【技术实现步骤摘要】
一种用于高性能无线电能传输系统中碳化硅MOSFET的精确结温闭环控制方法
本专利技术涉及无线电能传输领域，具体涉及一种用于高性能无线电能传输系统中碳化硅MOSFET的精确结温闭环控制方法。
技术介绍
无线电能传输技术是一种安全灵活的充电方式，适用于移动设备、电动汽车等设备的供电。宽禁带器件的应用预示着无线电能系统中的频率和功率将会提高到更高的等级，那么伴随而来的可靠性问题不容忽视，同时整个系统的功率波动会导致碳化硅MOSFET的结温波动，极易导致碳化硅MOSFET的热疲劳失效，大幅减小了碳化硅MOSFET的寿命期望，使整个高频大功率的无线电能系统的安全性和稳定性产生致命隐患，因此需要采取一定措施稳定功率波动所带来的的结温波动。功率波动同时存在于静态无线充电系统与动态无线充电系统，在静态无线充电系统中如：接受线圈与发射线圈发生偏移或移位、多负载无线充电系统中负载数量的变化等；在动态无线充电系统中如：如由于路面发射端和车载接收端之间磁场耦合程度随着电动汽车的行驶将处于频繁且剧烈的波动状态，从而导致接收功率明显波动...
【技术保护点】
1.一种用于高性能无线电能传输系统中碳化硅MOSFET的精确结温闭环控制方法，其特征在于，基于多负载无线电能传输系统的开环电路，所述无线电能传输系统的开环电路包括直流电源、高频逆变电路(包含缓冲电路)、原边谐振网络、多个副边谐振网络、整流桥和负载依次连接；包括以下步骤：/n步骤1：确定结温控制的目标温度，碳化硅MOSFET的精确结温闭环控制分为粗调阶段和精调阶段；/n步骤2：粗调阶段判断是否有负载的接入或切除来改变高频逆变电路中缓冲电路中电容的大小，以此增加或减少碳化硅MOSFET的开关损耗，从而升高或降低碳化硅MOSFET的结温；/n步骤3：精调阶段通过采集碳化硅MOSF...
【技术特征摘要】
1.一种用于高性能无线电能传输系统中碳化硅MOSFET的精确结温闭环控制方法，其特征在于，基于多负载无线电能传输系统的开环电路，所述无线电能传输系统的开环电路包括直流电源、高频逆变电路(包含缓冲电路)、原边谐振网络、多个副边谐振网络、整流桥和负载依次连接；包括以下步骤：
步骤1：确定结温控制的目标温度，碳化硅MOSFET的精确结温闭环控制分为粗调阶段和精调阶段；
步骤2：粗调阶段判断是否有负载的接入或切除来改变高频逆变电路中缓冲电路中电容的大小，以此增加或减少碳化硅MOSFET的开关损耗，从而升高或降低碳化硅MOSFET的结温；
步骤3：精调阶段通过采集碳化硅MOSFET当前温度，与目标温度作比较，当前温度大于目标温度时提升碳化硅MOSFET的开通和关断电压，以此降低开关损耗从而降低碳化硅MOSFET结温，当前温度小于目标温度时降低碳化硅MOSFET的开通和关断电压，以此提升开关损耗从而提升碳化硅MOSFET结温，从而抑制结温大幅度波动。
2.根据权利要求1所述的一种用于高性能无线电能传输系统中碳化硅MOSFET的精确结温闭环控制方法，其特征在于，步骤1中：确定碳化硅MOSFET的目标温度的具体操作为：
在多负载的无线电能传输系统中，通过选取某特定负载数量下的碳化硅MOSFET温度作为想要稳定到的目标温度，负载数量的增加或者减小导致碳化硅MOSFET的结温在目标温度附近上下波动。
3.根据权利要求2所述的一种用于高性能无线电能传输系统中碳化硅MOSFET的精确结温闭环控制方法，其特征在于，步骤2中，当检测到多负载无线电能传输系统有负载接入或切除时，系统首先进行结温粗调,具体操作为：
(1)设定特定负载个数情况下的多负载无线电能传输系统中碳化硅MOSFET的结温为目标温度；
(2)实时读取系统所增加或者减少的负载个数，调节碳化硅MOSFET的缓冲电路中电容的大小，每增加一个负载，系统功率上升，碳化硅MOSFET结温上升，此时缓冲电...
【专利技术属性】
技术研发人员：谭林林，王若隐，黄天一，黄学良，李昊泽，李乘云，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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