一种免电镀电磁屏蔽材料的制作工艺制造技术

本发明专利技术提供了一种免电镀屏蔽材料的制作工艺，包括如下步骤：步骤一、基材上制作均匀分布的微孔；步骤二、对带有微孔的基材电晕处理；步骤三、真空溅射初级镀层：采用纳米级金属粉对电晕处理后的基材进行真空溅射得到初级镀层；步骤四、真空溅射第二镀层：采用纳米级导电屏蔽金属材料对步骤三中的基材进行真空溅射得到第二镀层；步骤五、对步骤四中的基材进行烘烤，使初级镀层和第二镀层固化凝结；步骤六、烘烤后的基材与具有导电胶层的贴合材料进行复合处理，完成屏蔽材料制作。本发明专利技术解决了现有工艺中制作成本高、电磁屏蔽材料屏蔽性能差的问题。

Manufacturing technology of electromagnetic shielding material without plating

【技术实现步骤摘要】
一种免电镀电磁屏蔽材料的制作工艺
本专利技术属于屏蔽材料制作
，具体涉及一种免电镀电磁屏蔽材料的制作工艺。
技术介绍
电子屏蔽材料作为电子行业中的重要原辅材料，被广泛的应用于计算机及其外围设备、通讯产品以及消费性电子产品中。使用电磁屏蔽材料是用于提高电子产品和设备电磁兼容性的重要措施之一，是利用屏蔽材料阻止或减少能力传输，有效减少空气中的各种电磁波干扰。具体来说，就是利用屏蔽材料将元部件、电路、组合件、电缆或整个系统的干扰源包围起来，防止干扰电磁场向外扩散；或者是用屏蔽材料将接收电路、设备或系统包围起来，防止其受到外界电磁场的影响。现有的屏蔽材料大多采用电镀工艺加工方式，然而该方式存在如下缺陷：1、现有屏蔽材料采用电镀工艺加工，电镀后的废弃物不仅污染环境，尤其是处理该废弃物时也会产生较高的成本。2、现有屏蔽材料上有细微的缝隙或微孔(例如纺织品)，致使该屏蔽材料的电磁屏蔽效果不高，尤其是较薄的屏蔽材料，其电磁屏效果更差，而且无法采用电镀的方式加工，影响屏蔽材料的屏蔽性能。3、采用电镀的方式加工电磁屏蔽材料，附着在屏蔽材料上的金属颗粒较大(较大的金属颗粒之间存在缝隙，电磁屏蔽效果不好)，难以达到纳米级别，影响屏蔽材料的屏蔽性能。
技术实现思路
为了克服现有技术的不足，本专利技术提供了一种免电镀屏蔽材料的制作工艺，解决了现有工艺中制作成本高、污染环境、电磁屏蔽材料屏蔽性能差的问题。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种免电镀屏蔽材料的制作工艺，包括如下步骤：步骤一、基材上制作均匀分布的微孔；步骤二、对带有微孔的基材电晕处理；步骤三、真空溅射初级镀层：采用纳米级金属粉对电晕处理后的基材进行真空溅射得到初级镀层；步骤四、真空溅射第二镀层：采用纳米级导电屏蔽金属材料对步骤三中的基材进行真空溅射得到第二镀层；步骤五、对步骤四中的基材进行烘烤，使初级镀层和第二镀层固化凝结；步骤六、烘烤后的基材与具有导电胶层的贴合材料进行复合处理，完成屏蔽材料制作。作为进一步的优选实施方案，初级镀层和第二镀层的厚度均为基材厚度的20％-70％，真空溅射速度为5-20m/min。作为进一步的优选实施方案，步骤一中的基材为PI、PET、纺织品或金属材料。作为进一步的优选实施方案，步骤三中所述纳米级金属粉和步骤四中所述导电屏蔽金属材料均为铜粉、镍粉或银粉中的一种。作为进一步的优选实施方案，步骤六中所述烘烤的温度为120℃，时间为30min。作为进一步的优选实施方案，步骤六中所述烘烤的温度为室温，时间为3-4h。本专利技术的有益效果为：1、不同于以往的具有导电性能的基材，本工艺选取的基材为不导电的PI、PET，该基材制作的屏蔽材料具有质量轻、耐高温、耐挠曲、电阻低等性能，尤其是免于电镀，避免制作过程中产生有害废物，污染环境，有效减少了制作成本(没有处理有害废物的费用)，同时还保障了屏蔽材料的屏蔽性能。2、本工艺用机械或激光方法在基材上制作均匀分布的微孔，便于金属粉能够附着在基材表面以及微孔内，能够使基材具有导电功能(现有基材中不导电且带有缝隙的材料不仅无法电镀，而且在制作完成后，屏蔽性能也无法保证)，提高基材的屏蔽性能；同时初级镀层和二级镀层均采用纳米级金属粉，使金属颗粒之间更加紧凑，有效的提升了屏蔽材料的屏蔽性能；避免因金属颗粒较大而出现缝隙，从而导致屏蔽性能降低。3、对带有微孔的基材进行电晕处理，使基材表面打毛，从而改变基材表面的张力，便于导电胶层与基材结合稳固。4、当纺织品作为基材时，采用纳米级金属粉对该基材进行真空溅射，能够使金属粉进入纺织品的细微缝隙中，有效提高纺织品作为屏蔽材料时的屏蔽性能。5、本工艺对镀层后的基材进行烘烤，便于金属粉与基材结合更加稳固。附图说明附图是用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本专利技术，但并不构成对本专利技术的限制。在附图中：图1是本实施例中屏蔽材料的结构示意图；附图说明：11：基材12：初级镀层13：第二镀层14：导电胶层15：贴合材料具体实施方式下面结合附图对本专利技术的优选实施例进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本专利技术，并不用于限制本专利技术。参考图1，本实施例提供一种免电镀屏蔽材料的制作工艺，包括如下步骤：步骤一、基材11上制作均匀分布的微孔；步骤二、对带有微孔的基材11电晕处理；步骤三、真空溅射初级镀层12：采用纳米级金属粉对电晕处理后的基材进行真空溅射得到初级镀层12；步骤四、真空溅射第二镀层13：采用纳米级导电屏蔽金属材料对步骤三中的基材进行真空溅射得到第二镀层13；步骤五、对步骤四中的基材11进行烘烤，使初级镀层12和第二镀层13固化凝结；步骤六、烘烤后的基材11与具有导电胶层14的贴合材料15进行复合处理，完成屏蔽材料制作。进一步的，采用本工艺对基材11进行真空溅镀，在保障其屏蔽性能的前提下，扩大基材11种类的可选范围，例如可选择PI、PET、或金属材料作为基材11；此外，基材11也可以为纺织品，纺织品作为基材11时可省略步骤二，直接进行真空镀层；由于纺织品带有缝隙，在进行初级镀层12后，金属粉能够进入纺织品的缝隙中，有效提高纺织品作为屏蔽材料的屏蔽性能。步骤二中对带有微孔的基材11进行电晕处理方式为，基材11处于高频、高压电的设备中，该设备中产生高频、高压的电流，由于空气电离后产生的各种离子在强电场的作用下，急速并冲击基材11表面，从而使基材11表面的塑料分子的化学键断裂而降解，由此增加基材11表面的粗糙程度，能够使导电胶层14更加稳固的附着在基材11上。进一步的，初级镀层和第二镀层的厚度均为基材厚度的20％-70％，真空溅射速度为5-20m/min，确保初级镀层和第二镀层的结构紧密，提高基材的屏蔽性能。进一步的，步骤四中所述纳米级金属粉为铜粉、镍粉或银粉中的一种，由于纳米级金属粉均为具有良好导电性的导电材质，特别是当纳米级金属粉为铜粉时，导电效果更佳；因此对基材11真空溅射初级镀层12后，即可使原本不具有导电性的基材11具备导电性能，从而提升基材11的屏蔽性能。步骤五中第二镀层13是由纳米级的铜粉、镍粉或银粉中的一种溅射而成，有效提升了第二镀层13的导电性能和屏蔽性能。进一步的，步骤六中所述烘烤的温度为120℃，时间为30min，能够使初级镀层12和第二镀层13有效结合，结构稳固。进一步的，步骤六中所述烘烤的温度为室温，时间为3-4h能够使初级镀层12和第二镀层13有效结合，结构稳固。总之，本工艺能够对不具有导电性能的基材11进行真空溅射镀层，使镀层后的基材具有导电性能，有效提升屏蔽材料的屏蔽性能，使其具有质量轻、耐高温、耐挠曲、电阻低等性能，免于电镀，减少制作成本本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种免电镀屏蔽材料的制作工艺，其特征在于，包括如下步骤：/n步骤一、基材上制作均匀分布的微孔；/n步骤二、对带有微孔的基材进行电晕处理；/n步骤三、真空溅射初级镀层：采用纳米级金属粉对电晕处理后的基材进行真空溅射得到初级镀层；/n步骤四、真空溅射第二镀层：采用纳米级导电屏蔽金属材料对步骤三中的基材进行真空溅射得到第二镀层；/n步骤五、对步骤四中的基材进行烘烤，使初级镀层和第二镀层固化凝结；/n步骤六、烘烤后的基材与具有导电胶层的贴合材料进行复合处理，完成屏蔽材料制作。/n

【技术特征摘要】
1.一种免电镀屏蔽材料的制作工艺，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一、基材上制作均匀分布的微孔；
步骤二、对带有微孔的基材进行电晕处理；
步骤三、真空溅射初级镀层：采用纳米级金属粉对电晕处理后的基材进行真空溅射得到初级镀层；
步骤四、真空溅射第二镀层：采用纳米级导电屏蔽金属材料对步骤三中的基材进行真空溅射得到第二镀层；
步骤五、对步骤四中的基材进行烘烤，使初级镀层和第二镀层固化凝结；
步骤六、烘烤后的基材与具有导电胶层的贴合材料进行复合处理，完成屏蔽材料制作。


2.根据权利要求1所述的一种免电镀屏蔽材料的制作工艺，其特征在于：初级镀层和第二镀层的厚度均为基材厚度的20％...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙学平，杨丽娜，
申请(专利权)人：佳普电子新材料连云港有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32