量为Fe及不可避免的杂质；wt％是指在所述含Ho和/或Gd的合金中的重量百分比；
或者，以重量百分比计，所述含Ho和/或Gd的合金包括以下组分：Ho35wt％，B1.2wt％，Cu0.1wt％，Co3.1wt％，Ga0.2wt％，Zr0.2wt％，Ti0wt％，Nb0wt％，Al0.15wt％，余量为Fe及不可避免的杂质；wt％是指在所述含Ho和/或Gd的合金中的重量百分比；
或者，以重量百分比计，所述含Ho和/或Gd的合金包括以下组分：Ho29wt％，B0.92wt％，Cu0.35wt％，Co3.5wt％，Ga0.3wt％，Zr0wt％，Ti0.15wt％，Nb0wt％，Al0.2wt％，余量为Fe及不可避免的杂质；wt％是指在所述含Ho和/或Gd的合金中的重量百分比；
或者，以重量百分比计，所述含Ho和/或Gd的合金包括以下组分：Ho38.6wt％，B1wt％，Cu0.15wt％，Co2.5wt％，Ga0.2wt％，Zr0wt％，Ti0.23wt％，Nb0wt％，Al0.1wt％，余量为Fe及不可避免的杂质；wt％是指在所述含Ho和/或Gd的合金中的重量百分比。


3.一种如权利要求1所述的含Ho和/或Gd的合金在稀土永磁体中的应用。


4.一种稀土永磁体，其特征在于，以重量百分比计，其包括如下组分：R：4～20wt％；H：13～30wt％；B：0.7～1.2wt％；M：0～6wt％；余量为Fe及不可避免的杂质；
所述R包括PrNd或Nd；
所述H包括Ho和/或Gd；
所述M包括Cu、Co、Al、Zr、Nb、Ti、Ga、V、W、Hf、Ta、Mn、Ni、Ge、Si、S和Si元素中的一种或者多种；wt％是指在所述稀土永磁体中的重量百分比。


5.如权利要求4所述的稀土永磁体，其特征在于，以重量百分比计，当所述R包括Nd时，所述Nd的含量范围为4～20wt％，wt％是指在所述稀土永磁体中的重量百分比；
或者，当所述R包括PrNd时，所述PrNd的含量范围为4～12wt％或10～20wt％，较佳地为4～17wt％，例如5.85wt％、6.05wt％、8.77wt％、8.85wt％、11.69wt％、14.12wt％、14.61wt％或15.11wt％，wt％是指在所述稀土永磁体中的重量百分比；
和/或，当所述H包括Gd时，所述Gd的含量范围为13～30wt％，wt％是指在所述稀土永磁体中的重量百分比；
和/或，当所述H包括Ho时，所述Ho的含量范围为13～25wt％或20～30wt％，例如14.85～27.72wt％，再例如14.85wt％、17.23wt％、17.82wt％、20.1wt％、22.87wt％、24.5wt％、26.75wt％或27.72wt％，wt％是指在所述稀土永磁体中的重量百分比；
和/或，所述B的含量范围为0.7～1wt％或0.9～1.2wt％，例如0.79wt％、0.85wt％、0.86wt％、0.88wt％、0.93wt％、1.05wt％、1.08wt％、1.11wt％或1.19wt％，wt％是指在所述稀土永磁体中的重量百分比；
和/或，所述M的含量为0～4wt％；
和/或，所述M的种类包括Cu、Co、Ga、Zr、Ti、Nb和Al中的一种或多种；
和/或，当所述M包括Cu时，所述Cu的含量范围为0.1～0.5wt％，较佳地为0.1～0.3wt％或0.2～0.5wt％，例如0.11wt％、0.12wt％、0.13wt％、0.15wt％、0.18wt％、0.19wt％、0.2wt％、0.25wt％、0.31wt％或0.32wt％，wt％是指在所述稀土永磁体中的重量百分比；
和/或，当所述M包括Co时，所述Co的含量范围为1.5～3wt％，较佳地为1.7～2.5wt％或2～3wt％，例如1.73wt％、1.83wt％、1.98wt％、2.08wt％、2.18wt％、2.62wt％、2.67wt％、2.69wt％、2.75wt％或2.87wt％，wt％是指在所述稀土永磁体中的重量百分比；
和/或，当所述M包括Ga时，所述Ga的含量范围为0.14～0.3wt％，例如0.16wt％、0.18wt％、0.21wt％、0.22wt％、0.24wt％、0.26wt％或0.28wt％，wt％是指在所述稀土永磁体中的重量百分比；
和/或，当所述M包括Zr时，所述Zr的含量范围为0.05～0.2wt％，例如0.05wt％、0.059wt％、0.079wt％、0.1wt％、0.11wt％或0.2wt％，wt％是指在所述稀土永磁体中的重量百分比；
和/或，当所述M包括Ti时，所述Ti的含量范围为0～0.16wt％，例如0wt％、0.089wt％、0.1wt％、0.12wt％或0.16wt％，wt％是指在所述稀土永磁体中的重量百分比；
和/或，当所述M包括Nb时，所述Nb的含量范围为0～0.15wt％，例如0wt％或0.14wt％，wt％是指在所述稀土永磁体中的重量百分比；
和/或，当所述M包括Al时，所述Al的含量范围为0.05～0.15wt％，例如0.05wt％、0.059wt％、0.069wt％、0.083wt％、0.11wt％、0.12wt％或0.14wt％，wt％是指在所述稀土永磁体中的重量百分比；
或者，以重量百分比计，所述稀土永磁体包括以下组分：PrNd4～12wt％，Ho13～25wt％，B0.7～1w...

【专利技术属性】
技术研发人员：王金磊，黄清芳，许德钦，刘少伟，
申请(专利权)人：厦门钨业股份有限公司，福建省长汀金龙稀土有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35