【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置
本公开涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置。
技术介绍
QD-OLED(量子点-有机电致发光器件)具有高分辨率、高色域、不具视角依赖性、可以应用到大型中型高色域高分辨率产品中等优点。在制备量子点层时，需要先制备用于阻挡量子点墨水流动的堤坝层(Bank)，然后再向堤坝层所形成的容置孔中注入量子点墨水。然而，受到工艺的限制，堤坝层(Bank)的厚度比较薄，这导致无法制备具有较大厚度的量子点层，制约了OD-OLED的性能。所述
技术介绍
部分公开的上述信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
本公开的目的在于提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置，以提高量子点层的厚度。为实现上述专利技术目的，本公开采用如下技术方案：根据本公开的第一个方面，提供一种阵列基板，包括：衬底基板；像素电极层，设于所述衬底基板的一侧；所述...
【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：/n衬底基板；/n像素电极层，设于所述衬底基板的一侧；所述像素电极层包括阵列设置的多个像素电极，任一所述像素电极设置有至少一个发光区域；/n像素定义层，设于所述像素电极层远离所述衬底基板的一侧，且暴露各个所述发光区域；所述像素定义层的厚度大于1.5微米；/n有机发光层，设于所述像素电极层远离所述衬底基板的一侧，且覆盖各个所述像素电极的发光区域；/n公共电极层，设于所述有机发光层远离所述衬底基板的一侧，且覆盖所述有机发光层；/n堤坝层，设于所述公共电极层远离所述衬底基板的一侧；所述堤坝层在所述衬底基板上的正投影位于所述像素定义层在所述衬底基...
【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
衬底基板；
像素电极层，设于所述衬底基板的一侧；所述像素电极层包括阵列设置的多个像素电极，任一所述像素电极设置有至少一个发光区域；
像素定义层，设于所述像素电极层远离所述衬底基板的一侧，且暴露各个所述发光区域；所述像素定义层的厚度大于1.5微米；
有机发光层，设于所述像素电极层远离所述衬底基板的一侧，且覆盖各个所述像素电极的发光区域；
公共电极层，设于所述有机发光层远离所述衬底基板的一侧，且覆盖所述有机发光层；
堤坝层，设于所述公共电极层远离所述衬底基板的一侧；所述堤坝层在所述衬底基板上的正投影位于所述像素定义层在所述衬底基板上的正投影内；
量子点层，覆盖至少部分被所述堤坝层暴露的所述公共电极层。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素定义层的厚度大于3.5微米。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述堤坝层的厚度不大于6微米。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述量子点层的厚度大于8微米。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，任一所述发光区域在所述衬底基板上的正投影中的任意一点，与所述堤坝层在所述衬底基板上的正投影中的任意一点之间的距离，不小于3微米。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素定义层包括：
第一像素定义层，设于所述像素电极层远离所述衬底基板的一侧，且暴露各个所述发光区域；
第二像素定义层，设于所述第一像素定义层远离所述衬底基板的表面，且暴露至少部分所述第一像素定义层；
所述堤坝层在所述衬底基板上的正投影位于所述第二像素定义层在所述衬底基板上的正投影内。
7.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：
提供衬底基板；
在所述衬底基板的一侧形成像素电极层，所述像素电极层包括阵列设置的多个像素电极，任一所述像素电极设置有至少一个发光区域；
在所述像素电极层远离所述衬底基板的一侧形成像素定义层，所述像素定义层暴露各个所述发光区域，且所述像素定义层的厚度大于1.5微米；
在所述像素电极层远离所述衬底基板的一侧形成有机发光层，所述有机发光层覆盖各个所述像素电极的发光区域；
在所述有机发光层远离所述衬底基板的一侧形成公共电极层，所述公共电极层覆盖所述有机发光层；
在所述公共电极层远离所述衬底基板的一侧形成堤坝层，所述堤坝层在所述衬底基板上的正投影位于所述像素定义层在所述衬底基板上的正投影内；
形成量子点层，所述量子点层覆盖至少部分被所述堤坝层暴露的所述公共电极层。
8.一种阵列基板，其特征在于，包括：
衬底基板；
平坦化层，设于所述衬底基板的一侧；所述平坦化...
【专利技术属性】
技术研发人员：韩影，王玲，林奕呈，徐攀，靳倩，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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