无线充电发射装置及其集成电路装置制造方法及图纸

本公开涉及一种集成电路装置和无线充电发射装置。该集成电路装置包括：全桥驱动电路、采样电路和转换电路。全桥驱动电路包括至少一个晶体管并且被配置为基于来自控制器的脉冲控制信号选择性导通晶体管，以生成流经与全桥驱动电路耦合的电感线圈的电流。采样电路，耦合至全桥驱动电路，并且被配置为基于全桥驱动电路中的晶体管的导通电压来生成采样电压。转换电路耦合至采样电路并且被配置为对采样电压进行放大，以生成表示电流的感测电压并且将感测电压传递给控制器以用于调整脉冲控制信号。通过使用根据本公开的实施例的集成电路装置，可以提高充电效率。

Wireless charging transmitting device and its integrated circuit device

【技术实现步骤摘要】
无线充电发射装置及其集成电路装置
本公开涉及无线充电领域，更具体而言，涉及无线充电中的发射装置及其中的集成电路装置。
技术介绍
越来越多的电子设备采用无线充电技术。无线充电的基本原理是电磁感应，其通过磁场的隔空耦合实现电能的传输。目前无线充电发射端绝大部分使用分立金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)形成全桥驱动电路。在全桥驱动电路的电源端或者地端串联采样电阻，通过运放放大输出电流检测信号。无线充电发射端根据该检测信号动态调整无线充电发射端的功率。
技术实现思路
在分立MOSFET形成全桥驱动电路的技术方案中，分立的采样电阻消耗了一部分功率并且将其转化为热能。这降低了充电效率。为此本文描述了一种不使用分立的采样电阻的集成电路装置和无线充电发射装置。在本公开的一方面，提供一种集成电路装置。该集成电路装置包括：全桥驱动电路、采样电路和转换电路。全桥驱动电路包括至少一个晶体管并且被配置为基于来自控制器的脉冲控制信号选择性导通晶体管，以生成流经与全桥驱动电路耦合的电感线圈的电流。采样电路，耦合至全桥驱动电路，并且被配置本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成电路装置(15)，包括：/n全桥驱动电路(12)，包括至少一个晶体管(Q3,Q4)并且被配置为基于来自控制器(16)的脉冲控制信号选择性导通所述晶体管(Q3,Q4)，以生成流经与所述全桥驱动电路(12)耦合的电感线圈(L1)的电流；/n采样电路(13)，耦合至所述全桥驱动电路(12)，并且被配置为基于所述全桥驱动电路(12)中的晶体管(Q3,Q4)的导通电压来生成采样电压(V

【技术特征摘要】
1.一种集成电路装置(15)，包括：
全桥驱动电路(12)，包括至少一个晶体管(Q3,Q4)并且被配置为基于来自控制器(16)的脉冲控制信号选择性导通所述晶体管(Q3,Q4)，以生成流经与所述全桥驱动电路(12)耦合的电感线圈(L1)的电流；
采样电路(13)，耦合至所述全桥驱动电路(12)，并且被配置为基于所述全桥驱动电路(12)中的晶体管(Q3,Q4)的导通电压来生成采样电压(VSAH)；以及
转换电路(14)，耦合至所述采样电路(13)，并且被配置为对所述采样电压(VSAH)进行放大，以生成表示所述电流的感测电压(VSense)并且将所述感测电压(VSense)传递给所述控制器(16)以用于调整所述脉冲控制信号。


2.根据权利要求1所述的集成电路装置(15)，其中所述全桥驱动电路(15)包括交替导通的第一晶体管和第二晶体管，
所述至少一个晶体管(Q3,Q4)中的第一晶体管(Q4)在第一周期生成流经所述电感线圈(L1)的第一电流，
所述至少一个晶体管(Q3,Q4)中的第二晶体管(Q3)在第二周期期间生成流经所述电感线圈(L1)的第二电流。


3.根据权利要求2所述的集成电路装置(15)，其中所述采样电路(13)包括采样电容器(C13)，所述采样电容器(C13)在所述第一周期和所述第二周期期间分别由所述第一晶体管和所述第二晶体管的导通电压充电，以生成所述采样电压(VSAH)，所述采样电压(VSAH)表示所述第一电流与所述第一晶体管的导通电阻的乘积和所述第二电流与所述第二晶体管的导通电阻的乘积之和。


4.根据权利要求1所述的集成电路装置(15)，其中所述转换电路(14)包括：
电压至电流转换电路(141)，耦合至所述采样电路(13)，并且被配置为将所述采样电压转换为采样电流；
电流镜电路(142)，耦合至所述电压至电流转换电路(141)，并且被配置为将所述采样电流镜像复制为镜像电流；以及
电流至电压转换电路(143)，耦合至所述电流镜电路(142)，并且被配置为将所述镜像电流转换为所述感测电压(VSense)。


5.根据权利要求4所述的集成电路装置(15)，其中所述电压至电流转换电路(141)包括：
运算放大器(AMP14)，耦合至所述采样电路(13)，并且被配置为在第一端子处接收所述采样电压；
开关晶体管(Q8)，所述开关晶体管的栅极耦合至所述运算放大器，并且被配置为根据所述运算放大器的输出而选择性地导通所述开关晶体管(Q8)；以及
电阻器(R14)，包括与所述全桥驱动电路(12)的所述晶体管匹配的晶体管，所述电阻器(R14)具有耦合至所述开关晶体管(Q8)的漏极和所述运算放大器(AMP14)的第二端子的第一端子，并且具有耦合至接地的第二端子。


6.根据权利要求4所述的集成电路装置(15)，其中
所述电流至电压转换电路(143)包括可编程电阻单元(RV)；以及
所述转换电路(14)还包括电压偏置电路(144)，所述电压偏置电路(144)耦合至所述采样电路(13)，并且被配置为至少部分地基于所述电阻器(R14)的电阻和所述可编程电阻单元(RV)的电阻来偏置所述采样电压。


7.根据权利要求1所述的集成电路装置(15)，还包括：
缓冲器电路(11)，耦合至所述转换电路(14)，并且被配置为基于所述感测电压生成驱动电压(VB)。


8.根据权利要求3所述的集成电路装置(15)，其中所述采样电路(13)还包括：
第一开关(Q5)，耦合至所述全桥驱动电路(12)，并且被配置为在所述第一周期期间导通；
第二开关(Q6)，耦合至所述全桥驱动电路(12)，并且被配置为在所述第二周期期间导通；
采样电阻器(R13)，具有耦合至所述第一开关和所述第二开关的第一端，以及耦合至所述采样电容器的第二端；以及
放电晶体管(Q7)，耦合至所述采样电容器(C13)，并且被配置为响应于所述第一开关和所述第二开关均被断开而对所述采样电容器(C13)进行放电。


9.根据权利要求6所述的集成电路装置(15)，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：张树春，李润德，胡志明，王强，
申请(专利权)人：芯洲科技北京有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11