【技术实现步骤摘要】
针对存储器件的存储系统以及存储系统的操作方法相关申请的交叉引用本申请要求2018年8月10日提交的申请号为10-2018-0094039的韩国专利申请的优先权，其公开内容通过引用整体合并于此。
本公开的各种实施例总体而言涉及存储系统，并且更具体地，涉及存储系统和操作该存储系统的方法。
技术介绍
储存在相变存储(PCM)器件中的数据的逻辑电平可以根据PCM器件的每个存储单元中包括的相变材料(例如，诸如锗-锑-碲(GST)材料的硫族化合物材料)的相态来确定。例如，如果某个存储单元中包括的相变材料具有晶态，则所述某个存储单元可以被视为具有逻辑“高(1)”电平的存储单元，而如果所述某个存储单元中包括的相变材料具有非晶态，则所述某个存储单元可以被视为具有逻辑“低(0)”电平的存储单元。PCM器件展现出相对高的操作速度和高集成密度。因此，PCM器件作为替换计算机或其他数字系统中的动态随机存取存储(DRAM)器件的候选者可能是有吸引力的。与其他非易失性存储器件一样，PCM器件可能具有有限的寿命和有限的耐久性。具体地，由于相...
【技术保护点】
1.一种存储系统，包括：/n存储器件，其具有多个存储区域；以及/n存储器控制器，其被配置为：当针对第一存储区域连续产生的写入命令的数量达到参考值时，产生针对所述第一存储区域的读取命令，所述第一存储区域与所述多个存储区域中的一个存储区域相对应。/n
【技术特征摘要】
20180810 KR 10-2018-00940391.一种存储系统，包括：
存储器件，其具有多个存储区域；以及
存储器控制器，其被配置为：当针对第一存储区域连续产生的写入命令的数量达到参考值时，产生针对所述第一存储区域的读取命令，所述第一存储区域与所述多个存储区域中的一个存储区域相对应。
2.如权利要求1所述的存储系统，其中，所述存储器件包括相变存储PCM器件。
3.如权利要求1所述的存储系统，其中，所述多个存储区域包括多个存储块。
4.如权利要求1所述的存储系统，其中，所述多个存储区域包括多个页。
5.如权利要求1所述的存储系统，其中，所述存储器控制器包括：
命令处理电路，其被配置为：处理从主机输出的命令，并且被配置为：响应于读取命令发生控制信号来产生针对所述第一存储区域的所述读取命令，而不管所述主机如何；以及
写入计数电路，其被配置为：当针对所述第一存储区域连续产生的所述写入命令的数量达到所述参考值时，将所述读取命令发生控制信号输出到所述命令处理电路。
6.如权利要求5所述的存储系统，其中，所述命令处理电路包括读取命令发生器，所述读取命令发生器从所述写入计数电路接收所述读取命令发生控制信号和所述第一存储区域的地址，以产生针对所述第一存储区域的所述读取命令。
7.如权利要求5所述的存储系统，其中，当通过所述主机产生所述命令时，所述命令处理电路将所述命令和所述第一存储区域的地址两者发送到所述写入计数电路和所述存储器件。
8.如权利要求5所述的存储系统，其中，所述写入计数电路包括：
写入计数值储存电路，其被配置为：储存针对所述存储区域的每个存储区域连续产生的所述写入命令的计数值，并且被配置为：当针对所述第一存储区域的所述写入命令被从所述命令处理电路发送到所述写入计数值储存电路时，将针对所述第一存储区域的当前写入计数值改变并储存为更新的写入计数值；
写入计数器，其被配置为：对从所述写入计数值储存电路输出的所述当前写入计数值进行计数，以产生所述更新的写入计数值并将其输出到所述写入计数值储存电路；以及
写入计数值查验器，其被配置为：将所述更新的写入计数值与所述参考值进行比较，并且被配置为：当所述更新的写入计数值等于所述参考值时，将针对所述第一存储区域的所述读取命令发生控制信号输出到所述命令处理电路。
9.如权利要求8所述的存储系统，
其中，所述写入计数电路还包括写入计数值复位电路，当针对所述第一存储区域的所述读取命令被从所述命令处理电路发送到所述写入计数值复位电路时，所述写入计数值复位电路输出针对所述第一存储区域的复位信号；以及
其中，所述写入计数值储存电路被配置为：当所述复位信号被从所述写入计数值复位电路发送到所述写入计数值储存电路时，将针对所述第一存储区域的写入计数值复位。
10.如权利要求1所述的存储系统，其中，所述存储器控制器还包括错误校正码ECC电路，所述ECC电路在所述存储器件的读取操作期间检测并校正错误数据。
11.如权利要求10所述的存储系统，其中，所述ECC电路包括：
ECC编码器，其被配置为在所述存...
【专利技术属性】
技术研发人员：洪道善，权正贤，申原圭，郑承奎，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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