包含用于刷新的补充感测放大器电路的集成组合件制造技术

本申请案涉及包括用于刷新的补充感测放大器电路的集成组合件。一些实施例包含具有第一存储器阵列的集成组合件，所述第一存储器阵列包含第一列第一存储器单元。第一数字线沿着所述第一列延伸并用于寻址所述第一列的所述第一存储单元。第二存储器阵列靠近所述第一存储器阵列并包含第二列第二存储器单元。第二数字线沿着所述第二列延伸并用于寻址所述第二列的所述第二存储单元。初级感测放大器将所述第一数字线与所述第二数字线相对地耦合。第一次级感测放大器沿着所述第一数字线，且第二次级感测放大器沿着所述第二数字线。

Integrated assembly containing supplementary sense amplifier circuits for refresh

【技术实现步骤摘要】
包含用于刷新的补充感测放大器电路的集成组合件
集成组合件包括用于刷新的补充感测放大器电路。
技术介绍
存储器用于现代计算架构中以存储数据。一种类型的存储器为动态随机存取存储器(DRAM)。与替代类型的存储器相比，DRAM可提供结构简单、低成本且高速度的优点。DRAM可利用具有一个电容器与一个晶体管(所谓的1T-1C存储器单元)组合的存储器单元，其中电容器与晶体管的源极/漏极区域耦合。实例1T-1C存储器单元2在图1中展示，其中晶体管经标记为T且电容器经标记为C。电容器具有与晶体管的源极/漏极区域耦合的一个节点，及与共用板CP耦合的另一节点。共用板可与任何合适的电压耦合，例如在从大于或等于接地到小于或等于VCC的范围内的电压(即，接地≤CP≤VCC)。在一些应用中，共用板处于约为VCC的一半(即，约VCC/2)的电压。晶体管具有耦合到字线WL(即，存取线)的栅极，且具有耦合到位线BL(即，数字线或感测线)的源极/漏极区域。在操作中，沿着字线由电压产生的电场可在读取/写入操作期间将位线门控地耦合到电容器。另一现有技术1T-1C存储器本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成组合件，其包括：/n第一存储器阵列，其包括第一列第一存储器单元；/n第一数字线，其沿着所述第一列所述第一存储单元延伸，且用于寻址所述第一列的所述第一存储单元；/n第二存储器阵列，其靠近所述第一存储器阵列并包括第二列第二存储器单元；/n第二数字线，其沿着所述第二列所述第二存储单元延伸，且用于寻址所述第二列的所述第二存储单元；/n初级感测放大器，其将所述第一位线与所述第二位线相对地耦合；所述初级感测放大器经配置以在沿着所述第一及第二列从所述第一及第二存储单元读取且写入到所述第一及第二存储器单元期间被利用；及/n第一次级感测放大器，其沿着所述第一数字线，及第二次级感测放大器，其沿着所述第...

【技术特征摘要】
20180809 US 62/716,5141.一种集成组合件，其包括：
第一存储器阵列，其包括第一列第一存储器单元；
第一数字线，其沿着所述第一列所述第一存储单元延伸，且用于寻址所述第一列的所述第一存储单元；
第二存储器阵列，其靠近所述第一存储器阵列并包括第二列第二存储器单元；
第二数字线，其沿着所述第二列所述第二存储单元延伸，且用于寻址所述第二列的所述第二存储单元；
初级感测放大器，其将所述第一位线与所述第二位线相对地耦合；所述初级感测放大器经配置以在沿着所述第一及第二列从所述第一及第二存储单元读取且写入到所述第一及第二存储器单元期间被利用；及
第一次级感测放大器，其沿着所述第一数字线，及第二次级感测放大器，其沿着所述第二数字线；所述第一及第二次级感测放大器经配置以仅用于沿着所述第一及第二数字线刷新所述第一及第二存储器单元。


2.根据权利要求1所述的集成组合件，其包括：
基座；所述初级感测放大器及所述次级感测放大器沿着所述基座；
第一平台，其位于所述基座上方；所述第一列所述第一存储单元的第一部分沿着所述第一平台，且第二列第二存储单元的第一部分沿着所述第一平台；及
第二平台，其位于所述第一平台上方；所述第一列所述第一存储器单元的第二部分沿着所述第二平台，且所述第二列所述第二存储器单元的第二部分沿着所述第二平台。


3.根据权利要求2所述的集成组合件，其中所述第一次级感测放大器位于所述第一列所述第一存储单元的所述第一部分与所述第一列所述第一存储单元的所述第二部分之间；且其中所述第二次级感测放大器位于所述第二列所述第二存储单元的所述第一部分与所述第二列所述第二存储单元的所述第二部分之间。


4.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述第一及第二存储单元包括与晶体管组合的电荷存储装置。


5.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述第一及第二存储单元包括与晶体管组合的电容器。


6.一种集成组合件，其包括：
第一存储器阵列，其包括第一列第一存储器单元；
第一数字线，其沿着所述第一列所述第一存储单元延伸，且用于寻址所述第一列的所述第一存储单元；
第二存储器阵列，其靠近所述第一存储器阵列并包括第二列第二存储器单元；
第二数字线，其沿着所述第二列所述第二存储单元延伸，且用于寻址所述第二列的所述第二存储单元；
初级感测放大器，其经配置以将所述第一数字线与所述第二数字线相对地耦合；
第一次级感测放大器，其沿着所述第一数字线，以及第一开关，其位于所述第一次级感测放大器与所述第一数字线之间；所述第一开关经配置以在沿着所述第一列的第一操作期间闭合以使电信号分流经过所述第一次级感测放大器；所述第一开关经配置以在沿着所述第一列的第二操作期间断开以使得所述第一次级感测放大器能够将所述第一次级感测放大器的一侧上的所述第一数字线的部分与所述第一次级感测放大器的相对侧上的所述第一个数字线的另一部分相对地耦合；及
第二次级感测放大器，其沿着所述第二数字线；以及第二开关，其位于所述第二次级感测放大器与所述第二数字线之间；所述第二开关经配置以在沿着所述第二列的第一操作期间闭合以使电信号分流经过所述第二次级感测放大器；所述第二开关经配置以在沿着所述第二列的第二操作期间断开以使得所述第二次级感测放大器能够将所述第二次级感测放大器的一侧上的所述第二数字线的部分与所述第二次级感测放大器的相对侧上的所述第二数字线的另一...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·J·德尔纳，C·L·英戈尔斯，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US