适用于高原冻土的气膜基础结构及其施工方法技术

本发明专利技术提供了一种适用于高原冻土的气膜基础结构及其施工方法。气膜基础结构包括气膜本体和气膜基础，气膜本体与地面之间围成气膜腔体，气膜本体安装在气膜基础上，气膜基础包括：基础本体，基础本体的至少一部分埋设在地面的下方；齿结构，齿结构设置在基础本体的侧立面上，以增加气膜基础与地层之间的抗拔性能。本发明专利技术解决了现有技术中气膜结构存在保护冻土层和满足上拔力不能兼顾的问题。

Air membrane foundation structure suitable for Permafrost on Plateau and its construction method

【技术实现步骤摘要】
适用于高原冻土的气膜基础结构及其施工方法
本专利技术涉及气膜建筑设备
，具体而言，涉及一种适用于高原冻土的气膜基础结构及其施工方法。
技术介绍
气膜建筑属于气承式建筑，整个气膜建筑对基础施加的不是下压力，而是上拔力，常见的气膜基础都是采用钢筋混凝土的形式，其基础约有1.0至1.5米埋在地下，约有0.3至0.6米在地面以上，才能满足气膜建筑的上拔力和水平力。但是在高原地区冻土层较浅，在埋设基础时，埋设过深时极易破坏冻土层，埋设过浅时不能满足气膜建筑的上拔力和水平力。也就是说，现有技术中气膜结构存在保护冻土层和满足上拔力不能兼顾的问题。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种适用于高原冻土的气膜基础结构及其施工方法，以解决现有技术中气膜结构存在保护冻土层和满足上拔力不能兼顾的问题。为了实现上述目的，根据本专利技术的一个方面，提供了一种适用于高原冻土的气膜基础结构，包括气膜本体和气膜基础，气膜本体与地面之间围成气膜腔体，气膜本体安装在气膜基础上，气膜基础包括：基础本体，基础本体的至少一部分埋设在地面的下方；齿结构，齿结构设置在基础本体的侧立面上，以增加气膜基础与地层之间的抗拔性能。进一步地，齿结构为多个，多个齿结构向不同的方向伸出；至少一个齿结构由基础本体倾斜向上伸出；和/或至少另一个齿结构水平伸出；和/或基础本体的侧立面是齿状表面以形成齿结构。进一步地，齿结构为多个，基础本体的不同高度处分别设置有齿结构。进一步地，气膜基础结构还包括第一保温层，第一保温层至少敷设在地层的地基的底面上，以将基础本体的底面与地基隔离。进一步地，第一保温层的厚度大于等于5厘米。进一步地，基础本体是现场浇筑而成的，齿结构是预制的，且在浇筑基础本体时将齿结构安装到基础本体上；或者基础本体是预制的，基础本体预留有浇筑槽，齿结构的至少一部分浇筑形成在浇筑槽处。进一步地，齿结构是金属材质的。进一步地，气膜基础埋设入地面内的深度小于冻土层的深度。进一步地，气膜基础结构还包括第二保温层，第二保温层铺设在地面上。根据本专利技术的另一方面，提供了一种适用于高原冻土的气膜基础结构的施工方法，适用于高原冻土的气膜基础结构是上述的气膜基础结构，适用于高原冻土的气膜基础结构的施工方法包括：挖地基；现场浇注气膜基础结构的气膜基础的基础本体；将预制的气膜基础的齿结构安装至基础本体上；将组装完成后的气膜基础放置在地基内；在地基上安装气膜本体；对气膜基础结构的气膜腔体充气。应用本专利技术的技术方案，适用于高原冻土的气膜基础结构包括气膜本体和气膜基础，气膜本体与地面之间围成气膜腔体，气膜本体安装在气膜基础上，气膜基础包括基础本体和齿结构，基础本体的至少一部分埋设在地面的下方；齿结构设置在基础本体的侧立面上，以增加气膜基础与地层之间的抗拔性能。通过在基础本体上设置齿结构，且齿结构埋设在地面的下方，使得齿结构与地层之间产生干涉，进而可以增加气膜基础的抗拔力。由于齿结构与基础本体的延伸方向不同，在气膜本体对气膜基础施加的拉力过大时，地层会止挡齿结构的运动，对齿结构提供向下的推力，抵消了气膜本体作用在基础本体上的拉力，进而避免了气膜本体将气膜基础从地层中拉出，增加了气膜基础工作的稳定性。由于设置齿结构增加了气膜基础的抗拔性能，所以无需将基础本体埋设的很深，进而可以减少对高原冻土层的破坏，也大大减小了气膜基础结构因冻土层的状态的改变而导致的气膜基础的位置的变化，大大增加了气膜基础结构工作的稳定性和安全性。附图说明构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本专利技术的进一步理解，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中：图1示出了本专利技术的一个可选实施例气膜基础结构的气膜基础与地面的位置关系示意图。其中，上述附图包括以下附图标记：10、气膜基础；11、基础本体；12、齿结构；20、地面；30、第一保温层；40、第二保温层。具体实施方式需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本专利技术。需要指出的是，除非另有指明，本申请使用的所有技术和科学术语具有与本申请所属
的普通技术人员通常理解的相同含义。在本专利技术中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上、下、顶、底”通常是针对附图所示的方向而言的，或者是针对部件本身在竖直、垂直或重力方向上而言的；同样地，为便于理解和描述，“内、外”是指相对于各部件本身的轮廓的内、外，但上述方位词并不用于限制本专利技术。为了解决现有技术中气膜基础结构存在保护冻土层和满足上拔力不能兼顾的问题，本专利技术提供了一种适用于高原冻土的气膜基础结构及其施工方法。如图1所示，适用于高原冻土的气膜基础结构包括气膜本体和气膜基础10，气膜本体与地面20之间围成气膜腔体，气膜本体安装在气膜基础10上，气膜基础10包括基础本体11和齿结构12，基础本体11的至少一部分埋设在地面20的下方；齿结构12设置在基础本体11的侧立面上，以增加气膜基础10与地层之间的抗拔性能。通过在基础本体11上设置齿结构12，且齿结构12埋设在地面20的下方，使得齿结构12与地层之间产生干涉，进而可以增加气膜基础10的抗拔力。由于齿结构12与基础本体11的延伸方向不同，在气膜本体对气膜基础10施加的拉力过大时，地层会止挡齿结构12的运动，对齿结构12提供向下的推力，抵消了气膜本体作用在基础本体11上的拉力，进而避免了气膜本体将气膜基础10从地层中拉出，增加了气膜基础10工作的稳定性。由于设置齿结构12增加了气膜基础10的抗拔性能，所以无需将基础本体11埋设的很深，进而可以减少对高原冻土层的破坏，也大大减小了气膜基础结构因冻土层的状态的改变而导致的气膜基础10的位置的变化，大大增加了气膜基础结构工作的稳定性和安全性。需要说明的是，本申请中的气膜基础结构适应于具有冻土层的地区，冻土层的状态随温度的变化而变化，极易变成流动状态。而在冻土层的自然的环境中，冻土层的状态基本是不变的，而当建筑物的温度影响到冻土层，冻土层的状态就会改变，造成建筑物变形或坍塌，存在极大的安全隐患。本申请中的气膜基础结构的气膜基础与地层之间的止挡力较大，能满足气膜基础结构上拔力的要求，因此不需要将气膜基础10埋设的太深，这样使得气膜基础10与冻土层之间的距离较大，使得气膜基础处的温度不易传递到冻土层处，大大增加了气膜基础结构使用的稳定性和安全性。如图1所示，齿结构12为多个，多个齿结构12向不同的方向伸出；至少一个齿结构12由基础本体11倾斜向上伸出。齿结构12倾斜向上伸出使得齿结构12与地层之间具有较大的止挡力，进而避免气膜本体将气膜基础10拉出，大大增加了气膜基础结构使用的稳定性和安全性。需要说明的是，在本实施例中，齿结构12与基础本体11之间的夹角大于等于0度且小于90度。可选地，至少另一个齿结构12水平伸出。齿本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种适用于高原冻土的气膜基础结构，其特征在于，包括气膜本体和气膜基础(10)，所述气膜本体与地面(20)之间围成气膜腔体，所述气膜本体安装在所述气膜基础(10)上，所述气膜基础(10)包括：/n基础本体(11)，所述基础本体(11)的至少一部分埋设在所述地面(20)的下方；/n齿结构(12)，所述齿结构(12)设置在所述基础本体(11)的侧立面上，以增加所述气膜基础(10)与地层之间的抗拔性能。/n

【技术特征摘要】
1.一种适用于高原冻土的气膜基础结构，其特征在于，包括气膜本体和气膜基础(10)，所述气膜本体与地面(20)之间围成气膜腔体，所述气膜本体安装在所述气膜基础(10)上，所述气膜基础(10)包括：
基础本体(11)，所述基础本体(11)的至少一部分埋设在所述地面(20)的下方；
齿结构(12)，所述齿结构(12)设置在所述基础本体(11)的侧立面上，以增加所述气膜基础(10)与地层之间的抗拔性能。


2.根据权利要求1所述的适用于高原冻土的气膜基础结构，其特征在于，所述齿结构(12)为多个，多个所述齿结构(12)向不同的方向伸出；
至少一个所述齿结构(12)由所述基础本体(11)倾斜向上伸出；和/或
至少另一个所述齿结构(12)水平伸出；和/或
所述基础本体(11)的侧立面是齿状表面以形成所述齿结构(12)。


3.根据权利要求1所述的适用于高原冻土的气膜基础结构，其特征在于，所述齿结构(12)为多个，所述基础本体(11)的不同高度处分别设置有所述齿结构(12)。


4.根据权利要求1所述的适用于高原冻土的气膜基础结构，其特征在于，所述气膜基础结构还包括第一保温层(30)，所述第一保温层(30)至少敷设在所述地层的地基的底面上，以将所述基础本体(11)的底面与所述地基隔离。


5.根据权利要求4所述的适用于高原冻土的气膜基础结构，其特征在于，所述第一保温层(30)的厚度大于等于5厘米。


6.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：谭宁，孙伟，
申请(专利权)人：北京约顿气膜建筑技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11