【技术实现步骤摘要】
一种陶瓷光电耦合器及其制造方法
本专利技术涉及光电
，具体涉及一种陶瓷光电耦合器及其制造方法。
技术介绍
光电耦合器一般由三部分组成：光的发射、光的接收及信号放大，其原理为：输入的电信号驱动发光二极管（LED），使之发出一定波长的光，被光探测器接收而产生光电流，再经过进一步放大后输出，从而完成电—光—电的转换，起到输入、输出、隔离的作用。由于光电耦合器输入输出间互相隔离，电信号传输具有单向性等特点，因而具有良好的电绝缘能力和抗干扰能力。现有的光电耦合器多为塑封器件，但是对于高质量等级的军用级光电耦合器需要在-55℃～125℃的全军规温度范围下工作，并且环氧塑封材料不能有效控制内部水汽含量，长期可靠性达不到保障。除此之外，随着武器装备向小型化发展，对光电耦合器小型化的需求也越来越迫切。现有技术中的光电耦合器件的结构复杂，生产工艺复杂，且封装过程较为繁琐。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种陶瓷光电耦合器及其制造方法，通过多层布线和高精度组装，大幅度缩小器件体积，减轻重量，简化了组装过程...
【技术保护点】
1.一种陶瓷光电耦合器，其特征在于：包括多层陶瓷基板及与设于多层陶瓷基板上且与所述陶瓷基板的上表面形成密封腔体的金属盖帽，所述陶瓷基板的上下表面分别设有多块金属化区，所述多层陶瓷基板上表面不同金属化区与其对应的下表面不同金属化区电性连通，所述多层陶瓷基板上表面的金属化区设有与其电性连通的发光二极管及光敏三极管。/n
【技术特征摘要】
1.一种陶瓷光电耦合器，其特征在于：包括多层陶瓷基板及与设于多层陶瓷基板上且与所述陶瓷基板的上表面形成密封腔体的金属盖帽，所述陶瓷基板的上下表面分别设有多块金属化区，所述多层陶瓷基板上表面不同金属化区与其对应的下表面不同金属化区电性连通，所述多层陶瓷基板上表面的金属化区设有与其电性连通的发光二极管及光敏三极管。
2.根据权利要求1所述的陶瓷光电耦合器，其特征在于：所述多层陶瓷基板的上表面设有与金属盖帽端口相适配的焊接金属化区。
3.根据权利要求1所述的陶瓷光电耦合器，其特征在于：所述金属盖帽端口与多层陶瓷基板采用再流焊方式密封连接。
4.根据权利要求1所述的陶瓷光电耦合器，其特征在于：所述金属盖帽腔体内部设置有用于反射发光器件发出光信号的反光镀层。
5.根据权利要求1所述的陶瓷光电耦合器，其特征在于：所述多层陶瓷基板上下表面电性连通由基板内部通孔实现。
6.根据权利要求1所述的陶瓷光电耦合器，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱雨生，雷子薇，李林森，王斌，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十三研究所，
类型：发明
国别省市：安徽;34
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